دانلود پاورپوینت پیوند حلزون گوش
تعداد اسلاید: 15 اسلاید
زبان : فارسی
فرمت : PPTX
قابل اجرا در نرم افزار آفیس 2007 و نسخه های جدیدتر آفیس
شامل مباحث زیر می باشد:
کاشت حلزون شنوایی
چگونه در شنوائی اختلال ایجاد می شود؟
پروتز حلزون شنوایی چگونه کار می کند؟
دستگاه کاشت حلزون شنوایی شامل قسمت های زیر است:
اجزاء داخلی کاشت حلزون شامل :
منظور ازبخش خارجی کاشت حلزون چیست ؟
9- کویل خارجی درکجا قرار میگیرد؟
فواید کاشت حلزون
ارزیابی های لازم قبل از جراحی:
عمل جراحی کاشت پروتزحلزون
فاکتورهای متعددی وجود دارند که در میزان سودمندی کاشت حلزون دخیل هستند:
چکیده
فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.
افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.
تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.
همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.
مقدمه
افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:
1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.
2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی پیوند سورس / درین کاهش می یابد.
3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.
4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.
با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.
تعداد صفحه : 125
می لعل پیش آور ای هاشمی زخمی که هرگز نگیرد کمی
سخن از پیوند ایران و اسلام و نمادها و نشانه های این پیوند مبارک و تاریخ ساز است. محققان ثابت کرده اند که ایرانی جماعت، نه از روی ترس از شمشیر تازیان و مقولاتی از این دست، بلکه آزادانه و آگاهانه، اسلام را برگزید و به انگیزه تخلص از ستم سیاسی و تبعیض طبقاتی رژیم ساسانی، به اصول و احکام نجاتبخش این دین (معنویت الهی، کرامت انسانی و عدالت اجتماعی) دل بست و خستو شد. شاهدد روشن این امر آن است که در صف انبوه دانشوران و سیاستگران و عارفان دوران تمدن اسلامی، بیشترینه چهره های شاخص و نام آشنا، ایرانی اند و پهنه تاریخ 14 قرنه اسلامی، گویی تفسیر این کلام مشهور نبوی صلی الله علیه و آله است که فرمود:
ـ اگر «علم» (و در روایتی: «ایمان») بر ستاره پروین آویخته باشد، مردانی از ایران بدان چنگ خواهند زد.
ایرانی مسلمان، همچنین بتدریج از بین تمامی فرقه ها و نحله های اسلامی، مذهب خاندان پیامبر علیهم السلام یعنی تشیع را برگزید که به جای تحمیل حاکمیت نژاد عرب بر دیگر ملل، اصل تقوا و شایستگی علمی و عملی را معیار کرامت فردی و اجتماعی می شناخت و با تمسک به این مذهب، صف خویش را از خلیفگان اموی و عباسی جدا ساخت و چه هزینه ها نیز بابت این انتخاب و پایداری بر سر آن نپرداخت. استاد شهید مطهری، بدرستی علت گرایش ایرانیان به اسلام را همان علت گرایش آنان به تشیع می داند: تکاپوی دستیابی به گوهر معنویت و عدالت قرآنی که بساط خلفا از آن خالی بود و تنها در خانه گلین علی و فاطمه و فرزندان آنان علیهم السلام یافت می شد و بس!
انجمن اولیاء و مربیان مظهر همکاری خانه و مدرسه در امر تعلیم و تربیت کودکان و نوجوانان است. خانه و مدرسه دو نهاد تربیتی مهم به شمار می آیند که در صدرعوامل تأثیرگذار بر روند رشد و تکامل رفتار و منش نوباوگان جامعه قرار دارند، و مهمترین عامل در تربیت و رشد فکری و اخلاقی، هماهنگی و همسویی نظری و عملی میان مربیان و خانواده است. هر یک از دو کانون خانه و مدرسه، به تنهایی امکان عمل موفقیت آمیز نخواهد داشت و باید به عنوان یک مرکز و یک نهاد تعلیماتی و تربیتی تلقی شوند و مجموعه سیاست و برنامه هایی که آموزش و پرورش طراحی و به اجرا درمی آورد، در این دو کانون بر اساس یک سیاست ، یک بینش و یک هدف دنبال شود. اولیا به عنوان صاحبان اصلی سرمایه های با ارزش، دارای حق اظهار نظر، حق نظارت و در بعضی موارد حق دخالت در مسائل آموزش و پرورش هستند و تنها در این صورت است که فرآیند پیچیده و عمیق تربیت و تعلیم می تواند به شکل درست و شایسته ای به اجرا گذاشته شود و موجب رشد و تعالی گردد. ممکن است رفتار و شیوه های تربیتی مربیان با رفتار و روشهای تربیتی اولیا در خانواده متفاوت و یا احیاناً متضاد باشد که در این صورت تاثیرهای ویرانگری بر شخصیت کودک دارد. از این اصل مسلم تربیتی می توان ضرورت ارتباط و تبادل نظر میان اولیا با مربیان را درک کرد . این ارتباط در سیستم آموزشی و پرورشی ما از طریق انجمن اولیا و مربیان صورت می گیرد. انجمن اولیا و مربیان هیات منتخبی از پدران و مادران دانش آموزان و مربیان مدرسه است که با هدف تلاش و همکاری در جهت پیشبرد امورآموزش و پرورش دانش آموزان تشکیل می شود.
موضوع: پیوند عضو پس از قصاص
مسالهء پیوند عضوى که به حکم قصاص قطع شده باشد، از دیرباز میان فقها مورد بحث و اختلاف نظر بوده است. طرح مساله بدین صورت بوده که اگر کسى گوش دیگرى را قطع کند سپس گوش جانى را به قصاص قطع کنند، آن گاه یکى از آن دو، گوش بریدهء خودرا دو باره پیوند بزند، آیا دیگرى حق دارد آن را براى بار دوم قطع کند یا چنین حقى ندارد؟ در تفسیر روایتى که در این باره آمده است اختلاف وجود دارد، برخى آن را در بارهء مجنى علیه مى دانند و برخى دیگر در بارهء جانى. این اختلاف در تفسیر روایت، منشا اختلاف آراء در مسالهء مذکور شده است. در کتاب مقنعه آمده است: اگر مردى نرمى گوش مرد دیگرى را برید و گوش جانى را نیز به قصاص بریدند، سپس مجنى علیه گوش خود را معالجه کرده و قسمت بریده شده را دوباره پیوند زد، شخص قصاص شده حق دارد همان قسمت از گوش او را دوباره قطع کند تا به حالت قبل از قصاص برگردد. در هریک از اعضا و جوارح که مورد قصاص قرار گیرد و سپس معالجه شده و خوب شود، همین حکم جارى است و اختصاص به نرمى گوش ندارد. حاکم مى بایست مهلت دهد تا شخص مجروح خود را معالجه کند و بهبود یابد، اگر با معالجه خوب شد جانى را قصاص نکند ولى او را به پرداخت ارش محکوم کند، اما اگر شخص مجروح علاج نشد، جانى را به قصاص محکوم کند.
این عبارت به صراحت مى رساند که بعد از قصاص جانى، اگر مجنى علیه عضو قطع شدهء خود را پیوند زد جانى حق دارد دوباره آن را قطع کند و این حکم، اختصاص به گوش ندارد و همهء اعضا را در بر مى گیرد. درکافى ابوالصلاح حلبى آمده است: درمورد هیچ زخم یا قطع عضو یا شکستگى یا در رفتگى تا یاس از بهبود آن حاصل نشود نمى توان حکم به قصاص کرد بنا بر این اگر درمورد جراحتى حکم به قصاص شود ولى مجروح و جانى هر دوخوب شوند یا هردو خوب نشوند، هیچ کدام حقى بر دیگرى ندارد. اما اگر یکى از آن دو خوب شود و زخمش التیام پیدا کند، قصاص درمورد دیگرى تکرار مى شود. این در فرضى است که قصاص به اذن شخص اول انجام گرفته باشد ولى اگر قصاص به اذن او انجام نگرفته باشد، شخص قصاص شده باید به کسى که قصاص به اذن او انجام گرفته رجوع کند نه به مجنى علیه.
شیخ طوسى در نهایه مى گوید: اگر کسى نرمى گوش انسانى را قطع کند و او خواهان قصاص شود و او را قصاص کنند، آن گاه شخص مجنى علیه گوش خود را معالجه کرده و قسمت بریده شده را پیوند بزند شخص قصاص شده حق دارد دو باره نرمى گوش اورا قطع کند و به حالت قبل از اجراى قصاص برگرداند. در دیگر اعضا و جوارح نیز همین حکم جارى است. درکتاب خلاف نیز آمده است: اگرکسى گوش دیگرى را قطع کند، گوش او قطع خواهد شد. اگر جانى گوش خود را پیوند بزند، مجنى علیه حق دارد خواستار قطع دو بارهء آن شود و آن را جدا کند. شافعى مى گوید: خود مجنى علیه نمى تواند این کار را انجام دهد ولى حاکم باید جانى را مجبو ربه قطع گوش پیوند زده کند زیرا او حامل نجاست است چون گوش جدا شدهء او تبدیل به مردار شده است، از این رو نجس بوده و نماز با آن درست نیست.دلیل ما اجماع شیعه و اخبار ایشان است.
تعداد صفحات : 25