دانلود کمک پایان نامه 94 صفحه ای انواع سیستم های بارکدینگ
امروزه سیستمهای اطلاعاتی کامپیوتری سهم بسزایی درکارایی امور تجاری و کنترلی دارند. لذا برای حصول این کارایی ضروری است که اطلاعاتی که به کامپیوترها وارد می شوند ، دقیق و بهنگام بوده و در ضمن ، گردآوری آنها نیز هزینه زیادی دربر نداشته باشد . درمیان انواع سیستمهای شناسایی خودکار ، تکنولوژی بارکد جزء ساده ترین ها است. این سیستم به صورت تجهیزات جانبی کامپیوترهای شخصی که امروزه در واحدهای صنعتی ، تجاری و اداری کشور جایگاه مهمی یافته اند ، قابل بکارگیری است.
در این تحقیق سعی شده انواع سیستم های بارکدینگ معرفی شده و کاربرد های هر یک مورد بررسی قرار گیرند.همچنین باتوجه به پیشرفت روز افزون علوم مختلف،وتوسعه تغییرات در تکنولوژی های موجود،ما را بر آن داشت تا از فنآوری های جایگزین و جدید نیزمواردی را بیان کنیم.
سرفصل های بررسی شده :
تصاویر فهرست عناوین :
چکیده
فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.
افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.
تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.
همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.
مقدمه
افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:
1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.
2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی پیوند سورس / درین کاهش می یابد.
3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.
4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.
با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.
تعداد صفحه : 125
به کمک دانش کسب شده در این پروژه می توان کاربرد های زیر را در قالب پروژه های سخت افزاری و نرم افزاری جدید تدوین کرد : کنترل موجودی کتابخانه – انبار داری و کنترل موجودی قطعات و تجهیزات – کنترل نامحسوس عناصر نگهبانی و حراست – کنترل تردد خودرو و اتوماسیون پارکینگ – نرم افزار کارت خوان کنترل تردد پرسنل
تکنولوژی RFID : 125 KHz – Read only – فرکانس Carrier 125 KHz – Contactless smart card – پشتیبانی از کارت Passive
پایگاه داد ها : 16 Card supported
تکنولوژی برنامه نویسی : زبان C – کامپایلر CodeVision AVR
کاربرد ها : کنترل ورود و خروج پرسنل – ثبت وگزارش گیری اطلاعات ورود و خروج در پایگاه داده
قابلیت ها : حذف و اضافه کردن کارت به سیستم – حذف تمامی کارت به صورت یکجا – امکان اتصال به پایگاه داده از طریق پورت USB
قابلیت های آینده : امکان اتصال به شبکه داخلی
زمانبندی و مراحل تولید : نیاز سنجی : 10 روز – تحقیقات اولیه : 25 روز – مطالعه بازار: 5 روز – طراحی و تولید نمونه اولیه : 30 روز – اصلاحات و تولید نمونه دوم : 12 روز – تست نهایی : 7 روز
فهرست :
معرفی پروژه
تکنولوژی RFID
تکنولوژی برنامه نویسی
کاربردها و قابلیت ها
قابلیت های آینده
زمانبندی و مراحل تولید
کاربردها و قابلیت های قابل راه اندازی
کنترل موجودی کتابخانه
انبار داری و کنترل موجودی قطعات و تجهیزات
کنترل نامحسوس عناصر نگهبانی و حراست
کنترل تردد خودرو و اتوماسیون پارکینگ
نرم افزار کارت خوان کنترل تردد پرسنل
هزینه تمام شده واحد محصول کنترل دسترسی
فهرست قطعات (Bill of Material)
شماتیک RFID Reader
شماتیک Master Module
کد برنامه
RFID چیست؟Radio Frequency Identification ) )
فناوری ها Auto ID
تاریخچه RFID
مقاسیه RFID با سیستم بارکد
مقاسیه آماری سیستم بارکد و RFID
اجزاء یک سیستم RFID
RFID چگونه کار می کند ؟
تگ های RFID
تگ های فعال (Active) در مقابل تگ های غیرفعال
تگ های هوشمند ( با قابلیت خواندن و نوشتن ) در مقابل تگ های فقط خواندنی
حافظه فقط خواندنی
تگ هایی از نوع RW
اندازه و شکل تگ ها
طیف فرکانس
باندهای فرکانس پایین RFID
باندهای فرکانس بالا RFID
پروتکل ارتباطی مابین کارت و ریدر
مقایسه انواع فرکانس های RFID
برخی از کاربرد های کنترل دسترسی کارکنان
پیوست
Data Sheet tag EMDS
Data Sheet IC reader EM_DS
Data Sheet usb DS_FTR
منابع
از ابتدای دهه 1990 میلادی، موضوع قاچاق زنان در سطح جهانی ابعاد گسترده ای یافت بعضی کشورها در امر واردات زنان یا خروج آن به صورت کالا و کارگر مبنی فعالیت دارند.
استفاده صنفیو ابزاری از زنان در دوره های مختلف از جوامع بشری به منظور بهره برداری سیاسی، مادیو جنسی همواره مورد توجه عده ای از اشخاص مسئول، سیاستمداران، سودجویان مادی و افراد هوسران بوده حتی قبل از ظهور دین مبین اسلام حتی قبل از ظهور دین مبین اسلام دختران به علت اینکه شاید در جنگ ها به اسارت دشمن در آمده در تملک دیگری قرار می گرفتند توسط اعراب زنده به گور می شدند.
متأسفانه در خاورمیانه خصوصاً کشورهای شیخ نشین حاشیه خلیج فارس این جریان رنگ به خصوصی به خود گرفته و یادداشتهای کلان عده ای از مفسدین سودجو را بر آن داشته تا با تشکیل شبکه های سازمانیافته نسبت به شکار دختران و زنان کشورهای منطقه و انتقال آنان به دبی اقدام نمایند.کره آورد و محصول این جریان اشاعه فحشا و منکر در جوامع اسلامی و ریختن دیوار اعتقادات آماد اجتماع و ترویج فرهنگ ابتذال می باشد.
قاچاق زنان یکی از جنایات حائز آثار اخلاقی و اجتماعی قابل توجهی بوده و از رشد فزاینده ای برخوردار است. حسب برخی اظهار نظرها، قاچاق اشخاص امروزه در نیان انواع تجارت، جنایت سازمان یافته سریعترین رشد را داشته و توسط شبکه های ناشناخته اداره می شود.
موضوع : تجارت زنان ( قاچاق زنان )
تعداد صفحات : 160
فرمت : Doc یا ورد
فهرست عناوین :
فصل اول: کلیات
فصل دوم: بررسی پیشینه پژوهش
فصل سوم: روش پژوهش
فصل چهارم: یافته های پژوهش
فصل پنجم: آمارهای موجود زنان آسیب دیده
فصل ششم: بحث وتفسیر نتایج پژوهش
نوشتن از هنر کار ساده ای نیست ولیکن تحقیق و تفحص به منظور دستیابی به « مروارید دانایی» آن هم در عمق اقیانوس گسترده ای چون هنر، به مراتب مشکل تر و سخت تر است . اما اگر عشق در این تفحص چاشنی اراده ی آدمی گردد، دیری نخواهد پایید که درهای درخشان معرفت یکی، پس از دیگری سر از صدف پنهان خود بیرون می آورند و چونان چراغی، ظلمات جهل و ابهام را به رنگِ نور و روشنایی مزین می سازند. اما قصه هنر، قصه ی گمنامی است. قصه مروارید های درخشانی که از غربتشان سالیانی دراز می گذرد. قصه هنر است، هنری که با تمام گستردگی خود در پاره ای از شاخه ها و در برخی جهات بسیار گمنام و غریب است. به گونه ای که امروزه شاید کمتر نام و یادی از آن هنرهایی شده که یک زمان در اوج بوده اند و پس از گذشت زمان به دلیل برخی مسائل مورد بی مهری قرار گرفته اند و آفتاب شهرتشان از لب بام دنیای هنر پریده است.
محققی که پیرامون مسائل هنری کنکاش و تحقیق می کند همیشه در پی کشف این ناشناخته هاست. می خواهد پنجره ای بگشاید به دنیای گمنامی ها و غربت هنرهای متداول پیشین و منسوخ امروزه . از این رو با غور در متون گذشته و آثار به جای مانده از آن هنر خاص که به عنوان یادگارهایی ارزشمند در دل موزه های داخل و خارج جا خوش کرده اند، ریشه های پیدایش آن را بررسی و پس از آگاهی از چگونگی تولد و تحول آن ، به علل فراموشی و انحلال آن می پردازد.
موضوع : شیوه های ساخت و تزئین قلمدان
تعداد صفحات : 124
فرمت : Doc یا ورد
فهرست مطالب :
فصل اول
فصل دوم
فصل سوم
فصل چهارم
فصل پنجم