تحقیق درباره Flash Memory چیست

اختصاصی از کوشا فایل تحقیق درباره Flash Memory چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

Flash Memory چیست؟

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .

قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .

در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند .

● Tunneling :

این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .

در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .

با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .

زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود .

امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضایی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار .

فلش مموری

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد . قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه

دستورالعمل راه اندازی Flash Point

اختصاصی از کوشا فایل دستورالعمل راه اندازی Flash Point دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دستورالعمل راه اندازی

 Flash Point

هدف
دامنه کاربرد
تعاریف
مسئولیت ها
شرح
منابع و مراجع

1-هدف:

هدف از این دستورکار، تعیین دمای  نقطهFlash (دوفازی  شدن) گازوئیل میباشد.

2- دامنه کاربرد:

این دستور کار جهت تعیین دمای نقطه Flash  گازوئیل به وسیله دستگاه Mini Flash  در نیروگاه B.O.O عسلویه کاربرد دارد.

دانلود پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

حافظه های ATMagUlb, AVR

این بخش تفاوت میان حافظه های دو، ATmegulb را توصیف
 می کند در ساختار AVR  دو فضای حافظه ای، فضای حافظه ای برنامه تولیست وفضای حافظه ای اولیه وجود دارد در مجموع ATMega16  یکEEPROM برای نگهداری اطلاعات حافظه ای دارد همه فضاهای این حافظه به صورت خطی ومنظم
می باشد.

سیستم REprogrammabl  حافظه فلش در برنامه نویسی حافظه

ATMega16  شامل 16 کیلو بایت تک تراشه ای در سیستم وقابلیت برنامه ریزی مجدد حافظه فلش برای نگه داری برنامه است در زمانی که طول بایت حافظه های avr16 یا32 بیت بوده حافظه فلش دار برای avr    16*k5 شناخته شده است برای جلوگیری از اسیب نرم افزار حافظه فلش به دو بخش تقسیم می کنیم بخش راه اندازی وبخش برنامه نویس.

حافظه فلش قابلیت10000 یا نوشتن وپاک کردن می باشد پروگرم کانتر ATM mega16  دارای طول 13 بیت می باشد که قابلیت آدرس دهی 8 کیلو بایت را دارد کار قسمت راه اندازی برنامه قفل وراه اندازی برایحالت نرم افزار در اجر ا وحمایت از بار گذاری در هنگام راه اندازی (نوشتاری- خواندنی) است که در فصل بعد بعد به آن اشاره شده است.که شامل توصیف اجزای سری اطلاعات فلش که در پینهایspi ودر ارتباط با JTAK می باشد.

مقادیر ثابت می توانند در آدرس های حافظه برنامه قرار گیرند MP که در شکل زیر نشان داده شده است.

نمودار زمانی برای ساختار وخروجی ها در نمودار خروجی وزمانی موجود شده است.

حافظه داده  SRAM :

شکل زیر نشان می دهد که SRAM  و ATMEGA  چگونه برنامه نویس می شود خانه ها حافظه پایین  نمایش می دهد که فایلها در حافظه SRAM داخلی وحافظهI/o ثبت شده است. اولین برنامه در آدرس 96 آدرس دهی می کند.

پنج روش آدرس دهی برای پوشش دیتای حافظه وجود دارد:

1. جهت، 2. خلاف جهت وتغییر موقعیت ،3. خلاف جهت، 4. خلاف جهت با

  PRO-decrement ، 5. خلاف جهت با POST- Increment.

در فایلهای رجیستری، رجیسترهای­ R3 ,  R26  به صورت غیر مستقیم آدرس دهی می شود وبه صورت مستقیم در دنیای مخصوص ذخیره می شود.

در حال خلاف جهت: تغییر مکان باعث می شود که63 خط آدرس با استفاده از رجیسترهای Z,Y آدرش دهی می شود.

زمانیکه از رجیسترهای در آدرس دهی مستقیم در حالت کاهش آدرس دهی یا افزایش آدرس دهی می باشدازآدرس دهی رجیستر Z<Y

32رجیستر از 64 رجیستر به عنوان I/0 عمل می کنند ویک کیلو بایت دنیای داخلی SRAM درATMEGA16 برای آدرس دهی در همه حالتها قابل استفاده است. رجیستر فایلها در فایلهای همه سطوره در پایین توصیف می شود.     

80 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

حاوی کد برنامه به زبان C

فهرست مطالب

فصل اول
حافظه های ATMagUlb, AVR
سیستم REprogrammabl حافظه فلش در برنامه نویسی حافظه
حافظه داده SRAM :
زمان پذیرش دیتای حافظه:
دیتای حافظه ایEEPROM:
عملکرد نوشتن وخواندن در EEPROM:
آدرس دهی EEPROM ورجیسترEEARH, EEARL:
دریافت بیتهاs…0 – 15….9 bits
رجیسترهای کنترل EEPROM:
دریافت بیتها: bit 7….4- Res
نوشتن در اینیبیل .مستر EEPROM Bit – EEMWE:
Bit7 – EEWE: نوشتن در وقفه EEPROM:
فصل دوم:
پروگرم حافظه:
بیتهای حافظه دیتا وبرنامه نویسی:
فیوزها:
لچ فیوزها:
تاثیر بایتها:
کالیبره کردن بایتها :
فیوز بیتهای ATM EGA16
بایت آدرس پایه های ورودی پورت PINA-A
پیکر بندی پورت ها:
بررسی پورت های میکروATMEGA32:
پورتA:
استفاده از پورتA به عنوان یک I/O عمومی دیجیتال:
دیگر کاربرد های پورت A:
پورتB:
رجیستر های پورت B:
استفاده از پورتB به عنوان یک I/O عمومی دیجیتال:
دیگر کاربرد های پورت B:
Portb.7-sck:
Portb.6-miso
Portb.5- mosi
Portb.4-SS
PORTB.3-OC0,AIN1
Portb.2-int2,ain0
Portb.1-t1
Portb.0-xck,t0
پورتC
رجیستر های پورت c
دیگر کاربرد های پورت C:
پورت D:
استفاده از پورتD به عنوان یک I/O عمومی دیجیتال:
پیکره بندی LCD
اتصال پایه های LCD به میکرو
تعیین نوع LCD
پیکره بندی باس LCD
رتباط با پورت سریال
اUART سخت افزاری
تعیین میزان باود
تغییر میزان باود در برنامه
ارسال داده سریال در حالت UART سخت افزاری
پیکره بندی SERIALOUT
دستور PRINT
دستور PRINTBIN
دریافت داده سریال در حالت UART سخت افزاری
پیکره بندی CONFIG SERIALIN
دستور WAITKEY
دستور INKEY
دستور INPUT
دستور INPUTBIN
دستور INPUTHEX
UART نرم افزاری
تعین میزان باود
تغییر میزان باود در برنامه
ارسال داده در حالت UART نرم افزاری
دستور PRINTBIN
دریافت داده در حالت UART نرم افزاری
دستور INKEY
دستور INPUT
دستور INPUTBIN(#CHANNEL)
دستور INPUTHEX(#CHANNEL)
دستورات کار با LCD
دستور CLS
دستور CLS GRAPH
دستور CLS TEXT
دستور LCD
دست PSET X,Y,COLOR
دستور LOCATE ROW,COLUMN
دستور CURSOR ON/OFF BLINK/NOBLINK
دستور Line(Xl,Yo),(Xl,Yl), COLOR
دستور CIRCLE (XO,YO),RADIUS,COLOR
دستور SHOWPIC X,Y,LABLE
بر چسب $BGF ″FILE.BGF″
ارتباط سریال SPI
خصوصات
طرز اتصال master/slave
طرز کار پایه SS در مُد MIASTER
طرز کار پایه SS در مُد SLAVE
ارتباط SPI و رجیسترهای مربوطه
رجیستر کنترلی [SPI CONTROL REGISTER]SPCR-SPI
بیت SPIE-7 :
بیت SPE-6 :
بیتDORD-5 :
بیتMISTR-4
بیتCPOL-3 :
بیت CPHA-2 :
مُدهای اطلاعاتی (DATA MODE)
بیتSPRI-0,1 و SPRO:
رجیستر وضعیت [SPI STATUS REGISTER] SPSI-SPI
بیت SPIF-7 :
بیت WCOL-6 :
بیت 1…5 :
بیت SPI2X-0 :
رجیستر داده [SPI DATA REGISTER] SPDR-SPI
پیکره بندی SPI در محیط BASCOM

فلش Flash

اختصاصی از کوشا فایل فلش Flash دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات62

مقدمه

1

برخی ویژگیهای این نرم افزار کوچک و بسیار مفید

4

دلایل تبدیل فایلهای power point به flash

6

فعالیت خود را چگونه آغاز کنیم

12

سبک شما چیست؟

18

آیا شما با انتخاب انیمیشن به هفد خود رسیده اید؟ کدام مهمتر است هدف یا مسیر؟

20

تبدیل فایلهای power point به flash توسط نرم افزار same show

24

برخی ویژگی های این نرم افزار کوچک و بسیار مفید

26

دوره آموزش فلش macromedia flash8

27

معرفی برنامه flash

28

رجیستری حافظه های الکترونیکی flash memory

30

RAID چیست لپ تاپ کوچولو

31

حافظه الکترونیکی flash memory

31

لپ تاپ های کوچولو

35

RAID چیست؟

40

معایب

46

نتیجه گیری

51

رجیستری چیست؟

52

منابع

61

رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو

اختصاصی از کوشا فایل رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات30

حافظه های الکترونیکی Flash memory

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :

• تراشه BIOS موجود در کامپیوتر
• CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
  •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد
  •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
• کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
• کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است.

در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد. در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که بلاک نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.
کارت های حافظه فلش
تراشه BIOS در کامپیوتر، متداولترین نوع حافظه فلش است . کارت های SmartMedia و ComapctFlash نیز نمونه های دیگری از حافظه های فلش بوده که اخیرا متداول شده اند. از کارت های فوق بعنوان فیلم های الکترونیکی در دوربین های دیجیتال، استفاده می گردد .کارتهای حافظه برای بازیهای کامپیوتری نظیر Sega و PlayStation نمونه های دیگری از حافظه های فلش می باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد دارای مزایای زیر است :

• حافظه های فلش نویز پذیر نمی باشند.
• سرعت دستیابی به حافظه های فلش بالا است .
• حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.
• حافظه فلش دارای عناصر قابل حرکت ( نظیر هارد ) نمی باشند.
  قیمت حافظه های فلش نسبت به هارد بیشتر است