فرمت:word
1- اسیلاتورهای مگنترون 1-1- مگنترونهای استوانهای2-1- مگنترون کواکسیالی3-1- مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ4-1- مگنترون کواکسیالی معکوس5-1- مگنترون کواکسیالی Frequency – Agile6-1- VANE AND STARP7-1- Ruising Sun8-1- injection- Locked 9-1- مگنترون Beacom 2- CFA (Cross Field Ampilifier)1-2- اصول عملکردفصل دوم: لامپهای با پرتو خطی (O- Type)مقدمه1- کلایسترونها1-1- تقویتکننده کلایسترون چند حفرهای (Multi Cavity)2-1- کلایسترونهای چندپرتوی (MBK)1-2-1- کلایسترون چند پرتوی گیگاواتی (GMBK)2- لامپ موج رونده (TWT)1-2- تاریخچه TWT2-2- اجزای یک TWT3-2- اساس عملکرد TWT4-2- کنترل پرتو5-2- تغییر در ساختار موج آهسته6-2- لامپهای TWT Couped Cavity 1-6-2- توصیف فیزیکی2-6-2- اصول کار TWT Couped Cavity3-6-2- تولید TWT Couped Cavity های جدید7-2- لامپهای Helix TWT8-2- TWT های پرقدرت 3- گایروترونهای پالس طولانی و CW1-3- پیشرفتهای اخیر در تقویتکنندههای گایروکلاسترون موج میلیمتری در NRL2-3- WARLOC رادار جدید پرقدرت ghz 94
مقدمه
در لامپهای با میدان متقاطع (Cross Fielde) میدان مغناطیسی dc و میدان الکتریکی dc بر یکدیگر عمودند. در همه لامپهای CF میدان مغناطیسی dc نقش مستقیمی در فرآیند اندرکنشی RF ایفا میکند.
لامپهای CF نامشان را از این حقیقت که میدان الکتریکی dc و میدان مغناطیسی dc بر یکدیگر عمودند گرفتهاند. در لامپ CF الکترونهایی که توسط کاتد ساطع میشوند بوسیله میدان الکتریکی شتاب داده میشوند و سرعت میگیرند. اما همانطور که با ادامه مسیر سرعتشان بیشتر میشود توسط میدان مغناطیسی خم میشوند. اگر یک میدان RF در مدار آند به کار برده شود الکترونهایی که در طی اعمال میدان کاهنده وارد مدار شوند کند میشوند و مقداری از انرژی خود را به میدان RF میدهند. در نتیجه سرعتشان کاهش مییابد و این الکترونهای با سرعت کمتر در میدان الکتریکی dc که به میزان کافی دور هست تا ضرورتاً همان سرعت قبلی را دوباره بدست بیاورند طی مسیر میکنند. بدلیل کنش اندرکنشهای میدان متقاطع فقط آن الکترونهایی که انرژی کافی به میدان RF دادهاند میتوانند تمام مسیر تا آند را طی کنند. این خصیصه لامپهای CF را نسبتاً مفید میسازد. آن الکترونهایی که در طی اعمال میدان شتابدهنده وارد مدار میشوند بر حسب دریافت انرژی کافی از میدان RF شتاب داده میشوند و به سمت کاتد باز میگردند. این بمباران برگشتی در کاتد گرما ایجاد میکند و راندمان کار را کاهش میدهد.
در این فصل چندین لامپ CF را که عموماً به کار برده میشوند مورد مطالعه قرار میدهیم.
Hull در سال 1921 مگنترون را اختراع کرد. اما این وسیله تاحدود دهه 1940 تنها یک وسیله آزمایشگاهی جالب بود. در طول جنگ جهانی دوم نیازی فوری به مولدهای ماکروویوی پرقدرت برای فرستندههای رادار منجر به توسعه سریع مگنترون شد. همه مگنترونها شامل بعضی اشکال آند و کاتد که در یک میدان مغناطیسی در میان یک میدان الکتریکی بین آند و کاتد کار میکنند میباشند. به دلیل میدان تقاطع بین آندو کاتد الکترونهایی که از کاتد ساطع میشوند تحتتأثیر میدان متقاطع مسیرهایی منحنیشکل را طی میکنند.
اگر میدان مغناطیسی dc به اندازه کافی قوی باشد الکترونها به آند نخواهند رسید ولی درعوض به کاتد باز میگردند. در نتیجه جریان آند قطع میشود. مگنترونها را میتان به سه نوع طبقهبندی کرد:
مگنترون با آند دو نیم شده
این نوع مگنترون از یک مقاومت منفی بین دو قسمت آند استفاده میکند.
مگنترون سیکلوترون فرکانس
این نوع مگنترون تحت تأثیر عمل سنکرون کردن یک جزء متناوب میدان الکتریکی و نوسان پریودیک الکترونها در یک مسیر مستقیم با میدان عمل میکند.
مگنترون موج رونده
این نوع مگنترون به اندرکنش الکترونها با میدان الکترومغناطیسی رونده با سرعت خطی بستگی دارد. این نوع از لامپها به صورت ساده به عنوان مگنترون نامیده میشود.
مگنترونها با مقاومت منفی معمولاً در فرکانسهای زیر ناحیه مایکروویوی کار میکنند. اگرچه مگنترونهای سیکلوترون فرکانس در فرکانس ناحیه مایکروویوی کار میکنند، قدرت خروجی آنها بسیار کم است (حدود 1 وات در GHZ 3) و راندمان آنها بسیار کم است. (حدود 10% در نوع آند دونیم شده و 1% در نوع تکآندی) بنابراین دو نوع اول مگنترونها در این نوشتار مورد توجه نیستند.
مگنترونهای استوانهای
دیاگرام شماتیکی اسیلاتور مگنترون استوانهای در شکل زیر نشان داده میشود. این نوع مگنترون، مگنترون قراردادی نیز نامیده میشود.
در مگنترون استوانهای چندین حفره به شکافها متصل شدهاند و ولتاژ dc V0 بین کاتد و آند اعمال میشود. چگالی شار مغناطیسی B0 در راستای محور Z است. وقتی که ولتاژ dc و شار مغناطیسی به درستی تنظیم شوند الکترونها مسیرهای دایروی را در فضای آند- کاتد تحت نیروی ترکیبی میدان الکتریکی و مغناطیسی طی میکند.
برای سالهای بسیار مگنترونها منابع پرقدرتی در فرکانسهایی به بزرگی GHZ 70 بودهاند. رادار نظامی از مگنترونهای موج رونده قراردادی برای تولید پالسهای RF با پیک قدرت بالا استفاده میکند. هیچوسیله مایکروویوی دیگری نمیتواند همانطور که مگنترونهای قراردادی میتوانند عمل مگنترون را با همان اندازه، وزن، ولتاژ و محدوده راندمان انجام دهد. در حال حاضر، مگنترون میتواند پیک قدرت خروجی تا KW 800 میرسد. راندمان بسیار بالاست و از 40 تا 70% تغییر میکند.
مگنترون کواکسیالی
مگنترون کواکسیالی از ترکیب یک ساختار رزوناتوری آند که توسط یک حفره با Q بالا که در مورد TE011 کار میکنند احاطه شده است تشکیل شده است.
شیارهایی که در پشت دیواره حفرههای متناوب ساختار رزوناتوری آند قرار دارند به طور محکمی میدانهای الکتریکی این رزوناتورها را با حفره احاطهکننده کوپل میکنند. در عمل مود میدانهای الکتریکی در همه حفرههای دیگر هم فاز هستند و بنابراین آنها در جهت یکسان با حفره احاطهکننده کوپل میشوند. در نتیجه حفره کواکسیالی محیطی مگنترون را در مورد مطلوب تثبیت میکند. در مورد TE011 مطلوب میدانهای الکتریکی مسیری دایروی را در داخل حفره طی میکنند و در دیوارههای حفره به صفر کاهش مییابند. جریان در مورد TE011 در دیوارههای حفره در مسیرهای دایروی حول محور لامپ جریان دارند. مودهای غیرمطلوب توسط تضعیفکننده در داخل استوانه داخلی شیاردار نزدیک انتهاهای شیارهای کوپلینگ میرا میشوند. مکانیزم تنظیم ساده و قابل اعتماد است. رزوناتور آند مگنترون کواکسیالی میتواند بزرگتر و با پیچیدگی کمتری نسبت به مگنترون قراردادی باشد. بنابراین بارگذاری کاتد کمتر است و شیبهای ولتاژ کاهش داده میشوند.
عوامل موثر در راندمان پمپ ها
بررسی عوامل موثر بر راندمان پمپ توسط مهندس آقا بابایی
فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات:142
پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی ارشد
مهندسی مکانیک- ساخت و تولید
فهرست مطالب:
عنوان صفحه
تشکر و قدردانی ت
تقدیم ث
چکیده ج
فهرست مطالب ح
فهرست شکلها ز
فهرست جداول ص
فصل اول: کلیات 1
1-1- مقدمه 2
1-2- تاریخچه فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 4
1-3- مکانیزم برادهبرداری فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 4
1-4- پارامترهای ورودی و خروجی فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 6
1-4-1- متغیرهای ورودی فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 6
1-4-2- متغیرهای خروجی فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 6
1-5- مزایای فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 7
1-6- دیالکتریک واسطه 7
1-6-1- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی 9
1-6-2- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی با دیالکتریک حاوی پودر 9
1-6-3- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی خشک 9
1-6-4- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک 10
1-7- ساختمان ماشین EDM 10
1-7-1- برشکاری سیمی با EDM 11
1-7-2- EDM به روش غوطهوری 12
1-7-3- فرزکاری با EDM 13
1-8- سایر فرآیندهای بر پایه EDM 13
1-8-1- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی به همراه میدان مغناطیسی 13
1-8-2- فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی به کمک ارتعاشات التراسونیک 14
1-9- مروری بر پژوهش های انجام شده در ارتباط با فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک 15
1-10- مروری بر پژوهش های انجام شده در ارتباط با اعمال میدان مغناطیسی در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی 21
1-11- اهداف پژوهش 25
1-12- ساختار پایاننامه 26
فصل دوم: تجهیزات مورد استفاده و روش آزمایش 27
2-1- تجهیزات آزمایشگاهی 28
2-1-1- دستگاه ماشینکاری تخلیه الکتریکی 28
2-1-2- مکانیزمهای اضافه شده به دستگاه 29
2-1-2-1- مکانیزم آمادهسازی سیال دیالکتریک برای فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک 30
2-1-2-1-1- کمپرسور 31
2-1-2-1-2- پمپ 32
2-1-2-1-3- دبی سنج 32
2-1-2-1-4- رگلاتور 33
2-1-2-2- مکانیزم تامین حرکت دورانی ابزار 34
2-1-2-3- مکانیزم اعمال میدان مغناطیسی 35
2-1-3- دورسنج نوری 35
2-2- مواد و ترکیبات آزمایش 36
2-2-1- قطعه کار 36
2-2-2- ابزار 36
2-3- انجام محاسبات لازم 38
2-3-1- محاسبه نرخ برادهبرداری و نرخ سایش ابزار 38
2-3-2- اندازهگیری زبری سطح 39
2-3-3- ضبط شکل موج ولتاژ در حین ماشینکاری 40
2-4- انجام آزمایش 40
فصل سوم: طراحی آزمایش به روش تاگوچی 45
3-1- تعریف طراحی آزمایش 46
3-2- هدف از اجرای طراحی آزمایش 46
3-3- مراحل استفاده از تکنیک طراحی آزمایشها 48
3-4- انواع روشهای طراحی آزمایش 48
3-4-1- طراحی آزمایش به روش تاگوچی 48
3-4-1-1- مقدمه 48
3-4-1-2- مزایای روش تاگوچی 49
3-4-1-3- ویژگیهای آرایههای متعامد 50
3-4-1-4- شرایط آرایههای متعامد در روش تاگوچی 51
3-4-1-5- انتخاب آرایه متعامد متناسب 51
3-4-1-6- مشخص کردن ستون اثرات متقابل 52
3-4-1-7- آنالیز واریانس 52
3-4-1-8- جدول آنالیز واریانس 54
3-5- نرمافزار Qualitek 56
فصل چهارم: نتایج و بحث 57
4-1- مقدمه 58
4-2- تحلیل نتایج مرحله اول آزمایشها 59
4-2-1- نرخ برادهبرداری 59
4-2-1-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر نرخ برادهبرداری 59
4-2-1-2- آنالیز واریانس مربوط به نرخ برادهبرداری و تعیین مقادیر بهینه نرخ برادهبرداری 61
4-2-2- نرخ سایش ابزار 63
4-2-2-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر نرخ سایش ابزار 63
4-2-2-2- آنالیز واریانس مربوط به نرخ سایش ابزار و تعیین مقادیر بهینه نرخ سایش ابزار 65
4-2-3- زبری سطح 66
4-2-3-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر زبری سطح 66
4-2-3-2- آنالیز واریانس مربوط به زبری سطح و تعیین مقادیر بهینه زبری سطح 68
4-3- تحلیل نتایج مرحله دوم آزمایشها 69
4-3-1- نرخ برادهبرداری 69
4-3-1-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر نرخ برادهبرداری 69
4-3-1-2- آنالیز واریانس مربوط به نرخ برادهبرداری و تعیین مقادیر بهینه نرخ برادهبرداری 71
4-4-2- نرخ سایش ابزار 72
4-3-2-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر نرخ سایش ابزار 72
4 -3-2-2- آنالیز واریانس مربوط به نرخ سایش ابزار و تعیین مقادیر بهینه نرخ سایش ابزار 73
4-3-3- زبری سطح 75
4-3-3-1- بررسی تاثیر پارامترهای ورودی موثر بر زبری سطح 75
4-3-3-2- آنالیز واریانس مربوط به زبری سطح و تعیین مقادیر بهینه زبری سطح 77
4-4- بررسی تاثیر جنس ابزار 78
4-4-1- تاثیر جنس ابزار بر نرخ برادهبرداری 78
4-4-2- تاثیر جنس ابزار بر نرخ سایش ابزار 79
4-4-3- تاثیر جنس ابزار بر زبری سطح 80
4-5- مقایسه فرآیندهای ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی، خشک و نیمهخشک 81
4-6- تاثیر اعمال میدان مغناطیسی 84
4-6-1- تاثیر میدان مغناطیسی بر نرخ برادهبرداری 84
4-6-2- تاثیر میدان مغناطیسی بر زبری سطح 86
4-6-3- تاثیر میدان مغناطیسی بر نرخ سایش ابزار 88
4-6-4- آنالیز امواج تخلیه 89
4-6-5- آنالیز سلامتی سطوح ماشینکاری شده 91
فصل پنجم: نتیجهگیری و پیشنهادات 92
5-1- نتیجهگیری 93
5-2- پیشنهادات 96
مراجع 97
پیوستها 104
فهرست شکلها
عنوان صفحه
شکل 1-1- شماتیک فرآیند برشکاری سیمی با EDM 11
شکل 1-2- شماتیک فرآیند EDM به روش غوطهوری 12
شکل 1-3- شماتیک فرآیند فرزکاری با EDM 13
شکل 1-4- میکرو تصاویر نوری حفرات تخلیه برای سه جنس مختلف الکترود ابزار الف) ابزار گرافیتی ب) ابزار مسی
ج) ابزار گرافیتی نفوذ داده شده با مس 16
شکل 1-5- زاویه پیشروی ابزار الف) 0= α، ب)100- = α و ج)300- = α 18
شکل 1-6- زاویه تمایل ابزار الف) 100= β و ب) 0 30= β 18
شکل 1-7- میدان مغناطیسی در اطراف ابزار و قطعهکار 21
شکل 2-1- ماشین اسپارک مورد استفاده در این مطالعه 29
شکل 2-2- مکانیزم استفاده شده برای رساندن دیالکتریک به فاصله گپ در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی
نیمهخشک 30
شکل 2-3- شماتیک مکانیزم استفاده شده برای رساندن دیالکتریک به فاصله گپ در فرآیند ماشینکاری تخلیه
الکتریکی نیمهخشک 31
شکل 2-4- کمپرسور مورد استفاده در این پژوهش 31
شکل 2-5- پمپ مورد استفاده در این پژوهش 32
شکل 2-6- دبیسنج استفاده شده در این پژوهش 33
شکل 2-7- رگلاتور مورد استفاده در این پژوهش 33
شکل 2-8- مکانیزم تأمین حرکت دورانی ابزار 34
شکل2-9- اینورتر مدل LS600 34
شکل 2-10- محفظه آهنرباهای مغناطیسی و خطوط میدان مغناطیسی ناشی از آنها در اطراف قطعهکار 35
شکل 2-11- دورسنج نوری مورد استفاده در این مطالعه 35
شکل 2-12- قطعهکار مورد استفاده در این مطالعه 36
شکل 2-13- ابزار مورد استفاده در این مطالعه 37
شکل 2-14- ترازوی دیجیتالی Radwag‐WTB 38
شکل 2-15- زبری سنج Mahr perthometer M2 39
شکل 2-16- اسیلوسکوپ دیجیتالی1052U –GDS 40
شکل 3-1- فلوچارت تحلیل نتایج 53
شکل 4-1- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ برادهبرداری در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله اول آزمایشها 61
شکل 4-2- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ سایش ابزار در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله اول آزمایشها 64
شکل 4-3- نمودارهای اثر اصلی مربوط به زبری سطح در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله اول آزمایشها 67
شکل 4-4- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ برادهبرداری در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله دوم آزمایشها 70
شکل 4-5- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ سایش ابزار در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله دوم آزمایشها 73
شکل 4-6- نمودارهای اثر اصلی مربوط به زبری سطح در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
در مرحله دوم آزمایشها 76
شکل 4 -7- مقایسه نرخ برادهبرداری به دست آمده با دو ابزار مسی و برنجی در سطوح انرژی تخلیه مختلف 78
شکل 4-8- مقایسه نرخ سایش ابزار به دست آمده با دو ابزار مسی و برنجی در سطوح انرژی تخلیه مختلف 79
شکل 4-9- مقایسه زبری سطح به دست آمده با دو ابزار مسی و برنجی در سطوح انرژی تخلیه مختلف 80
شکل 4-10- (الف) نرخ برادهبرداری، (ب) نرخ سایش ابزار و (ج) زبری سطح، به دست آمده با فرآیند ماشینکاری
تخلیه الکتریکی معمولی، نیمهخشک و خشک در سطوح انرژی تخلیه کم، متوسط و زیاد 82
شکل 4-11- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ برادهبرداری در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک با
میدان مغناطیسی و در غیاب میدان مغناطیسی 86
شکل 4-12- نمودارهای اثر اصلی مربوط به زبری سطح در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
با میدان مغناطیسی و در غیاب میدان مغناطیسی 87
شکل 4-13- نمودارهای اثر اصلی مربوط به نرخ سایش ابزار در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک
با میدان مغناطیسی و در غیاب میدان مغناطیسی 89
شکل 4-14- امواج تخلیه فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک (الف) در غیاب میدان مغناطیسی و
(ب) با میدان مغناطیسی، پس از 10 دقیقه ماشینکاری 90
شکل 4-15- میکرو تصاویر نوری سطوح ماشینکاری شده با فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک،
(الف) با میدان مغناطیسی و (ب) در غیاب میدان مغناطیسی 91
فهرست جداول
عنوان صفحه
جدول 2-1- مشخصات دستگاه EDM 29
جدول 2-2- ترکیب شیمیایی قطعهکار 36
جدول 2-3- مشخصات اصلی ابزار مسی 37
جدول 2-4- مشخصات اصلی ابزار برنجی 38
جدول 2-5- پارامترهای ثابت مرحله اول آزمایشها 41
جدول 2-6- شرایط مرحله اول آزمایشها (جدول طراحی آزمایش تاگوچی و سطوح پارامترهای ورودی برای مرحله
اول آزمایشها) 41
جدول 2-7- پارامترهای ثابت مرحله دوم آزمایشها 42
جدول 2-8- شرایط مرحله دوم آزمایشها (جدول طراحی آزمایش تاگوچی و سطوح پارامترهای ورودی برای مرحله دوم
آزمایشها) 42
جدول 2-9- شرایط انجام آزمایشها در مرحله سوم و چهارم 43
جدول 2-10- پارامترهای ثابت مرحله سوم و چهارم آزمایشها 44
جدول 2-11- سایر شرایط ماشینکاری برای مرحله پنجم آزمایشها 44
جدول 3-1- آرایه متعامد L_(8 ) (2^7 ) 50
جدو ل 3-2- جدول آنالیز واریانس برای یک آرایه متعامد L9 با چهار فاکتور کنترلی 55
جدول 4-1- آنالیز واریانس برای نرخ برادهبرداری در مرحله اول آزمایشها 62
جدول 4-2- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه نرخ برادهبرداری در مرحله اول آزمایشها 62
جدول 4-3- آنالیز واریانس برای نرخ سایش ابزار در مرحله اول آزمایشها 65
جدول 4-4- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه نرخ سایش ابزار در مرحله اول آزمایشها 65
جدول 4-5- آنالیز واریانس برای زبری سطح در مرحله اول آزمایشها 68
جدول 4-6- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه زبری سطح در مرحله اول آزمایشها 68
جدول 4-7- آنالیز واریانس برای نرخ برادهبرداری در مرحله دوم آزمایشها 71
جدول 4-8- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه نرخ برادهبرداری در مرحله دوم آزمایشها 71
جدول 4-9- آنالیز واریانس برای نرخ سایش ابزار در مرحله دوم آزمایشها 74
جدول 4-10- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه نرخ سایش ابزار در مرحله دوم آزمایشها 74
جدول 4-11- آنالیز واریانس برای زبری سطح در مرحله دوم آزمایشها 77
جدول 4-12- مقدار فاکتورهای ورودی برای رسیدن به مقدار بهینه زبری سطح در مرحله دوم آزمایشها 77
چکیده:
فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی یکی از فرآیندهای پیشرفته ماشینکاری است که ماشینکاری قطعات سخت و با استحکام بالا مانند سرامیکها و فولادهای عملیات حرارتی شده از کاربردهای مهم این فرآیند است. علیرغم کاربردهای منحصربهفرد این روش ماشینکاری، نرخ برادهبرداری پایین، زبری سطح بالا، نرخ سایش ابزار بالا و مشکلات زیستمحیطی ناشی از انجام این فرآیند، از جمله مشکلات و محدودیتهای این روش ماشینکاری محسوب می شود.
در این پژوهش عملیات سوراخکاری با فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک مورد بررسی قرار میگیرد. در این راستا، فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک، به منظور برطرف کردن محدودیتهای فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی، معرفی میشود و با استفاده از روش طراحی آزمایش تاگوچی، آزمایشهایی برای بررسی تاثیر پارامترهای ورودی مختلف بر مشخصات خروجی این فرآیند از قبیل نرخ برادهبرداری، نرخ سایش ابزار و زبری سطح طراحی و انجام شده و مقادیر بهینه نرخ برادهبرداری، نرخ سایش ابزار و زبری سطح بههمراه شرایط رسیدن به این مقادیر بهینه مشخص میشود. آنالیز واریانس نیز برای تعیین مهمترین فاکتورهای موثر بر مشخصات خروجی این فرآیند بکار گرفته میشود. همچنین تاثیر جنس ابزار (مس و برنج) بر عملکرد ماشینکاری این فرآیند مورد بررسی قرار گرفته و این فرآیند با فرآیندهای ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی و خشک مقایسه میشود تا مزایای این فرآیندها در مقایسه با یکدیگر مشخص شود و در نهایت، تاثیر اعمال میدان مغناطیسی به فاصله گپ در این فرآیند مورد بررسی قرار میگیرد. نتایج به دست آمده از این پژوهش نشان داد که فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک کمترین زبری سطح را تولید میکند و مطلوبترین فرآیند برای عملیات پرداختکاری میباشد، درحالیکه فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی معمولی بهترین فرآیند برای عملیات خشنکاری است. همچنین با اعمال میدان مغناطیسی به فاصله گپ در این فرآیند، نرخ برادهبرداری افزایش یافته و زبری سطح کمتری به دست میآید. میکرو تصاویر نوری سطوح ماشینکاری شده نیز نشان میدهند که سلامتی سطح بهتری در فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک به کمک میدان مغناطیسی در مقایسه با فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک بدون میدان مغناطیسی به دست میآید.
کلمات کلیدی: ماشینکاری تخلیه الکتریکی نیمهخشک، روش طراحی آزمایش تاگوچی، میدان مغناطیسی، نرخ براده برداری، نرخ سایش ابزار، زبری سطح.
چکیـده:
این مقاله تحقیقی در مورد بررسی لامپهای پرقدرت مورد استفاده در رادار از نظر پهنای باند، قدرت، بهره ، راندمان و غیره میباشد.
در فصل اول با مطالعه روی لامپهای با میدان متقاطع (M- Type) و توصیف انواع آن پیشرفتهای اخیر در این زمینه را ارئه نموده است.
در فصل دوم به بررسی لامپهای با پرتو خطی (O-Type) و انواع مختلف آن و بررسی عمکرد تکتک آنها و آخرین تکنولوژی روز جهان پرداخته شده است.
فهرست مطالب :
چکیده
فصل اول: لامپهای پرقدرت مورد استفاده در رادار از نظر پهنای باند
مقدمه
۱- اسیلاتورهای مگنترون
۱-۱- مگنترونهای استوانهای
۲-۱- مگنترون کواکسیالی
۳-۱- مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ
۴-۱- مگنترون کواکسیالی معکوس
۵-۱- مگنترون کواکسیالی Frequency – Agile
6-1- VANE AND STARP
7-1- Ruising Sun
8-1- injection- Locked
9-1- مگنترون Beacom
۲- CFA(Cross Field Ampilifier)
1-2- اصول عملکرد
فصل دوم: لامپهای با پرتو خطی (O- Type)
مقدمه
۱- کلایسترونها
۱-۱- تقویتکننده کلایسترون چند حفرهای (Multi Cavity)
2-1- کلایسترونهای چندپرتوی (MBK)
1-2-1- کلایسترون چند پرتوی گیگاواتی (GMBK)
2- لامپ موج رونده (TWT)
1-2- تاریخچة TWT
2-2- اجزای یک TWT
3-2- اساس عملکرد TWT
4-2- کنترل پرتو
۵-۲- تغییر در ساختار موج آهسته
۶-۲- لامپهای TWTCouped Cavity
1-6-2- توصیف فیزیکی
۲-۶-۲- اصول کار TWTCouped Cavity
3-6-2- تولید TWTCouped Cavity های جدید
۷-۲- لامپهای Helix TWT
8-2- TWT های پرقدرت
۳- گایروترونهای پالس طولانی و CW
1-3- پیشرفتهای اخیر در تقویتکنندههای گایروکلاسترون موج میلیمتری در NRL
2-3- WARLOC رادار جدید پرقدرت ghz 94