تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون

اختصاصی از کوشا فایل تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

چکیده

با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت، آتار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترا نزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستورها می شوند. یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون و تغییر ناخالصی بستر می باشد. ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم کرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر کانال کوتاه را بهبود می دهیم.

دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم. در فصل دوم مهندسی کانال را که شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای کاهش اثرات کانال کوتاه مورد بررسی قرار می دهیم. در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می کنیم. در این فصل نشان میدهیم که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الکتریکی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود. بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم که ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود . در این فصل نشان می دهیم که Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست. همچنین تاثیر تغییر در میزان کاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میکنیم.

در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم. در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios که جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می کنیم. و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میکنیم . می بینیم که با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد. در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم.

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الکترونیک پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملکرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از کوچک نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است. ولی در عین حال مشکلات زیادی در کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید. برخی از این آثار عبارتند از اثرات کانال کوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه. این آثار موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند. بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راههای کاهش اثرات کانال کوتاه برای ما اهمیت دارد.

فصل اول

بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور و نحوه آلایش در بخش های مختلف ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته

1-1- تغییر مقیاس ترانزیستور و قانون مور

طی سه دهه گذشته، صنعت الکترونیک پیشرفتهای جالب توجهی داشته است. حداکثر سرعت پالس ساعت پردازش مرکزی (cpu) از 100 کیلوهرتز در سال 1971 به بیش از 1/4 گیگاهرتز در سال 2000 افزایش یافته است. یعنی مقدار آن 10 برابر شده است. طی همین مدت، هزینه کامپیوترها با افزایش تعداد کامپیوترهای شخصی کاهش یافته است. بهبودهای قابل ملاحظه ای در نسبت قیمت/ عملکرد داشته ایم که در تاریخ تولید بشر بی سابقه بوده است. این نتایج ناشی از موفقیت در صنعت نیمه هادیها در کوچک کردن ابعاد ترانزیستور بوده است.

طول گیت ترانزیستور از 10 میکرومتر در سال 1971 به 0/8 میکرومتر در سال 2000 کاهش یافته است. این امر موجب افزایش سرعت پالس ساعت (با کاهش مسیر سیگنال) و همخوانی با قانون مور (که میگوید تعداد ترانزیستورها در یک مدار یکپارچه هر 18 ماه دوبرابر میشود) شده است. این امر نه تنها موجب بهبود عملکرد تراشه میشود بلکه موجب کاهش میزان ساخت سیلیکون مصرفی و کاهش هزینه تولید میگردد که آنهم به نوبه خود از تغییر مقیاس MOS ناشی می شود.

در عین حال، چالش های زیادی برای کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور وجود دارد. مثلا افزایش میدان الکتریکی و شکست سوراخی و اثر DIBL و غیره از جمله مشکلاتی است که با تغییر مقیاس ایجاد میشود. این بدان معنا است که فقط تغییر مقیاس ترانزیستور برای بهبود عملکرد ترانزیستور کافی نیست. فهم محدودیت های تغییر مقیاس و نحوة ارتباط آنها به پارامترهای مختلف ترانزیستور در طراحی ترانزیستورهای نسلهای بعدی اهمیت دارد.

2-1- روش تحقیق

انجام آزمایشهای فیزیکی در مورد آلایش مستلزم بررسی آلایش چندبعدی و لذا کار دشواری است، همچنین اندازه گیری دقیق پارامترهای ترانزیستورهای ساخته شده، و تعیین میزان دقیق تاثیر آلایش بستر بر عملکرد کاری دشوار و مستلزم ساخت ترانزیستور به صورت آزمایشگاهی است. شکل 1-1 شمائی از روش بکار رفته در تحقیقات را نشان می دهد.

به جای آزمایش فیزیکی، شبیه سازیهای TCAD مورد استفاده قرار می گیرد. برای تعداد زیادی از طراحی ترانزیستورهای شبیه سازی شده، مولفه های مقاومتی، فیزیکی، ولتاژ آستانه و خصوصیات Ion-Ioff برای هر ترانزیستور استخراج شده و مقایسه می شود و از آنجا حدود تغییر مقیاس با توجه به آلایش بستر تعیین می شود.

چند نکته در اینجا قابل ذکر است. نخست آنکه استفاده از شبیه سازی های TCAD مزایای بسیاری دارد. به گونه ای که پیش بینی نسبتا دقیقی از آلایش بستر و پروفیل آلایش ترانزیستورهای شبیه سازی شده را قبل از آنکه ساخته شود ممکن می سازد. بعلاوه امکان آنرا بوجود می آورد که عملکرد بسیاری از ترانزیستورها را با هم مقایسه کنیم. تطبیق نتایج حاصله با نتایج تجربی باعث صرفه جویی زیادی در هزینه و زمان طراحی می شود. بعلاوه این روش شبیه سازی امکان بررسی کمیت های داخلی ترانزیستور را که امکان آزمایش آنها عملا وجود ندارد فراهم می آورد.

همچنین میدانیم یکی از جنبه مهم در طراحی هر ترانزیستور معیارهای مورد استفاده برای مقایسه ترانزیستورهای مختلف است. چند معیار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحنی های Ion-Ioff باهم مقایسه می شوند.

همچنین تاثیر مدلهای قابلیت حرکت مورد بررسی قرار می گیرند. در این فصل با فرض آنکه آلایش کانال ترانزیستورها یکنواخت است و نیز اینکه آلایش سورس / درین را میتوان به صورت ساده با تابع نمائی در جهات افقی و عمودی تعریف کرد، کار را شروع می کنیم. این مفروضات را مجدداً در بخشهای بعدی مورد مطالعه قرار می دهیم. این روش به ما کمک می کند که تاثیر جنبه های مختلف طراحی ترانزیستور بر رفتار آنرا حذف کنیم و به فهم درستی ازمطالعه تاثیر آلایش بستر برسیم.

تعداد صفحه : 125

فهرست مطالب:

چکیده .............................................................................................................................................. 1
مقدمه ............................................................................................................................................... 2
فصل اول: بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور ونحوه آلایش در قسمتهای مختلف
ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته
1-1 تغییر مقیاس ترانزیستور وقانون مور ...................................................................................... 4
2-1 روش تحقیق ...................................................................................................................... 5
3-1 زمینه و سازماندهی ............................................................................................................. 6
4-1 مسائل مهم درطراحی ترانزیستورهای تغییرمقیاس یافته ....................................................... 7
5-1 پارامترهای موردنیاز در طراحی ترانزیستورها و تغییر مقیاس آنها ....... ................................ 7
1 پارامترهای کلیدی در طراحی ترانزیستورها ................................................................... 8 -5-1
2 تعریف ولتاژ آستانه ........................................................................................................ 9 -5-1
10 .................................................... MOS 3 تئوری مرتبه اول تغییر مقیاس در ترانزیستور -5-1
6-1 اثرات مرتبه دوم در ابعاد زیر میکرون عمیق ................................................................... 11
1 اثرات کانال کوتاه .......................................................................................................... 12 -6-1
1-1 تغییر پیچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات کانال کوتاه ............................................... 13 -6-1
14 ...................................................... (DIBL) 2-1 کاهش سدپتاسیل القا شده توسط درین -6-1
2 اثرات کانال کوتاه معکوس ............................................................................................ 16 -6-1
3 مقاومت سورس / درین ................................................................................................ 18 -6-1
4 اثرات مکانیک کوانتومی ............................................................................................... 19 -6-1
7-1 طراحی ترانزیستور در رژیم زیرمیکرون عمیق ............................................................. ..... 24
1 مهندسی کانال ................................................................................................................ 24 -7-1
24 ............................................................................................ Super Retrograde 1-1 آلایش -7-1
٦
2-1 آلایش هاله گون ...................................................................................................... 25 -7-1
2 مهندسی سورس / درین ................................................................................................ 27 -7-1
29 .......................... ( TCAD) 8-1 طراحی فناوری ساخت قطعات نیمه هادی به کمک کامپیوتر
1-8-1 فرآیند صنعتی طراحی ترانزیستورها .............................................................................. 30
31 ......................................................... ( TCAD) 2-8 طراحی ترانزیستور به کمک کامپیوتر -1
33 ................................................................. ( TCAD) 9-1 مشکلات طراحی به کمک کامپیوتر
1 اندازه گیری ................................................................................................................... 34 -9-1
2 مدلهای فیزیکی ............................................................................................................ 35 -9-1
1-2 مدلهای فرایند .......................................................................................................... 34 -9-1
2-2 مدلهای قابلیت حرکت .............................................................................................. 35 -9-1
3-2 اثرات مکانیک کوانتومی............................................................................................. 37 -9-1
10-1 خلاصه .......................................................................................................................... 37
فصل دوم : بررسی مهندسی کانال و آلایش هاله گون در ترانزیستور های تغییر مقیاس یافته
41 ..................................................................................... Retrograde 1-2 مهندسی کانال با آلایش
و آلایش یکنواخت در بستر .............................................................. 42 SSRW 2-2 مقایسه آلایش
50 ................................................................................................... SSRW 3-2 عملکرد ساختاری
4-2 آلایش هاله گون ............................................................................................................... 51
5-2 ساختار و عملکرد آلایش هاله گون .................................................................................. 55
فصل سوم : بهینه سازی آلایش هاله گون در سورس و درین
0میکرون............ 59 / های کوچکتر از 25 MOS 1-3 تاثیرآلایش هاله گون بر روی حاملهای داغ در
1 حاملهای داغ ................................................................................................................ 60 -1-3
2 تاثیر تغییر زاویه کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ .......................... 60 -1-3
3 تاثیر تغییر انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ ......................... 67 -1-3
4 تاثیر تغییر زاویه و انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ............. 71 -1-3
2-3 بررسی تاثیر حاملهای داغ بر عملکرد ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون با تغییر
و آلایش هاله گون ............................................................. 74 LDD سسس میزان ناخالصی در آلایش
بر عملکرد یک ترانزیستور .......................................................... 75 halo و ldd 1 بررسی اثر -2-3
٧
بر عملکرد یک ترانزیستور.................................................... 86 halo و ldd 2 بررسی کلی اثر -2-3
3-3 نتیجه گیری .......................................................................................................................... 90
فصل چهارم : بررسی شبیه سازی و نتایج حاصل از آن
با طول موثر کانال 100 میکرومتر و 90 نانومتر................. 93 nmos 1 شبیه سازی دو ترانزیستور -4
93 ...................................................................................... ID-VG و ID-VD 2 مقایسه منحنیهای -4
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه
نتیجه گیری................................................................................................................................. 104
پیشنهادات.................................................................................................................................... 105
خذ Ĥ منابع و م
فهرست منابع غیر فارسی ............................................................................................................. 106
چکیده انگلیسی

پایان نامه ارشد عمران تحلیل تغییرات بستر در محدوده آبگیرهای جانبی موجود در کانالهای قوسی در حالت آب صاف

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه ارشد عمران تحلیل تغییرات بستر در محدوده آبگیرهای جانبی موجود در کانالهای قوسی در حالت آب صاف دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

چکیده:

جریان در قوس رودخانه های طبیعی بسیار پیچیده بوده که از آن جمله می توان به وجود یک جریان حلزونی در آن اشاره کرد که از اندر کنش جریان ثانویه و جریان اصلی بوجود می آید. الگوی جریان در قوس به گونه ای است که جریان در سطح به سمت قوس خارجی و در کف به سمت قوس داخلی متمایل می باشد. با توجه به تحقیقات انجام شده، الگوی جریان در قوس، شرایط بهینه ای را برای آبگیری در امتداد قوس خارجی فراهم می نماید. بنابراین شناخت دقیقتر الگوی جریان و روند فرسایش و رسوبگذاری در محدوده آبگیر لازم به نظر می رسد. جهت رسیدن به این هدف، در تحقیق حاضر داده های آزمایشگاهی برداشت شده توسط پیرستانی ( 1383 ) از یک قوسی U شکل (180 درجه) با بستر متحرک در وضعیت آب صاف، واقع در آزمایشگاه تربیت مدرس با آبگیر جانبی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت.

بدین ترتیب جهت بررسی اثر تغییرات بستر ناشی از آبشستگی موضعی و نواحی محتمل فرسایش و رسوب گذاری با نرم افزاری های ArcGIS و Ansys و همچنین داده های آزمایشگاهی (پیرستانی 1383) به بررسی الگوی جریان تنش برشی و فشار و گرادیان سرعت در محدوده آبگیر در موقعیت 115 درجه پرداخته شده و نتایج نسبتا”قابل قبولی ارائه شده که در این پایان نامه به آن اشاره شده است.

مقدمه:

رودخانه ها یکی از مهمترین منابع حیاتی طبیعت هستند. رودخانه ها نه تنها در سیمای کلی سطح زمین نقش دارند، بلکه شکل زیستن انسان در کره زمین را تعیین می کنند. همواره در طول تاریخ بشر، رودخانه ها کانون توسعه بوده و تمدنهای کهن در کناره های آن شکل گرفته است (Morisw,1968).

از دیرباز مسئله انتقال آب از رودخانه ها برای مقاصد کشاورزی، شرب و بعدها به منظور استفاده در صنعت و نیز تأمین انرژی، معمول بوده است و می توان ادعا نمود که قدمت آن به قدمت تمدن بشر می رسد. در کنار مسئله انتقال آب همواره مشکل رسوبات وارده به کانالها و سیستمهای انتقال نیز وجود داشته که مسائل و مشکلات بسیاری به همراه دارد. بنابراین هدف طراحان، کاهش میزان رسوبات انتقال یافته، تا حد امکان می باشد. (صالحی نیشابوری و ایزدپناه 1375).

بنابراین جلوگیری از ورود رسوبات به داخل آبگیر و رودخانه (جریان اصلی) از مواردی می باشد که اهمیت بسزایی دارد و یکی از مواردی که باید توجه داشت کنترل جریان های ثانویه و جریان اصلی و کنترل حجم رسوب ورودی می باشد به جهت کاهش ورود رسوبات به حداقل رساندن آلودگی های یست محیطی می بایست راهکاری مناسب تمهیدات ویژه ای اتخاذ کرد بنابراین استفاده از مدل فیزیکی و تحلیلی و بررسی موارد ذکر شده انجام می گیرد.

فصل اول: کلیات و طرح موضوع

1-1) هدف

یکی از قدیمی ترین و در عین حال ارزانترین روشهای انتقال آب رودخانه برای مصارف گوناگون، ساخت آبگیرهای ثقلی می باشد. آبگیری از رودخانه با استفاده از نیروی ثقل که در گذشته به شکل شق نهر صورت گرفته است اکنون به یک سازه هیدرولیکی تکامل یافته با معیارهای طراحی تبدیل شده است.

با توجه به اینکه جریان رودخانه شامل رسوبات ریز و درشت دانه بوده و در مواقع سیلابی، دهانه ورودی می بایست دو وظیفه مهم زیر را انجام دهد (صفرزاده، 1383):

– جذب و کنترل جریان منحرف شده از رودخانه و هدایت آن به داخل کانال آبگیری

– جلوگیری از ورود رسوبات و اجسام شناور به داخل آبگیر

با توجه به مشکلات ورود رسوب به آبگیر، لازم است تا شرایطی فراهم شود تا جریان انحرافی به سمت آبگیر، دارای حداکثر دبی انحرافی با حداقل دبی رسوب باشد. مهمترین اقدام در این زمینه جانمایی مناسب آبگیر بر روی رودخانه می باشد. انتخاب صحیح محل انحراف در طرحهای آبرسانی از ملزومات است. یک محل مناسب خسارات مخرب ناشی از ورود رسوبات را به حداقل می رساند. همچنین یک انتخاب اشتباه در جانمایی به سختی می تواند پس از اجرای پروژه قابل جبران باشد. بنابراین اولین اقدام در طراحی، انتخاب محل مناسب برای انحراف است (پیرستانی، 1383).

آبشستگی گاهی به صورت غیر طبیعی و به دلیل تغییرات ایجاد شده توسط بشر ایجاد می شود، مثل ایجاد سازه های هیدرولیکی مختلف در مسیر رودخانه، گودال های ایجاد شده در اثر آبشستگی در اطراف این سازه ممکن است خطرات جدی را به همراه داشته باشد.

تجربه نشان داده که شکست های برشی، پدیده تراش ایجاد شده در اثر آبشستگی باعث خرابی در انتهای بستر محافظت شده گردیده است از این رو بررسی مکانیزم آبشستگی و روشهای جلوگیری از فرسایش در کانال رودخانه و مخصوصاً آبشستگی در پایین دست سازه های هیدرولیکی مانند دریچه های آبگیر، و کانال های آبگیر و حوضچه های آرامش، پایه های پل و… اهمیت زیادی برخوردار است.

بنابراین مساله اصلی که همان بررسی آبشستگی و تاثیر آن بر روی بستر که به دنبال انتقال آب از رودخانه معذل رسوب در مدخل آبگیر و آبسشتگی و تجمع رسوب در کانال می باشد.

از جمله جنب ههای مجهول طرح میتوان به عدد فرود و زاویه انحراف اشاره کرد که خود عدد فرود شامل Q (دبی) و عمق (Y) می باشد و نظر به اینکه هدف اصلی این تحقیق تاثیرگذاری پارامترهای هیدرولیکی و هندسی بر روی تغییرات بستر در محدوده آبگیرهای جانبی موجود در کانالهای قوسی است و کاهش رسوبات و احتمال وقوع آبشستگی است و بنابراین قابل ذکر است که تمامی مطالعات و کارکردها بر این اساس می باشد.

برخی از پارامترهای موثر در انتقال رسوب با توجه به جریان موجود در آبگیرهاعبارتتند از:

دبی ورودی رودخانه؛ محل مناسب آبگیر؛ زاویه انحراف آبگیر؛ عرض آبگیر؛ شعاع انحنای رودخانه؛ میزان بار رسوبی (اندازه و وزن مخصوص)؛ سازه های پایین دست ابگیر و شرایط جریان بالا دست؛ میزان زبری کف رودخانه؛ هندسه ورودی آبگیر عرض کانال انحرافی BD.

فرمت :pdf

تعداد صفحه :۱۵۷

پایان نامه تحلیل تغییرات بستر در محدوده آبگیر های جانبی موجود در کانال های قوسی در حالت آب صاف (با استفاده از داده های آزمایشگا

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه تحلیل تغییرات بستر در محدوده آبگیر های جانبی موجود در کانال های قوسی در حالت آب صاف (با استفاده از داده های آزمایشگاهی) دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

این فایل در قالب  پی دی اف و 157 صفحه می باشد.

این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی عمران طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

چکیده 

جریان در قوس رودخانه های طبیعی بسیار پیچیده بوده که از آن جمله می توان به وجود یک جریان حلزونی در آن اشاره کرد که از اندر کنش جریان ثانویه و جریان اصلی بوجود می آید. الگوی جریان در قوس به گونه ای است که جریان در سطح به سمت قوس خارجی و در کف به سمت قوس داخلی متمایل می باشد. با توجه به تحقیقات انجام شده، الگوی جریان در قوس، شرایط بهینه ای را برای آبگیری در امتداد قوس خارجی فراهم می نماید. بنابراین شناخت دقیقتر الگوی جریان و روند فرسایش و رسوبگذاری در محدوده آبگیر لازم به نظر می رسد. جهت رسیدن به این هدف، در تحقیق حاضر داده های آزمایشگاهی برداشت شده توسط پیرستانی ( ۱۳۸۳ ) از یک قوسی U شکل (۱۸۰ درجه) با بستر متحرک در وضعیت آب صاف، واقع در آزمایشگاه تربیت مدرس با آبگیر جانبی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت.

بدین ترتیب جهت بررسی اثر تغییرات بستر ناشی از آبشستگی موضعی و نواحی محتمل فرسایش و رسوب گذاری با نرم افزاری های ArcGIS و Ansys و همچنین داده های آزمایشگاهی (پیرستانی ۱۳۸۳) به بررسی الگوی جریان تنش برشی و فشار و گرادیان سرعت در محدوده آبگیر در موقعیت ۱۱۵ درجه پرداخته شده و نتایج نسبتا”قابل قبولی ارائه شده که در این پایان نامه به آن اشاره شده است.

بررسی امواج ناشی از شکست سد بر روی بستر کانال

اختصاصی از کوشا فایل بررسی امواج ناشی از شکست سد بر روی بستر کانال دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

 

 

 

 

 

بررسی امواج ناشی از شکست سد بر روی بستر کانال

Investigating waves of dam break In channel bottom

 

فرمت :pdf
تعداد صفحه :۱۱۳

تغذیه گاوهای پرواری با محتویات بستر طیور گوشتی

اختصاصی از کوشا فایل تغذیه گاوهای پرواری با محتویات بستر طیور گوشتی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

مقاله با عنوان تغذیه گاوهای پرواری با محتویات بستر طیور گوشتی در فرمت ورد در 15 صفحه و شامل مطالب زیر می باشد:

تغذیه گاوهای پرواری با محتویات بستر طیور گوشتی
بطور کلی استفاده از بستر جوجه های گوشتی در تغذیه گاو شامل 3 سودمندی اولیه می باشد
آئین نامه های استفاده از بستر جوجه های گوشتی در تغذیه
ارزش غذائی بستر جوجه های گوشتی
رطوبت
TDN
پروتئین خام (CP )
نیتروژن نامحلول
فیبر خام ( CF )
مواد معدنی (Minerals )
خاکستر ( Ash )
فرآوری و انبار کردن بستر جوجه های گوشتی
برای فرآوری بستر طیور به عنوان یک ترکیب خوراکی یکی از روشهای زیر را می توان مورد استفاده قرار داد
جیره های پیشنهادی
نتیجه
منبع