تحقیق و بررسی در مورد عوامل متمایز کننده در MRI 12 ص

اختصاصی از کوشا فایل تحقیق و بررسی در مورد عوامل متمایز کننده در MRI 12 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 12

عوامل متمایز کننده در MRI Contrast Agents

امروزه بعنوان عامل متمایز کننده در MRI مورد استفاده قرار می گیرند.

در 15 سال قبل هدف اصلی دانشمندان گسترش نشانه گذاری و پاسخی برای اساسی برای گسترش حساسیت بالای بود.

از نشانه گذاری آلبومین سرم انسان برای توسعه عوامل آنژیوگرافی و تشخیص مولکولهایی با غلظت های کم استفاده می شود.

با روشهای مختلف می توان سلول هایی که در MRI قادرند با Gd کی لیت بسازند را مشخص کرد. نهایتاً با ویژگی تغییر جهت پارامغناطیسی کمپلکس می توان یک سری جدید عوامل متمایز کننده (CA) که مبنی بر انتقال سیگنال مولکول آب و ویژگی تبادل پروتونهای CA و واکنش بین مولکولهای آب با لانتایند بهره برداری کرد.

تفکیک فضایی بسیار عالی و ظرفیت برجسته بافت های مختلف، موفقیت گسترده در زمینه MRI را در تشخیص های پزشکی بوجود آورده اند.

تمایز در MRI در نتیجه یک تأثیر و تأثر فاکتورهای زیادی از کمپلکس که شامل رابطه زمان های آسایش و و دانسیته پروتون بافتها و پارامترهای مفید دیگر می باشند.

تمایز در MRI می توان بوسیله عامل متمایز کننده مناسب افزایش پیدا کند. در واقع این نشان می دهد که عوامل متمایز کننده باعث تغییر سرعت آسایشی پروتون آب می شود که این اطلاعات فیزیولوژی همراه با این CA ها برتر از تفکیک آناتوی معمولی بدست آمده در غیاب CA هستند.

CA ها بطور وسیع در پزشکی برای تشخیص اندام تخریب شده و شکستگی سد مغزی – خونی رو عوامل ناهنجار در تصفیه کلیه و جریان خون در بافتها مورد استفاده قرار گیرند. از کاربردهای دیگر می توان نشانگذاری تومور را که پیوسته تحت گسترش قرار دارد نام برد.

هر روز حدود 35% معالجات MRI ، از CA ها استفاده می شود. برخلاف CAهای مورد استفاده در مغز نگاری کامپیوتری و درمانهای هسته ای، CA های MRI بطور مستقیم در تصویر مشخص نیستند. CA ها روی زمانهای آسایش پروتونهای آب و در نتیجه روی شدت سیگنال NMR تأثیر می گذارند.

بطور کلی هدف CA ها کاهش برای دستیابی به یک سیگنال شدید در زمانهای کوتاه و نسبت سیگنال به نویر بهتر و تنها با یک اندازه گیری است.

CA هایی که مشخصاً برای دستیابی به یک سیگنال شدید در زمانهای کوتاه و نسبت سیگنال به نویر بهتر و تنها با یک اندازه گیری است.

CA هایی که مشخصاً را کاهش می دهند مثبت و آنهایی که تأثیری بیشتری روی دارند. منفی گویند. الکترونهای جفت نشده بطور قابل ملاحظه ای و را کاهش می دهند. بنابراین بیشتر روی کمپلکسهای فلزی پارامغناطیس تحقیقات به عمل می آید.

در بین یونهای فلزی پارامغناطیس فلزات واسطه یا فلزات لانتانید تحقیقات به عمل می آید.

حال ما توجه مان را روی که فلزی از سری لانتانید است متمرکز می کنیم زیرا دارای خاصیت پارامغناطیس بالا و ویژگی های مناسب در مدت آسایش الکترونی است.

این فلز هیچ وظیفه فیزیولوژی مشخصی در بین جانداران ندارد و بعنوان یون آزاد اسمیت بالایی در حدود دارد بهمین دلیل استفاده از لیگاندهایی تا تشکیل کی لیت پایدار با یونهای لانتانید دهند بسیار مهم و ضروری است.

میل ترکیب بالایی با بعضی از پلی آمینوکروکسیلیک اسیدها (حلقوی یا خطی) باعث کمپلکس های پایداری (بالاتر از می شود.

اولین CA مورد استفاده در پزشکیG d DTPA بوده که بیشتر از 10 سال تحت آزمایشات پزشکی بر روی 20 میلیون بیمار قرار گرفته است. Gd های دیگرGd-DOTA و Gd DTPA-BMA و Gd-HPDO3A می باشند. این CA ها ویژگی های مشابه در مورد سرعت دارویی دارند. زیرا آنها در خون خارج سلولی توزیع می شوند و از راه صافی خوشه ای حذف می شوند. این CA ها برای تعیین جراحات ناشی از شکستگی سد مغزی – خونی مفیدند.

دو مشتقلG d DTPA ، Gd BOPTA و Gd-EOB-DTPA هستند. علاوه بر می توان و نیز استفاده کرد. مانع اصلی رابطه بین پایداری این کمپلکهاست.

یک فلز لازم و ضروری است زیرا با تغییر شکل ساختار بیولوژیکی، یونهای با بازدهی بالا جدا می شوند. ولی ناپایداری فرمهای طراحی کی لیت های را مشکل می‌سازد.

دانلود تحقیق کامل درباره تیریستور

اختصاصی از کوشا فایل دانلود تحقیق کامل درباره تیریستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند بود.

جریان ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه می یابند اتصال را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .

اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .

برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود می شود .

بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .

1-2-مشخصات تیریستور

برای اینکه بتوان وسیله های الکترونیکی را با کیفیت کافی مورد استفاده قرار داد و از آنها محافظت کرد بایستی مشخصات و خواص آنها کاملا معلوم شوند . مشخصات تیریستور را می توان با ملاحظه سه حالت مختلف اصلی این وسیله تعیین کرد :

شرایط بایاس معکوس

بایاس مستقیم و مسدود

بایاس مستقیم و هدایت

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

در این حالت اتصالات اول و سوم به طور معکوس اتصال دوم به طور مستقیم بایاس می شوند و درست مثل یک اتصال p-n مقدار کمی جریان نشتی از کاتد به آند عبور خواهد کرد .

اعمال ولتاژ محرک مثبتی به دریچه تیریستور در حالی که آند هنوز منفی است سبب می شود که تیریستور رفتاری شبیه ترانزیستور داشته باشد و جریان معکوس نشتی آند تا مقدار قابل ملاحظه مقایسه ای با جریان دریچه افزایش یابد ، از این رهگذر اتلاف قدرت قابل ملاحظه ای در تیریستور وقوع خواهد یافت . زیاد گرم شدن اتصال می تواند سبب افسار گسیختگی حرارتی شود .

جریان آند با جریان اشباع معکوس اتصال اول به اضافه کسری از

جریان دریچه برابر است . جریان اشباع بستگی به درجه حرارت دارد . بنابراین بالا رفتن درجه حرارت اتصال باعث افزایش جریان اشباع می شود که آن نیز موجب گرم شدن بیشتر اتصال می شود . ولتاژ بیشینه دریچه در شرایط بایاس معکوس غالباً توسط سازندگان برای محدود کردن اثر حرارت معین می شود .

افزایش ولتاژ بایاس معکوس باعث پهن شدن لایه های تهی اتصالات اول و سوم می شود . اتصال اول معمولاً بخش اعظم ولتاژ آند به کاتد را مسدود می کند ، لذا منطقه تهی این اتصال غالباً پهن است . به خاطر اینکه ولتاژ مسیر سوراخ کنی توسط تماس لایه های تهی اتصالات و به وجود نیاید لایه n وسطی را کمی پهن می سازند .

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)

اتصالات اول و سوم بایاس مستقیم و اتصال دوم بایاس معکوس می شود . جریان آند در خلال مدتی که یک اتصال p-n بایاس معکوس وجود دارد ، خیلی کم است و مقدارش برابر با جریان اشباع اتصال دوم به اضافه قسمتی از جریان دریچه است . جریان دریچه در طول این شیوه عمل با این که خودش بایستی کوچک باشد جریان آند را افزایش می دهد .

1-2-3-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت

چهار روش برای روشن کردن تیریستور وجود دارد و به محض اینکه هدایت شروع شد امپدانس صفر در مسیر عبور جریان از خود نشان می دهد . همان طوری که از مشخصه کلی ولتاژ جریان یک تریستور ، در طول زمانی که تریستور هدایت می کند افت ولتاژ بین آند و کاتد در حدود 1 تا 5/1 ولت است و اصولاً مستقل از جریان آند است . چهار روش راه اندازی تیریستور وجود دارد : 1) فعال سازی نوری 2) علائم الکتریکی 3)ولتاژ بایاس مستقیم با دامنه زیاد و 4)ولتاژ بایاس مستقیم با میزان صعود سریع وجود دارد . روش دوم ، یعنی راه اندازی توسط علائم الکتریکی مهمترین و معمول ترین روش است ، در حالی که آخرین روش به علت طبیعت مزاحمی که دارد قابل اجتناب است .

(الف) روشن کردن توسط نور

دانلود تحقیق کامل درباره طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

اختصاصی از کوشا فایل دانلود تحقیق کامل درباره طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 70

فصل9 طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .

1.9 مشخصه های تقویت کننده ها

شاید مهمترین و پیچیده ترین عمل در تئوری مدار آنالوگ ، تقویت یک سیگنال ورودی از میان یک مدار ترانزیستوری یک یا چند طبقه است . یک نمای کلی تقویت کننده یک یا چند طبقه که بین شبکه های تطبیق ورودی و خروجی قرار گرفته شده در شکل 9-1 نشان داده شده است .

شکل (9-1) سیستم کلی تقویت کننده

شبکه های تطبیق ورودی و خروجی که در فصل 8 بحث شده اند نیازمند کاهش انعکاسهای نامطلوب بودند و در نتیجه نیاز به بهبود انتشار توان داشتند .

در شکل 9-1 تقویت کننده توسط ماتریس S خودش در یک نقطه با یاس DC ویژه رسم شده است. بر حسب عملکرد ویژه ، لیست زیر از یک سری پارامترهای کلیدی تقویت کننده تشکیل شده است.

بهره و اندازه بهره (برحسب dB )

فرکانس کاری و عرض باند (برحسب Hz)

توان خروجی (برحسب dBm)

شرایط انعکاس ورودی و خروجی (VSWR)

عدد نویز (برحسب dB)

بعلاوه باید اینطور در نظر گرفته شود که چنین پارامترهایی بعنوان اعوجاج درونی؛ تولید هارمونیک ، فیدبک و اثرات گرمایی می کند که همه آنها می تواند در عملکرد تقویت کننده تاثیر بگذارد .

برای طراحی پروسه تقویت کننده به صورت سازمان یافته ، ابتدا نیاز به چند تعریف برای روابط مختلف توان داریم . این کار توسط چندین ابزار انالیزی مهم که نیازمند تعاریفی برای پایداری ، نویز؛ بهره و عملکرد VSWR هستند انجام می گیرد .

وجه مشترک همه چهار مورد بالا این است که آنها می توانند توسط معادلات دایره بیان شوند و در نمودار اسمیت به نمایش در آیند .

2ـ9 روابط توان تقویت کننده

9-2-1 منبع RF

چندین تعریف برای بهره توان وجود دارد که همه آنها برای درک چگونگی عملکرد تقویت کننده RF ، بحرانی هستند بدین دلیل به ما اجازه دهید تا شکل (9-1) را براساس روابط ناشی از توان بررسی کنیم .

با فرض اینکه دو شبکه تطمیق در امپدانس منبع و بار وجود دارد . سیستم به صورت شکل (9-2-a) خلاصه می شود . نقطه شروع برای آنالیز توان ، منبع RF متصل به شبکه تقویت کننده است .

برای قرار داد نشان داده شده در شکل (2ـ9) بحث مطرح شده سیگنال در بخش 5.4.4 را (82.4 و 83.4 را ببنید) باز خوانی می کنیم و برای ولتاژ منبع می نویسیم :

(1ـ9)

a) شماتیک مختصر شده یک تقویت کننده یک طبقه b ) گراف جریان سیگنال

شکل (2ـ9) منبع و بار متصل به یک شبکه تقویت کننده یک طبقه

موج توان تابشی در رابطه با توسط :

(2ـ9)

داده شده است که توان تابشی بسوی تقویت کننده است .

توان ورودی واقعی Pin دیده شده در ترمینال ورودی تقویت کننده از امواج توان تابشی و انعکاسی تشکیل شده است ، که با کمک ضریب انعکاس ورودی می توانیم بنویسیم :

(3ـ9)

حداکثر انتقال توان از منبع به تقویت کننده زمانی حاصل می گردد که امپدانس ورودی بصورت مزدوج مختلط تطبیق شده باشند . یا برحسب ضریب انعکاسی ، باشد .

تحت شرایط ماکزیمم انتقال توان ما توان قابل دسترسی PA را تعریف می کنیم :

(4ـ9)

این عبارت وابستگی به را روشن می سازد . اگر Fin و از (2ـ9) و (4 ـ 9) دیده می شود که

2-2-9 بهره توان انتقالی

اکنون می توانیم بهره توان انتقالی را بررسی کنیم که بهره تقویت کننده ای که بین منبع و بار قرار دارد را تعیین می کند .

= توان تحویلی به بار =

توان قابل دسترسی از منبع

یا با بدست می آوریم :

(5 .9)

در این عبارت باید نسبت ، تعیین گردد . با کمک مطالب بحث شده در بخش d .4 .4 و بر اساس شکل (2ـ9) بدست می آوریم :

(a6 ـ.9)

دانلودتحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو , word

اختصاصی از کوشا فایل دانلودتحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو , word دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*  فرمت فایل:Word  قابل ویرایش و آماده پرینت. تعداد صفحه 15

فهرست مطالب

چکیده

هدف، طراحی و ساخت یک جبران کننده ایستای توان راکتیو از نوع منبع ولتاژی و بصورت چند سطحی بوده‌است،  یک اینورتر سه سطحی از نوع اینورترهای متوالی با توان نامی +3KVAR  طراحی و ساخته شده‌است، و یک روش کنترلی بر اساس کنترل اختلاف فاز با استفاده از مدولاسیون برنامه‌ریزی و بهینه شده اجرا شده‌است.

            مدارات پروژه شامل برد راه‌انداز کلیدهای الکترونیک قدرت، بردهای اندازه‌گیری ولتاژ و جریانهای فیدبک، برد پردازشگر اصلی، برد حفاظت از خازنها  بوده‌است

1-    مقدمه

تقسیم بندی

حفاظت  ورودی

مدار قفل فاز و سنکرون کننده:

جلوگیری از همزمانی روشن شدن و ایجاد زمان مرده

2-10- پردازشگر اصلی

طراحی سیستم مدولاسیون

 طراحی سیستم کنترل حلقه بسته

5- نتایج حاصل از طراحی و شبیه سازی

مراجع

طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو.  فایل word. شامل 15 صفحه. مناسب جهت انجام تحقیقات، پروژه ها و پایان نامه های دانشجویی و مقالات درسی

تحقیق و بررسی در مورد تهیه و کاربرد مواد افزودنی در روغنهای روان کننده

اختصاصی از کوشا فایل تحقیق و بررسی در مورد تهیه و کاربرد مواد افزودنی در روغنهای روان کننده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 119

بسم الله الرحمن الرحیم

دانشگاه آزاد اسلامی

واحد گچساران

دانشکده فنی و مهندسی

پایان نامة تحصیلی

جهت اخذ درجة کارشناسی در رشتة مهندسی شیمی گرایش صنایع پالایش

موضوع:

تهیه و کاربرد مواد افزودنی در روغنهای روان کننده

استاد راهنما: دکتر خلیل حسام

تهیه و تنظیم: رامین رضائی

شماره دانشجویی: 79298652

زمستان 83

تقدیم به پدر و مادر عزیزم