پایان نامه سنتز و ساخت قطعات از نانو ذرات زیرکونیا و محلولهای جامد آن جهت استفاده در پیلهای سوختی اکسید جامد

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه سنتز و ساخت قطعات از نانو ذرات زیرکونیا و محلولهای جامد آن جهت استفاده در پیلهای سوختی اکسید جامد دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:167

پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی مواد(سرامیک)

فهرست مطالب:

فصل اول : مقدمه    1
1-1-  مقدمه    2
فصل دوم : مروری برمنابع مطالعاتی    5
2-1-  فناوری نانو    6
2-2- خواص نانوذرات    7
2-3- روشهای تولید نانو ذرات    7
2-4- کاربرد نانو تکنولوژی    8
2-5- نانو کامپوزیت های سرامیکی    10
2-5-1- طبقه بندی نانو کمپوزیت های سرامیکی    10
2-5-2-  خواص و کاربرد نانو کامپوزیتهای سرامیکی    11
2-6- نانو محلولهای جامد سرامیکی    11
2-6-1- محلول جامد از نوع  بین نشینی    11
2-6-2- محلول جامد از نوع جانشینی    11
2-6-2-1- انواع محلول جامد جانشینی    11
2-6-3- خواص مکانیکی محلول های جامد    12
2-6-4- محلولهای جامد فوق اشباع    12
2-7- روشهای سنتز نانو محلول های جامد سرامیکی    12
2-7-1- آلیاژ سازی مکانیکی    12
2-7-2- سل- ژل    13
2-7-3- رسوبی و همرسوبی (رسوبگذاری)    14
2-8-  پیل سوختی چیست؟    15
2-9- تاریخچه پیل سوختی    18
2-10- انواع پیل های سوختی    19
2-10-1- پیل سوختی اسید فسفریک  (PAFC)    19
2-10-2- پیل سوختی قلیایی (AFC)    20
2-10-3- پیل سوختی کربنات  مذاب (MCFC)    20
2-10-4- پیل  سوختی الکترولیت پلیمر یا غشای مبادله کننده پروتون(PEFC)    21
2-10-5- پیل  سوختی  اکسید جامد (SOFC)    22
2-10-5-1- تاریخچه پیل ‌سوختی اکسید جامد (SOFC)    22
2-10-5-2- وظیفه صفحات الکترود متخلخل در پیل ‌سوختی اکسید جامد شامل موارد زیر است    24
2-10-5-3- روابط و واکنشهای موجود در یک پیل سوختی اکسید جامد    24
2-10-5-4- نیروی الکتروموتیو (EMF) و معادله  نرنست برای پیل های سوختی اکسید جامد    25
2-10-5-5- پتانسیل الکتروشیمیایی و رسانایی یونی در پیل های سوختی اکسید جامد    26
2-10-5-6- محاسبه رسانایی الکتریکی و مقاومت الکتریکی برای پیل های سوختی اکسید جامد    26
2-10-5-7-  جزئیات عملکرد پیل های سوختی اکسید جامد    26
2-11-  مقایسه کلی بین پیل های سوختی از نظر دمای کارکرد و  بازده و توان تولیدی    29
2-12- مزایا و معایب پیل های سوختی    30
2-13- موانع پیش روی استفاده از پیل های سوختی    31
2-14-  کاربرد های  پیل سوختی    32
2-15- زیرکونیا    33
2-15-1- خواص  فیزیکی، مکانیکی، و شیمیائی زیرکونیا    33
2-15-2- پلی مورف های زیرکونیا    34
2-15-2-1-  فاز مونوکلینیک زیرکونیا    34
2-15-2-2- فاز تتراگونال زیرکونیا    35
2-15-2-3- فاز مکعبی زیرکونیا    35
2-15-3- کاربرد های زیرکونیا    35
2-15-3-1- کاربرد های مبتنی بر خواص الکتریکی زیرکنیا    36
2-15-3-2- کاربرد های مبنی بر دیرگدازی زیرکونیا    36
2-15-3-3- کاربرد های مبتنی بر خواص مکانیکی    37
2-16- مقدمه ای برآند پیل سوختی اکسید جامد    37
2-17- ناحیه سه فازی درآند    38
2-18-  انواع مواد آندی    39
2-18-1-  سرمتYSZ  –Ni    39
2-18-2- فلورایت ها    41
2-18-3- مواد آندی پروسکایت    44
2-18-4- مواد آندی تنگستن برنز    48
2-18-5- مواد آندی پیروکلر    49
2-18-6- مواد آندی سولفور آزاد    50
2-19- توسعه سینتیک و مکانیسم واکنش و مدل آند ها    51
2-20- توسعه تکنولوژی های ارزان قیمت برای تولید و ساخت آند    55
فصل سوم : فعالیت های آزمایشگاهی    58
3-1- مواد اولیه مورد استفاده    59
3-2- روش کار    60
3-2-1- مراحل سنتز پودر (AZ)    60
3-2-1-1- مرحله اول: اختلاط مواد اولیه    61
3-2-1-2- رفلاکس سیستم    61
3-2-1-3- مرحله سوم: سانتریفیوژ محلول    62
3-2-1-4- مرحله ی چهارم : شستشو رسوب بدست آمده    62
3-2-1-5- مرحله پنجم: خشک کردن و عملیات حرارتی اولیه    62
3-2-2- سنتز پودر AZN))    62
3-2-3- سنتز پودر (AZNC)    63
3-3- تهیه و ساخت آند پیل سوختی اکسید جامد    64
3-3-1- روش خشک    65
3-3-1-1- تخلخل زای: PVA (پلی ونیل استات)    65
3-3-1-2- تخلخل زای: T.P.P (تری فنیل فسفین)    67
3-3-1-3- تخلخل زای :خاک اره    68
3-3-1-4- تخلخل زای:CMC  (کربوکسی متیل سلولز)    69
3-3-1-5- تخلخل زای: نمک طعام  (NaCl )    70
3-3-1-6- تخلخل زای:  شکر    70
3-3-1-7- تخلخل زای: اوره Urea    71
3-3-1-8- تخلخل زای:PEG  (پلی اتیلن گلیکول)    72
3-3-1-9- تخلخل زای :MC  (متیل سلولز)    73
3-3-1-10- تخلخل زای: مخلوط PVA و T.P.P    74
3-3-1-11- تخلخل زای : مخلوط T.P.P وMC    75
3-3-1-12- تخلخل زای: اختلاط  PVAو  PEG    75
3-3-1-13- تخلخل زای: PEG وMC    76
3-3-1-14- تخلخل زای: PEG وT.P.P    76
3-3-1-15- تخلخل زای: PVA، PEG، MC    77
3-3-1-16- تخلخل زا ی : PVA،PEG ، T.P.P    77
3-3-2- روش تر    78
3-3-2-1- تخلخل زای: PVA (پلی ونیل استات)    78
3-3-2-2- تخلخل زای : T.P.P (تری فنیل فسفین)    80
3-3-2-3- تخلخل زای:  MC(متیل سلولز)    82
3-3-2-4- تخلخل زا:PEG  (پلی اتیلن گلیکول)    83
3-3-3- ساخت آند نهایی توسط PEG    85
3-4- اندازه گیری چگالی قطعات ساخته شده    87
3-4-1- دانسیته ارشمیدسی    87
3-4-2-  دانسیته معمولی    87
3-5- تجهیزات مورد استفاده    88
3-5-1- آنالیز براش اشعه ایکس (XRD)    88
3-5-2- آنالیز طیف سنجی مادون قرمز فوریه (FTIR)    88
3-5-3- آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آنالیز (EDX)    88
3-5-4- آنالیز UV-vis    88
3-5-5- آنالیزمیکروسکوپ الکترونی عبوری TEM    88
فصل چهارم : نتایج و بحث    90
4-1- بررسی خواص فیزیکی وشیمیایی پودرسنتزشده    91
4-1-1- بررسی نتایج حاصل ازآنالیزتفرق اشعه ی ایکس    91
4-1-1-1- نمونهAZ    91
4-1-1-2- نمونه : AZN    96
4-1-1-3- نمونه AZNC    97
4-1-2- ارزیابی تثبیت فازی در نمونه های تهیه شده، با استفاده از آنالیز پراش اشعه ی ایکس    98
4-1-2-1- نمونه AZ    99
4-1-2-2-  نمونه AZN    99
4-1-2-3-  نمونه AZNC    100
4-1-2- نتایج حاصل از طیف سنجی مادون قرمز    101
4-1-2-1- نتایج حاصل از طیف سنجی مادون قرمزنمونه AZ    101
4-1-2-2- نتایج حاصل از طیف سنجی مادون قرمز نمونه AZN    103
4-1-2-3- نتایج حاصل از طیف سنجی مادون قرمز نمونه AZNC    104
4-1-3- نتایج حاصل از آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشیSEM  و عبوری TEM    105
4-1-3-1- نتایج آنالیز SEM  برای نمونه AZ    106
4-1-3-2-  نتایج آنالیز  TEMبرای نمونه AZ    108
4-1-3-3- نتایج آنالیز  SEMبرای نمونه  AZN    109
4-1-3-4- نتایج آنالیز  TEMبرای نمونه AZN    111
4-1-3-5- نتایج آنالیز  SEM برای نمونه AZNC    112
4-1-3-6- نتایج آنالیز  TEMبرای نمونهAZNC    114
4-1-4- نتایج حاصل از تست EDX    115
4-1-4-1- نتایج حاصل از تست EDX برای نمونه AZ    115
4-1-4-2- نتایج حاصل از تست EDX برای نمونهAZN    116
4-1-4-3- نتایج حاصل از تست  EDXبرای نمونه AZNC    116
4-1-5- نتایج حاصل از تست UV-vis    117
4-1-5-1- نتایج حاصل از تست UV-vis برای نمونه AZ    117
4-1-5-2- نتایج حاصل از تست UV-vis برای نمونه AZN    118
4-1-5-3- نتایج حاصل از تست UV-vis برای نمونه AZNC    119
4-1-6-  نتایج حاصل از قطعات ساخته شده به روش اختلاط خشک    121
4-1-6-1- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای PVA    121
4-1-6-2- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای T.P.P    121
4-1-6-3- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با خاک اره    121
4-1-6-4- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با CMC    121
4-1-6-5- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با نمک طعام    121
4-1-6-6- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با شکر    121
4-1-6-7- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با اوره    122
4-1-6-8- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با PEG    122
4-1-6-9- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با MC    122
4-1-6-10- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با PVA و T.P.P    122
4-1-6-11- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با MC و T.P.P    122
4-1-6-12- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با  PVA و PEG    122
4-1-6-13- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با  PEGوMC    122
4-1-6-14- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با PEG  و T.P.P    123
4-1-6-15- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با  PEGو PVA و MC    123
4-1-6-15- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با  PEGو PVA و T.P.P    123
4-1-7-  نتایج حاصل از اختلاط تخلخل زا ها با حلال برای تهیه یک تخلخل زای مناسب    123
4-1-7-1-  نتایج حاصل از اختلاط تخلخل زای  PVA و حلال    123
4-1-7-2-  نتایج حاصل از اختلاط تخلخل زای  T.P.P و حلال    124
4-1-7-3-  نتایج حاصل از اختلاط تخلخل زای  MCو حلال    124
4-1-7-4-  نتایج حاصل از اختلاط تخلخل زای  PEGو حلال    124
4-1-8-  نتایج حاصل از قطعات ساخته شده به روش اختلاط تر    125
4-1-8-1- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای PVA   به روش اختلاط تر    125
4-1-8-2- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای T.P.P به روش اختلاط تر    125
4-1-8-3- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای MC  به روش اختلاط تر    125
4-1-8-4- نتایج حاصل از قطعات ساخته شده با تخلخل زای PEG  به روش اختلاط تر    125
4-9-1- نتایج حاصل از دانسیته ارشمیدسی برای قطعات    126
4-10-1- نتایج حاصل از دانسیته معمولی برای قطعات    127
فصل پنجم : نتیجه گیری وپیشنهادات    128
5-1- نتیجه گیری نهایی    129
5-2-  پیشنهادات    130
مراجع    131


فهرست جداول
جدول 2-1 : مقایسه کلی انواع پیل های سوختی رانشان می دهد…………………………………..    30
جدول 3-1:مواد مصرفی برای سنتز پودر…………..……………………………………………………….    59
جدول 3-2:مقادیر افزودنPVA به AZ به روش خشک…………..………………………..………….    66
جدول 3-3:مقادیر افزودن T.P.P به AZ به روش خشک…………..………………………………….    68
جدول 3-4:مقادیر افزودن خاک اره به AZ …………..………………………..………………………….    69
جدول3-5: مقادیر افزودن …………….……..………………………………..……………………… CMC     69
جدول 3-6:میزان افزودن  نمک طعام به …………..………….…………………………..………… AZ    70
جدول3-7:میزان افزودن  شکر به ………………………………..…..………………………………….AZ    71
جدول3-8:میزان افزودن اوره به ……………………….…………….………………………………….AZ    72
جدول3-9:میزان افزودنPEGبه ……………………………………..………………………………….AZ    73
جدول3-10: میزان افزودن  MCبه …………..……………………………..………………………….AZ    74
جدول3-11: میزان افزودن  PVAو T.P.Pبه …………..………………………..………………….AZ    74
جدول3-12: میزان افزودن MC وT.P.P به …………..……………………………..……………….AZ    75
جدول3-13:میزان افزودن PVA و PEGبه …………..……………………………………………….AZ    85
جدول 3-14: میزان افزودنPEG  و  MCبه …………..………………….………………………….AZ    76
جدول 3-15: میزان افزودن PEG و T.P.Pبه …………..…………………..……………………….AZ    76
جدول 3-16:  میزان افزودن  PVAوPEG وMC به  …………..………………………………….AZ    77
جدول 3-17: میزان افزودن PVA ,PEG, T.P.P به …………..………………………………….AZ    77
جدول 3-18: میزان افزودنPVA  به AZ به روش تر…………..………….………………………….    79
جدول3-19: زمانهای و دماهای اختلاط  PVA با آب مقطر.……..………………………………….    79
جدول3-20: زمانها و دماهای اختلاط T.P.P با اتانول…………..……………………………….…….    81
جدول 3-21: ترکیب مقادیر مختلف T.P.P و AZ  بصورت تر…………..………………………….    82
جدول3-22: مقادیر، دماها و زمانهای اختلاط MC با آب مقطر…..………………………………….    82
جدول 3-23: مقادیر اختلاطMC  و …………..……………………………………………………….AZ    83
جدول3-24:مقادیر دماها و زمانهای حل شدن  PEGدر آب.…..…………………………………….    83
جدول3-25: مقادیر افزودن PEG به AZ به روش تر…………..……………..……………………….    84
جدول 3-26: اندازه و شرایط نهایی قطعات ساخته شده…………...………………………………….    85
جدول 3-27: علائم اختصاری برای نمونه های تهیه شده در مراحل مختلف…………………….    89
جدول 4-1: میانگین اندازه بلورک برای نمونه AZ از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد………….    95
جدول 4-2: میانگین اندازه بلورک برای نمونه AZN از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد..    97
جدول 4-3: میانگین اندازه بلورک برای نمونه AZNC از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد………….    98
جدول4-4: درصد وزنی و مقدار مول عناصر نمونه ……………………………………………….AZ    115
جدول4-5: درصدوزنی ومقدارمول عناصرنمونه …………..…..……………………………….AZN    116
جدول4-6: درصد عناصر و مقدار مول نمونه …………..…….……………………………….AZNC    117
جدول4-7: مقادیر چگالی قطعات به روش ارشمیدسی……………..………………………………….    126
جدول 4-8: اندازه گیری دانسیته قطعات به روش محاسبه ای…………..……………………………    127



فهرست اشکال
شکل2-1: شماتیک از ابعاد ماده از1 متر تا1 نانومتر…………………………..………..………………………………….    6
شکل2-2: طبقه بندی نانوکامپوزیت های  پایه سرامیکی……………………………..………………………………….    10
شکل2-3: شماتیک فرایند سل-ژل برای تولید نانو مواد…………..……………….…………………………………….    13
شکل2-4: شماتیک فرآیند استوالد……………………….....………………………………………………………………….    14
شکل2-5: مکانیسم تشکیل همگن ذرات در محلول…………..…………………….…………………………………….    15
شکل 2-6: شمای کلی یک پیل سوختی…………..…………………………………………….…………………………….    16
شکل2-7: نمای کلی یک پیل‌سوختی به همراه گازهای واکنش دهنده و تولید شده و مسیر حرکت یونها…………    16
شکل2-8:  شماتیک طرز کار پیل سوختی…………………………………………….…..………………………………….    17
شکل2-9: شماتیک اولین پیل سوختی ساخته شده توسط سر ویلیام گرو…………..…………………..………….    19
شکل2-10: واکنشهای انجام شده درپیل سوختی اسیدفسفریک…………..…………………..……………………….    20
شکل2-11: واکنشهای انجام شده در پیل سوختی قلیایی…………..…………………………………………………….    20
شکل2-12: واکنش های انجام شده درپیل سوختی کربنات مذاب…………..…………………….………………….    21
شکل2-13: واکنش های انجام شده در پیل سوختی پلیمری…………..……………………….……………………….    21
شکل 2-14: نمای کلی یک پیل سوختی اکسید جامد…………..………………………..……………………………….    23
شکل2-15: واکنش های انجام شده در پیل سوختی اکسید جامد…………..………………………………………….    23
شکل 4-16 : شماتیک آند و کاتد و الکترولیت و ورودی و خروجی یک پیل سوختی اکسید جامد..……...    24
شکل2-17: شماتیک  نحوه عملکرد یک پیل سوختی اکسید جامد…………..……………………………………….    27
شکل2-18: شماتیک یک منحنی قطبش ایده آل…………..…………………….………………………………………….    28
شکل2-19: ساختار فاز مونوکلینیک ………………………………………………..………………………………….ZrO2    34
شکل2-20: ساختار فاز تتراگونال …………………………………………………...………………………………….ZrO2    35
شکل2-21: ساختار فاز کیوبیک ……………………………………………………..………………………………….ZrO2    35
شکل2-22: شماتیک ناحیه سه فازی…………..…………………………………………………..………………………….    39
شکل2-23: ساختارفلورایت مکعبی ایده آل………………………………………………………………………………….    42
شکل2-24 :سلول واحد ساختار پروسکایت …………..………………………………………………………….ABO3    44
شکل2-25 : ساختار تنگستن برنز…………………………………………………………..………………………………….    49
شکل2-26 : ساختار A2B2O7 پیروکلر…………..…………………………………………..……………………………….    50
شکل2-27: شماتیکی از واکنشهای محتمل برای اکسایش H2 در حضور، آند-الکترولیت………………….….    53
شکل2-28: شماتیکی از مکانیسم جذب سطحی در آندهای …………..………………………………….Ni/YSZ    53
شکل 3-1: فلوچارت کلی روش کار…………………………………………………..…..………………………………….    60
شکل 3-2: فلوچارت تهیه ی پودر (AZ). …………..……………………………………………………………………….    61
عکس 3-3 : فلوچارت آماده سازی و سنتز پودر…………..……………………………………………………….AZN    63
فلوچارت 3-4: مراحل آماده سازی پودر…………..……………………………………………..……………….AZNC    64
فلوچارت 3-5: روش کلی ساخت آند…………..…………………………………………………..……………………….    65
فلوچارت 3-5:مرحله اختلاف مواد اولیه………………………………………………….………………………………….    65
شکل 3-6: فلوچارت عملیات حرارتی نمونه حاضر شده به روش اختلاط خشک…………....……….……….    67
شکل3-7: فلوچارت عملیات حرارتی نمونه های حاضر شده به روش اختلاط تر………………………………..    80
شکل3-8: فلوچارت جزئیات روش تر…………..…………………………………………………………………………….    84
تصویر3-9: قطعات نهایی ساخته شده…………..……………………………………………………….…………………….    86
تصویر3-10: قطعات نهایی ساخته شده…………………………………………………….………………………………….    86
تصویر3-11: قالب نهایی ساخت قطعات…………..………………………………………………………………………….    86
شکل4-1: الگوی پراش اشعه ایکس پودر AZدر دمای500 درجه سانتیگراد…………………….………………….    91
شکل4-2: الگوی پراش اشعه ی ایکس برای پودر AZ در 800 درجه سانتیگراد…………………………….……    92
شکل 4-3: الگوی پراش اشعه ایکس برای پودر AZ در دمای 1000 درجه سانتیگراد…………………………..    93
شکل 4-4: الگوی پراش اشعه ایکس برای پودر AZ در دمای 1200 درجه سانتیگراد…………………………..    93
شکل 4-5 : الگوی پراش اشعه ایکس برای پودر AZ در دمای 1400 درجه سانتیگراد….……………………..    94
شکل4-6: مقایسه ی الگوهای پراش اشعه ی ایکس برای پودر AZ از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد……………….    95
شکل4-7: مقایسه ی الگوهای پراش اشعه ی ایکس برای پودر AZN از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد…………….    96
شکل 4-8 : آنالیز پراش اشعه ی ایکس برای پودر AZNC از دمای 500 تا 1400 درجه سانتیگراد…….….    97
شکل 4-9: الف) نمونهAZ  عملیات حرارتی شده در 1400 درجه ی سانتیگراد ، ب) نمونه  AZسرد شده تا دمای محیط…..……    99
شکل 4-10: الف) نمونه AZN عملیات حرارتی شده در 1400، ب) نمونه AZN سرد شده تا دمای محیط…..…………    100
شکل 4-11:الف) نمونه AZNC عملیات حرارتی شده در 1400 ،ب) نمونه AZNC سرد شده تا دمای محیط……..….    100
شکل 4-12: آنالیز FTIR برای نمونه AZ در دمای الف) دمای محیط (بدون عملیات حرارتی)، ب)1200درجه سانتیگرا…………    102
شکل 4-13: آنالیز FTIR برای نمونه AZN دردمای الف) دمای محیط(بدون عملیات حرارتی)، ب)1200 سانتیگراد…..    103
شکل 4-14: آنالیز FTIRبرای نمونه  AZNCدر دمای الف) بعد از خشک،  ب) 1200درجه سانتیگراد.....    104
تصویر4-15: تصویر SEM از سطح شکست قطعه AZ در دمای500 درجه سانتی گراد، وبزرگنمایی………    106
شکل 4-16 : تصویر SEM از سطح شکست قطعه AZ در دمای1200درجه سانتی گراد و بزرگنمایی…….    107
شکل4-17: تصویر SEM از پودر  AZدر دمای 500 درجه سانتی گراد و بزرگنمایی15000………………….    108
شکل4-18: تصویر  TEMبرای محلول جامد  AZدر دمای500 درجه سانتی گراد……………….……………...    108
تصویر4-19: تصویر SEM از سطح شکست قطعه AZN در دمای500 و بزرگنمایی……………………….…..    109
شکل 4-20 : تصویر SEM از سطح شکست قطعه AZN در دمای1200 و بزرگنمایی…………………….……    110
شکل4-21: تصویر SEM پودرAZN در دمای500 درجه سانتی گراد و بزرگنمایی15000………………..…..    111
شکل4-22: تصویر  TEMبرای محلول جامد AZN در دمای500 درجه سانتی گراد……………....…………..    111
شکل4-23: تصویر SEM سطح شکست قطعه AZNC در دمای 500 و بزرگنمایی……………………………..    112
شکل 4-24 : تصویر SEM از سطح شکست قطعه AZNC در دمای1200درجه سانتی گراد و بزرگنمایی………………    113
شکل4-25: تصویر SEM پودرAZNC در دمای500 درجه سانتی گراد و بزرگنمایی15000……….…..……    114
شکل4-26: تصویر  TEMبرای محلول جامد AZN در دمای500 درجه سانتی گراد…………….……..……….    114
شکل4-27: آنالیز UV-vis برای نمونه AZ در دماهای الف) بعد از سنتز ب)1200 ج)1400درجه سانتی گراد………….    118
شکل4-28: آنالیز UV-Vis برای نمونه AZN در دماهای الف) بعد از سنتز ب)1200 ج)1400درجه سانتی گراد………    119
شکل4-29: آنالیز UV-vis برای نمونه AZNC در دماهای الف) بعد از سنتز ب)1200 ج)1400درجه سانتی گراد…….    120

چکیده:
نانومحلول های  جامد Al/ZrO2 وAl -Ni/ZrO2  و Al-Ni-Cu/ZrO2 به روش سنتز هم رسوبی با استفاده از هیدرولیز نمک های زیرکونیوم، آلومینیوم، نیکل و مس در اتانول آماده سازی شدند. محلول های جامد تهیه شده دردماهای مختلف و تحت اتمسفر هوا عملیات حرارتی شدند.و نقش عملیات حرارتی در تثبیت فاز مونوکلینیک در دماهای مختلف توسط XRD بررسی شد. خواص فیزیکی و شیمیایی نانومحلول های جامد تهیه شده توسط آنالیزهای FTIR ,UV-vis ,TEM ,SEM و EDX مورد بررسی قرارگرفت. باتوجه به نتایج آنالیز XRDتثبیت فازمونوکلینیک در محلول جامد صورت گرفته و نتایج SEM مورفولوژی کروی و یکنواختی اندازه ذرات رابرای نمونه های تهیه شده نشان می دهند. پودر های تهیه شده به منظور تولید مواد پایه آند پیل سوختی اکسید جامد، به روش تر و باتخلخل زای پلی اتیلن گلیکول مخلوط شده و توسط پرس هیدرولیک یکطرفه شکل دهی شدند و استحکام و دانسیته در آنها به مقدار بهینه رسید. دانسیته نسبی برای بهترین نمونه مقدار062/3 گرم برسانتی متر مکعب بدست آمد و تخلخل نمونه ها در حدود40-50 درصد محاسبه شد.

کلید واژه : نانو محلول جامد- پیل سوختی اکسید جامد- زیرکونیا – آند

فصل اول
مقدمه

1-1-  مقدمه
     انرژی از دیر باز به عنوان موتور محرک جوامع بشری شناخته شده است و با پیشرفت بشر بر اهمیت و تأثیر گذاری آن در زندگی بشر افزوده شده است. بر این اساس هیدروژن به عنوان یکی از سوختهای پاک یکی از بهترین گزینه ها جهت ایفای نقش حامل انرژی در این سیستم جدید ارائه انرژی می  باشد ]1[. بشردرآینده ای نه چندان دورعصر هیدروژن راتجربه خواهدکرد]1و2[. عمل تبدیل انرژی شیمیایی موجود در هیدروژن به انرژی الکتریکی توسط دستگاهی به نام پیل سوختی انجام می پذیرد]3[. پیل های سوختی در کاهش آلودگی محیط زیست نقش به سزایی را ایفا می کنند و به خاطر عدم به کارگیری قطعات  مکانیکی زیاد ایجاد آلودگی صوتی نیز نمی نمایند]3[. پیل های سوختی به عنوان یک منبع بسیار ایده آل انرژی برای استفاده های ساکن وغیر ساکن ، نظیر حمل ونقل و نیرو گاه ها می باشند .در این بین پیل های سوختی اکسید جامد (SOFCs) بدلیل مزایایی نظیر قیمت ارزانترمواد مورد استفاده درآنها، حساسیت کمتر به ناخالصی های گاز هیدروژن وکارایی بسیار بالاتر یکی از جذاب ترین انواع پیل های سوختی می باشد. این پیل های سوختی به دلیل اینکه هیدروژن ورودی به آنها نیاز به هیچ گونه تغییر و خالص سازی اولیه  ندارد، به شدت از نظر قیمت نسبت به سایر پیل های سوختی ارزان تر می باشند]4[. پیل های سوختی اکسید جامد از سه بخش آند و کاتد و الکترولیت تشکیل شده اند. اساس عملکرد یک پیل سوختی اکسید جامد شامل احیای یک اکسنده (O2) درکاتد و اکسایش یک سوخت (H2) در آند می باشد. در این پیل ها نیاز به یک الکترولیت هادی یون اکسیژن و پروتون، برای واکنشهای الکتروشیمیایی اکسایش و کاهش اکسیژن و هیدروژن، انجام شده درالکترودها می باشد]5[.
     امروزه در پیل های سوختی اکسید جامد بطور گسترده از هیدروژن به عنوان سوخت استفاده می شود. هیدروژن از منابع مختلف مانند: گازطبیعی، گازهای سنتزی حاصل از تبخیر منابع کربنی و زغال وغیره بدست می آید. هیدروکربنها نیز بطور گسترده به عنوان سوخت این پیل ها رواج پیداکرده اند. سوختهای هیدروکربنی معمولا در دماهای بالای عملکرد پیل سوختی اکسید جامد ناپایدارند و برروی آند به هیدروژن و کربن تبدیل می شوند. سوختهای هیدروکربنی بطور معمول مقدارکمی سولفوربه همراه دارند. کربن حاصل از تجزیه هیدروکربنها و سولفور موجود درآنها مشکلاتی برای عملکردپیل  ایجاد می کنند. برای جلوگیری از نشست کربن در سطح آند معمولا مقداری بخاراضافه به همراه گاز استفاده می شود و همچنین تغیراتی نیز در ترکیبات موادآندداده میشود. برای جلوگیری از سمی شدن پیل توسط سولفور معمولا سوخت را سولفور زدایی می کنند]5[.
     در سالهای اخیر تحقیقات گسترده ای بر روی مواد، کاتالیزورها، علوم سطح و خواص الکتروشیمیایی آندها انجام شده است] 4[. آندهای مورد استفاده در پیل های سوختی اکسید جامد از مواد و تنوع وگستردگی فراوانی برخوردارند. و از روشهای ساخت و سنتزمختلفی برای سنتزپودر و ساخت این آندها استفاده می شود. دوویژگی برجسته آند این پیل ها برای انتخاب ماده مناسب برای آند برای کارکردمناسب، الف)رسانایی یونی، ب)رسانایی الکترونی می باشد. زیرکونیا به عنوان یک ماده که به طور ذاتی دارای نقص جای خالی در ساختارمی باشد، یکی ازبهترین گزینه ها برای استفاده درآند این پیل ها می باشد.
     در این تحقیق از سنتز هم رسوبی برای تهیه محلولهای جامد استفاده شد. این روش بدلیل تولید ترکیباتی همگن و با خلوص بسیار بالا ، از اهمیت بسیار زیادی برخوردار بوده و علاوه بر آن کنترل اندازه دانه نیز در این روش بسیار آسان است]12[. هنگامی که زیرکونیا در دماهای پایین به روش هم رسوبی سنتز می شود امکان پایداری فاز تتراگونال به PH و هیدرولیز کننده مورد استفاد،وابسته می شود. در این تحقیق به روش سنتز همرسوبی، 3 محلول جامد، الف)Al-Zr، ب)Al-Zr-Ni،
ج)Al-Zr-Ni-Cu تهیه و آماده سازی شد. این محلول های جامد به عنوان مواد جدید برای استفاده در آند پیل های اکسید جامد طراحی و آماده شدند. ارزان بودن، غیرسمی بودن، سنتزآسان، تکرارپذیری تولید از جمله مزایای این مواد است. یکی از موارد مهم برای تولید و ساخت آندها در پیل سوختی اکسیدجامد، متخلخل بودن این آندها می باشد. این آندها باید دارای تخلخل با اندازه و توزیع یکنواخت باشند. که به این منظور از موادی مانند کربن و مواد دیگری برای متخلخل سازی استفاده می کنند]13[. دراین تحقیق برای متخلخل سازی آند چند نوع مختلف تخلخل زای، ارزان  قیمت و مناسب در آند استفاده شد. که نهایتا منجر به به استفاده از  PEGبه عنوان تخلخل ساز مناسب شد.پس از سنتز و تهیه محلول های جامد، موادحاصل ابتدا در دمای 500 درجه سانتیگراد عملیات حرارتی شدند و سپس برای تعیین تثبیت فازی و زینترینگ نهایی در دماهای800 و1000 و1200 و1400 درجه سانتی گراد عملیات حرارتی شدند.پس ازآن پودرهای حاصل با دو روش تر و خشک با چند نوع تخلخل زا ترکیب و با روش پرس هیدرولیک یکطرفه شکل دهی شده و عملیات حرارتی نهایی در1400 درجه سانتیگراد بر روی آنها صورت گرفت. قطعات آندی که دارای تخلخل مناسب و توزیع و اندازه تخلخل یکنواخت و استحکام کافی بودند، انتخاب شده و چگالی آنها به روش ارشمیدس اندازه گیری شد.
     در فصل دوم این پایانامه مفاهیمی در مورد نانو فناوری و نانو محلول جامدها ارائه گردیده است. در ادامه مفاهیم کلی و واکنشهای انجام شده در انواع پیل های سوختی شرح داده شده است.
سپس مفاهیم کلی و عمومی در موردآندهای پیل سوختی اکسید جامد، روشهای ساخت و مواد بکار برده شده در آنها، مورد بحث و بررسی قرارگرفته است. درفصل سوم ابتدا به مواد مورد استفاده در این پروژه پرداخته شده است. در ادامه روشهای انجام آزمایش(مواد و تجهیزات)ارائه داده شده و در بخش آخر دستگاهها و لوازم مورد استفاده جهت بررسی و خواص نمونه ها تشریح گردید. درفصل چهارم نتایج حاصل از آزمایشات و بحث های مربوطه ارائه گردیده است. فصل پنجم نتیجه گیری  کلی از این تحقیق رابیان می کند.

دانلود پاورپوینت شرکت آزمایش و تحقیقات قطعات و مجموعه های خودرو

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پاورپوینت شرکت آزمایش و تحقیقات قطعات و مجموعه های خودرو دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

در35اسلاید

دانلود پاورپوینت شرکت آزمایش و تحقیقات قطعات و مجموعه های خودرو

uمعرفی شرکت:

–چشم انداز و ماموریتها

–ساختار سازمانی و منابع انسانی

–آزمونهای قابل انجام

–عملکرد (مالی، عملیاتی)

–تاسیسات و ساختمانها

uمیزان تحقق طرح اولیه تاسیس ایتراک

uبروز آوری برنامه توسعه

uاستراتژی جدید

uفرصتها و چالشها

uمنابع لازم برای تحقق استراتژی جدید

uبرنامه های میان مدت

–

کنترل قطعات الکتریکی از طریق وب در سی شارپ

اختصاصی از کوشا فایل کنترل قطعات الکتریکی از طریق وب در سی شارپ دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت : Word

تعداد صفحات : 86

دیباچه

 کنترل کلمه ای است که بشر از ابتدای خلقت به دنبال شیوه های گوناگون آن بوده است. بشر نخستین(ناندرتال) با آزمون روش های مختلف  به دنبال رام کردن طبیعت و بارور کردن  زمین بود. با تشکیل جوامع بشری از کوچکترین شکل خود(خانواده)انسان به دنبال تحت اختیار گرفتن جنبه های مختلف زندگی بوده است. به دنبال گسترش زندگی اجتماعی و بوجود آمدن مبانی حکومتی، افراد  مختلف به سبب قدرت، مکنت، اصالت خانوادگی و... در پی کسب برتری نسبت به سایرین که منجربه در دست داشتن اختیار خود و دیگران بوده، تلاش میکردند. به دنبال این خصیصه که حس جاه طلبی انسان را تحریک می کرد برای بدست آوردن قدرت و کنترل بیشتر میان جوامع مختلف جنگهای خونینی رخ داده است که حتی در صده های اخیر نیز شاهد آن بوده ایم.

با شکل گرفتن فناوری و خارج شدن بشر از ورطه جهالت  تلاش برای بدست گرفتن کنترل، انسان را به یافتن شیوه های جد ید برای ارضای آز خویش وا داشت. با اختراع اسلحه دیگر دوران شمشیر و کمان به سر آمد. با به میدان آمدن توپ و تانک دیگر جایی برای اسب و منجنیق نبود.

اما در دنیای فناوری هیچ چیز متوقف نمی شود. با کشف کامپیوتر و هوش مصنوعی زندگی بشر به کلی دگرگون شد. با این اکتشافات از ارزش جنگ افزار روزبه روز کاسته می شد و بر اهمیت تبلیغ و علوم وابسته به هوش مصنوعی افزوده می شد. اندک اندک کنترل جنبه فیزیکی خود را به جنبه فکری بدل می کرد و تشنگان قدرت به دنبال راههای کنترل افکار افتادند و نه کنترل اجسام.

اما اگر به سطح خرد جامعه بنگریم در می یابیم که هر انسانی چه برای ارضای حس جاه طلبی و چه برای رفاه و آسایش خود به دنبال روشهایی برای کنترل و تحت اختیار داشتن شئونات زندگی خود است. این کنترل شامل اعضای خانواده، اسباب زندگی، لوازم کـــار و... می شود.

با نگاه به زندگی بشری از زمان شکل گیری بنیان زندگی خانوادگی مشاهده می کنیم که اولین مظهر پیشرفت بشریت در خانه انسان نمایان می شود و همواره این پیشرفت برای توسعه رفاه انسان بوده است.

از زمان اختراع چرخ تا اولین کامپیوتر و لامپ خلا ء  اسباب زندگی به شکل شگرفی دچار دگرگونی شده اند. اما تغییرات عمده در نیم قرن اخیر رخ داده است که کامپیوتر وارد زندگی شخصی هر فرد شده و هر که بیشر و بهتر از مزا یای آن مطلع شد و بهره برد، رفاه بیشتری خواهد داشت.

امروزه کار بدانجا رسیده است که انسان حاضر نیست حتی برای خاموش کردن یک چراغ از جای خود حرکت نماید و حال که فن آوری اینچنین اجازه ای به او میدهد او نیز حریصانه طالب آن است. امروز حتی می توان از فواصلی بعید به کنترل آنچه مربوط به ماست بپردازیم، کاری که بشر نخستین در رویا میدید.

در این پایان نامه  برحسب موضوع به ارائه شمایی از یک سیستم کنترل وسایل(اسباب منزل,خطوط تولیدات صنعتی,...) از طریق فناوری اینترنت به عنوان یک شبکه ارتباطی و از راه دور می پردازیم. در این راستا سعی شده است تا از سخت افزار و نرم افزار مناسب استفاده شود، اما ذیق وقت و در بعضی موارد کمبود امکانات دایره مقدورات را تنگ نمود و حاصل آن،این پایان نامه است که تقدیم میگردد.

گزارش کارآموزی رشته کامپیوتر شناخت قطعات کامپیوتر

اختصاصی از کوشا فایل گزارش کارآموزی رشته کامپیوتر شناخت قطعات کامپیوتر دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود گزارش کارآموزی رشته کامپیوتر شناخت قطعات کامپیوتر بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 50

گزارش کارآموزی آماده,دانلود کارآموزی,گزارش کارآموزی,گزارش کارورزی


این پروژه کارآموزی بسیار دقیق و کامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی میباشد

بخش اول شناخت قطعات کامپیوتر

پردازنده (CPU) :  CPU بخش اصلی یک کامپیوتر یا به عنوانی مغز کامپیوتر محسوب می شود. اگر بخواهیم توانائیهای دستگاه خود را بدانیم لازم است با  توانائیهای CPU کامپیوتر خود آشنا شویم. اولین پردازنده های که ساخته شد 8086 و بعد از آن به ترتیب مدلهای 8088 و 80286 و 80386 و 80486 و سری پنتیوم به بازار عرضه شد که سرعت آنها نیز به ترتیب افزایش مدل آنها بیشتر شده پس می توان گفت که نوع CPU ، سرعت کامپیوتر را تعیین می کند. CPU پنتیوم به چهار دسته تقسیم می شود :  پنتیوم ، پنتیوم II ، پنتیوم III وپنتیوم 4 و در آینده نزدیک پنتیوم 5 به بازار خواهد آمد. از CPU های دیگر می توان به AMD و سایریکس (Cyrin ) اشاره کرد. CPU  های AMD در عملکرد گرافیکی پیشرفته و در Copy کردن و رندر کردن ها سرعت بالاتری نسبت به CPU  های دیگر دارد فقط مشکل آن در کارهای شبکه می باشد.     خود CPU ها نیز در مدلهای متفاوت سرعتهای مختلفی دارند. مثلاً برای CPUها پنتیوم سرعتها 75 و 90 و 100 و غیره ... وجود دارد. به همین دلیل   در برد اصلی یا مادربرد (Main bord)  باید مشخص شود که CPU نصب شده بر روی آن با چه سرعتی کار می کند. در اکثر موارد این کار با تنظیم جامپر یا دیپ سوئیچ بر روی مادربرد امکان پذیر می باشد. CPU پنتیوم II و پنتیوم III به شکل مستطیل است. این نوع CPU  ها به طور عمودی بر روی برد اصلی سوار می شود. CPU  های پنتیوم و پنتیوم III و AMD به بالا به صورت مربع می باشد که زیر آن پایه های زیادی قرار دارد.  CACHE یا حافظه کش چیست؟ کش حافظه ای کوچک و بسیار سریع در CPU می باشد که برای نگهداری دستورات در حال اجرا یا دستوراتی که می خواهیم اجرا کند از آن استفاده می کنیم بنابراین هرچه مقدار Cache در CPU  بیشتر باشد عملکرد سیستم سریعتر خواهد بود. برد اصلی (مادر برد Main bord )  همانطور که از نام این وسیله معلوم است اصلی ترین برد در کامپیوتر است که تمام قطعات کامپیوتر بصورت مستقیم یا غیر مستقیم به آن متصل می شوند. بر روی برد اصلی تعدادی شکاف که محل قرار گرفتن کارتهای گوناگون است موجود می باشد. همچنین بر روی آن محلی برای استقرار CPU تعبیه شده است. شکافهای خاصی نیز برای حافظه Ram وجود دارد، و کانکتوری برای تعذیه سیستم در نظر گرفته شده است سیمهای Case نیز در کانکتور خاص خود روی مادربرد نصب می شود. کابلهای داده ROM ، CD و هارد دیسک و فلاپی درایو نیز به برد اصلی متصل می شود.      پورت چاپگر و ماوس نیز هر کدام توسط یک کابل رابط به برد اصلی متصل می شود. شکافهای توسعه (Solt)  می توانند از نوع ISA و PCI و AGP باشند که سرعت تبادل اطلاعات در شکافهای AGP بیشتر از PCI می باشد و سرعت اسلاتهای PCI بیشتر از اسلاتهای ISA می باشد.  شکاف AGP برای سوار کردن کارت گرافیک در نظر گرفته شده. شکاف PCI برای سوارکردن کارت هایی مثل (مودم، کارت صدا و کارت شبکه) در نظر گرفته شده. شکاف ISA معمولاً قطعات قدیمی مثل کارت صدا و مودم و غیره در آن نصب می شود. شکافهای مربوط به حافظهROM در بردهای اصلی پنتیوم از نوع 72 پین و 168پین می باشد در مادربردها معمولاً از Ram های 168  پین SD و DDR به کار می رود. روی بردهای اصلی نوعی حافظه فقط خواندنی ROM وجود دارد که اطلاعات و تنظیمات اصلی کامپیوتر در آن قرار دارد. این حافظه انرژی خود را برای نگهداری اطلاعات در صورت خاموش بودن کامپیوتر از یک باتری تأمین می کند. USB چیست؟ پورت جدیدی می باشد که دارای سرعت بالاتری نسبت به پورتهای دیگر داشته و در مادربردهای جدید از آنها استفاده می شود و برای اتصال دستگاه ها به سیستم به کار میرود.           شکل 1-1 دید دقیق تری نسبت به اجزای موجود بر روی مادربورد را به دست می دهد. (توجه داشته باشید که طراحی مادربرد بسته به کارخانه های سازندة مختلف متفاوت می باشد.) حافظه RAM حافظه ای با دست یابی تصادفی یک برنامه لیستی از دستورات است که کامپیوتر باید آنها را اجرا کند. برای اینکه اجرای برنامه توسط کامپیوتر امکان پذیر باشد. باید آنرا در حافظه تصادفی یا Ram قرار دهد. این حافظه به صورت قطعات الکترونیکی روی یک برد کوچک می باشد. حافظه ها انواع گوناگونی دارند و همه آنها دارای مشخصات زیر می باشد:  توجه : حافظه Ram واسطی بین برنامه ها و CPU است و اطلاعات داخل Ram با قطع برق از بین خواهد رفت. 1-    نوع یا شکل ظاهری : از لحاظ اندازه و شکل ظاهری حافظه های Ram انواع گوناگونی دارند. 2-    سرعت دستیابی به اطلاعات : سرعت Ram بر حسب نانو ثانیه اندازه گیری می شود و در Ram های معمولی سرعت آنها بین 50 تا 100 نانو ثانیه می باشد. هر چه مقدار نانو ثانیه کمتر باشد سرعت Ram بالاتر است. حافظه Dram چیست؟ این حافظه معمولی ترین و رایج ترین Ram ها به حساب می آیند و به حافظه پویا معروف است اطلاعات آن دائماً باید Refrash یا به روز رسانی شود. حافظه Sram چیست؟ این حافظه با نام حافظه پایا معروف است و دارای سرعت بسیار بالایی می باشد، اطلاعات آن تا زمانی که تغذیه شود از بین نمی رود، از این Ram ها در CPU ها به عنوان Cache استفاده می شود. Ram های معمولی امروزی به صورت 30 پینی و 72 و 168 پینی به بالا می باشد. Ram های 30 پینی از رده خارج شده و در دستگاههای قدیمی کاربرد داشت. Ram های 72 پینی تقریباً از رده خارج شده و در مدل های اول پنتیوم کاربرد داشت. Ram های 168 پینی به بالا بر روی دستگاههای جدید نصب می شود. Ram های موجود در بازار به سه دسته SD و DDR و RD می باشد که Ram های DDR و RD سرعت بسیار بالایی برخوردار هستند و پیش نهاد می شود که از این Ram بیشتر در سیستم استفاده شود. کارت گرافیک VGA این کارت حاوی قسمتهای الکترونیکی لازم برای نمایش متن و تصاویر گرافیکی توسط کامپیوتر می باشد. این کارت در یکی از شکافهای توسعه روی برد اصلی قرار می گیرد.  در بعضی از مادربردها کارت گرافیک on board می باشد یعنی قطعات الکترونیکی مربوط به کارت تصویر بر روی خود مادربرد نصب شده است. اگر بخواهیم خودمان کارت گرافیک مورد علاقه خودمان را نصب کنیم می بایست کارت گرافیک مادربورد را غیرفعال کرده و کارت گرافیک خود را نصب کنیم. کار کارت گرافیک چیست؟ CPU اطلاعات خود را به کارت تصویر می فرستد و کارت نیز اطلاعات را ترجمه کرده و به زبانی که دستگاه خروجی مانند مانیتور بفهمد تبدیل می کند و به مانتیتور فرستاده می شود. کارتهای گرافیک (تصویر) دو نوع هستند؟ 1-    کارتهای که اطلاعات دریافتی را از جانب CPU مستقیماً روی صفحه نمایش می فرستد. 2-    کارتهای که در آنها از شتاب دهنده تصویری استفاده شده است در این نوع کارتها پردازش اطلاعات تصویری توسط خود کارت صورت می گیرد. 3-    نوعی حافظه Dram بر روی تمام کارتها وجود دارد تا تصاویری را که روی صفحه نمایش ظاهر می شود در خود ذخیره کند. هر چه مقدار این Dram بیشتر باشد کیفیت کار کارت گرافیک بیشتر است و در موقع خرید باید مقدار Ram کارت گرافیک را دقت کنید. مثلاً کارتی خریده اید مثل 64 TnT مقدار 64 در این مدل کارت گرافیک یعنی 64 مگابایت کارت گرافیک Ram دارد. توجه : کارتهای موجود در بازار معمولاً قابلیت سه بعدی در نمایش تصاویر را دارند که در بازیها و نمایش تصاویر بسیار موفقیت آمیز است. خروجی های کارت گرافیک :  یک کانکتور برای متصل شدن کابل مانیتور به کارت گرافیک و در اکثر کارتهای گرافیکی فیشی برای خروجی تصاویر به تلویزیون می باشد. کارت صدا (Card Sound) همانطور که از نام این وسیله پیداست، ضبط و پخش صدا را به عهده دارد کیفیت صدا خیلی بیشتر از بلندگوی واقع در جعبه کامپیوتر می باشد. این کارت در ابتدا 8 بیتی بوده ولی امروزه نوع 16 و 32 و ... نیز وجود دارد. در اغلب کارتها چهار کانکتور وجود دارد. یک کانکتور مخصوص ورودی صدا یا Line in  یک کانکتور مخصوص ورودی میکروفن یا mic یک خروجی برای بلندگو یا Speaker یا Line out یک کانکتور مربوط به پورت Jorstck برای بازی می باشد. این کارت در یکی از شکافهای توسعه مادربرد قرار می گیرد. مودم (Modem) مودم وسیله ای است که امکان برقراری ارتباط دو کامپیوتر از طریق خط تلفن را برقرار می سازد. مودم فرستنده ابتدا سیگنالهای دیجیتال کامپیوتر _که برای کامپیوتر قابل درک است) را به سیگنالهای آنالوگ تبدیل می کند تا بتوان با خط تلفن عبور کند. و بالعکس اطلاعاتی که از طریق خط تلفن به کامپیوتر ارسال می شود به زبان قابل فهم رایانه تبدیل می کند.      شکل 1-2 وضعیت معمول کار با مودم توسط کاربر را نشان می دهد مودم ها به دو دسته تقسیم  می شود :  1-    مودم های internal : این نوع مودم در داخل Case کامپیوتر در یکی از شکافهای توسعه نصب می شود. 2-    مودم External : این مودم در بیرون از Case کامپیوتر وصل می شود.

جزوه کامل تئوری و تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی

اختصاصی از کوشا فایل جزوه کامل تئوری و تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود جزوه کامل تئوری و تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی

استاد فرامرز حسین بابایی

دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی

591 صفحه به صورت pdf شامل فصل های زیر:

فصل اول : ساختار جامدات

فصل دوم : سیلیکون از معدن تا صنعت الکترونیک

فصل سوم : رشد بلور

فصل چهارم : آماده سازی ویفر

فصل پنجم : اکسیداسیون

فصل ششم : زدایش

فصل هفتم : فرایند نفوذ

فصل هشتم : کاشت یون

فصل نهم : لیتو گرافی کلاسیک

فصل دهم : لیتو گرافی پیشرفته

فصل یازدهم : فلز کاری

فصل دوازدهم : بسته بندی

فصل سیزدهم : اتاق تمیز

فصل چهار دهم : ارزیابی فرایند ها و قطعات