کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

مجموعه نمونه سوالات تئوری PowerPoint 2007 با جواب

اختصاصی از کوشا فایل مجموعه نمونه سوالات تئوری PowerPoint 2007 با جواب دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

مجموعه نمونه سوالات تئوری PowerPoint 2007 با جواب


مجموعه نمونه سوالات تئوری PowerPoint 2007 با جواب

مجموعه نمونه سوالات تئوری PowerPoint 2007 با جواب

 

این فایل شامل 153 سوال تئوری می باشد. نمونه سوالات هم به صورت فایل قابل ویرایش DOC و هم فایل PDF می باشد.

 

پسوند فایل ها : DOC و PDF

 


دانلود با لینک مستقیم

دانلود پایان نامه آزمون تئوری رشد درون زا با استفاده از اثرات سرریز بین المللی

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پایان نامه آزمون تئوری رشد درون زا با استفاده از اثرات سرریز بین المللی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود پایان نامه آزمون تئوری رشد درون زا با استفاده از اثرات سرریز بین المللی


دانلود پایان نامه آزمون تئوری رشد درون زا با استفاده از اثرات سرریز بین المللی

 

 

 

 

 

 

 



فرمت فایل : word(قابل ویرایش)

تعداد صفحات:141

 

چکیده طرح:

با توجه به اینکه کشور ایران در زمره کشور های در حال توسعه قرار دارد و استراتژی توسعه صنعتی را سر لوحه کار خویش قرار داده است , نیازمند واردات انبوه کالاهای واسطه ای و سرمایه ای است که همراه با آنها تکنولوژی نیز وارد می شود. بدیهی است مشخص کردن اثرات سرریز تکنولوژی بین المللی ناشی از واردات این دسته از کالاها به کشور بر رشد اقتصادی بسیار حائز اهمیت است.همچنین از آنجا که تکنولوژی , دانش فنی و سرمایه انسانی از عوامل اساسی رشد کشورها در دهه های اخیر تلقی می شوند , لذا لازم است عوامل مو ثر بر افزایش دانش و تکنولوژی به عنوان متغیر های اثر گذار بر رشد اقتصادی , بطور ویژه ای مورد تجزیه و تحلیل و ارزیابی قرار گیرند که این تحقیق به دنبال این مساله است.
این تحقیق با استفاده از مدلهای رشد درونزا سعی می کند تا اثرات سرریز بین المللی تکنولوژی ناشی از جریان واردات تجهیزات و ماشین آلات به ایران را بر روی  رشد اقتصادی بررسی نماید.در این جا کانال تاثیر گذاری روی رشد بدین ترتیب است که افزایش واردات کالاهای واسطه ای - سرمایه ای ارزش افزوده فرایندهای تولید را افزایش داده و حجم بالاتر این نوع از واردات از سوی دیگر به خلق ایده های جدید کمک می کند و بدین ترتیب رشد اقتصادی را بدنبال خواهد داشت.
در این پژوهش بمنظور بررسی اثرات سرریز بین المللی تکنولوژی ناشی از جریان کالاهای واسطه ای - سرمایه ای روی رشد اقتصادی از روشهای جدید تحلیل سریهای زمانی برای الگوسازی و برآورد استفاده شده است.
الگوی مورد استفاده , الگوی تصحیح خطای برداری یوهانسون-جوسلیوس است. دوره مورد مطالعه 1358 تا 1383 می باشد. با استفاده از 3 متغیر درونزای رشد تولید ناخالص داخلی بدون نفت , رشد واردات کالاهای واسطه ای – سرمایه ای و رشد سرمایه فیزیکی  و با استفاده از یک مدل AK  دو فرضیه زیر  مورد آزمون قرار گرفته اند:
1- رشد واردات کالاهای واسطه ای و سرمایه ای (ماشین آلات و تجهیزات) روی رشد بلند مدت اثری ندارند.
2-در کوتاه مدت اثرات رشد واردات کالاهای واسطه ای و سرمایه ای روی رشد اقتصادی مثبت و معنی دار است.
نتایج حاصل از برآورد بلند مدت از  هر سه روش OLS (آزمون انگل-گرنجر), الگوی تصحیح خطای  برداری(  (VECM  و الگوی ARDL مبنی بر این مطلب است که مقادیر رشد با دو دوره وقفه اثر مثبت و معنی داری بر نرخ رشد تولید نا خالص داخلی بدون نفت دارد. همچنین سرمایه فیزیکی و واردات , اثر مثبت و معنی داری بر نرخ رشد دارد.نتایج برآورد یوهانسون نشان می دهد که افزایش یک درصد در سرمایه فیزیکی و واردات به ترتیب نرخ رشد تولید را به میزان 67  و 48 درصد تغییر می دهد که  این مطلب  تائید کننده  نتایج مدلهای قبلی است، بنابراین فرضیه اول رد می شود.
همچنین با استفاده از توابع عکس العمل و الگوی تصحیح خطا نشان داده شد که علاوه بر تاثیر بلند مدت متغیر های ذکر شده , نوسانات این متغیرها نیز به تغییر در نرخ رشد تولید در کوتاه مدت خواهد انجامید.و از آنجائیکه ضریب سرعت تعدیل مربوط به نرخ رشد اقتصادی بالاست(حدود 62 درصد) , می توان گفت که هر گونه عدم تعادل بسرعت برطرف می شود، بنابراین فرضیه دوم پذیرفته می شود.
از سوی دیگر نتایج حاصل از تحقیق نشان می دهد که اثرات افزایش یک واحد واردات کالاهای واسطه ای بر رشد تولید نسبت به اثرات افزایش یک واحد سرمایه فیزیکی بسیار بیشتر است که می تواند ناشی از تکنولوژی همراه این دسته از کالاها باشد که در آنها متبلور است.به این ترتیب توجه به واردات این دسته از کالاها می تواند از طریق واردات تکنولوژی و بومی کردن آن به افزایش بازدهی سرمایه های فیزیکی در کشور منجر شود و از این رهرو می تواند یک عامل مثبت تلقی شود.


فهرست مطالب:

فصل اول:کلیات تحقیق
1-1- مقدمه    1
2-1- تعریف مسئله    2
3-1- فرضیات تحقیق    7
4-1- دلایل ضرورت و توجیه انجام طرح    7
5-1- روش تحقیق    8
6-1- مشکلات اجرایی در انجام طرح و روش حل مشکلات    8
فصل دوم :مروری بر ادبیات موضوع    10
2-1- مقدمه    11
2-1-1- تجارت آزاد و نظریه های مزیت مطلق و نسبی    12
2-1-2- ساختار تعرفه ای بهینه مطابق آخرین نظریات تجارت بین الملل    15
2-2- روند واردات کالاهای واسطه ای – سرمایه ای صنعت ایران    16
2-3- ابزارهای جهانی شدن    18
2-3-1- تجارت بین الملل    18
2-3-2- سرمایه گذاری مستقیم خارجی وسایر جریان های سرمایه    23
2-3-3- بین المللی شدن تولید    25
2-3-4- تبادل تکنولوژی    26
2-4- شاخص های جهانی شدن    27
2-4-1- شاخص سطح تجارت بین المللی    28
2-4-2- شاخص ادغام تجارت بین الملل    28
2-5- رابطة مبادله    29
2-6- رابطة بین تجارت بین الملل و رشد اقتصادی    34
2-7- اهمیت کالاهای واسطه ای – سرمایه ای صنعت در تولید    36
2ـ8ـ مروری بر مطالعات انجام شده     37
2ـ8ـ1ـ مطالعات داخلی    37
2ـ8ـ2ـ مطالعات خارجی    39
2-9- مروری اجمالی بر تغییرات واردات و سیاستهای حمایتی    45
2ـ9ـ1ـ تغییرات وزنی در ارزش واردات ایران بعد از انقلاب    45
2ـ9ـ2ـ سیاستهای محدود کنندة تجاری (سیاستهای حمایتی)     46
2ـ9ـ3ـ دلایل اتخاذ سیاستهای حمایتی    47
2ـ9ـ3ـالف- دلایل اقتصادی    47
2ـ9ـ3ـ ب ـ دلایل غیر اقتصادی    47
2ـ9ـ4ـ ترتیبات اجرایی سیاست آزاد سازی تجاری    48
2ـ9ـ5ـ بررسی حمایتهای تعرفه ای و غیر تعرفه ای در ایران (دورة بعد از انقلاب)    49
فصل سوم:مروری بر ادبیات رشد اقتصادی    51
3-1 - مقدمه    52
3-2- مروری بر تئوریهای رشد اقتصادی    52
3-2-1 - تئوریهای کلاسیک رشد     52
3-2-2- تئوری رشد هارود – دومار و تئوری های نئوکلاسیک رشد    54
3-2-3 الگوی رشد و توزیع درآمد کالدور    57
3-2-4- تئوری رشد درونزا    59
3-2-4-الف- سرچشمه های رشد درونزا    60
3-2-4-ب - بحث همگرایی    60
3-2-4-ج- گذر از رقابت کامل    62
3-2-5- مدلهای رشد درونزا    65
3-3 - مروری بر کارهای انجام گرفته در جهان و ایران    68
3-4 - ضمیمه : مدل رشد هارود - دومار    77
فصل چهارم: متودولوژی تحقیق    79
4-1-مقدمه    80
4-2- روش شناسی سریهای زمانی و مفاهیم مربوطه    80
4-2-1- تشریح الگوی تصحیح خطای برداری ‍(VECM)    83
فصل پنجم: برآورد مدل و نتیجه گیری    88
5-1- مقدمه    89
5-2 معرفی متغیرها    90
5-3- برآورد مدل     90
5-3-1- آزمون های ریشه واحد     91
5-3-2- برآورد رابطه بلند مدت با روش OLS    93
5-3-3- روش یوهانسون – جوسلیوس     93
الف) تعیین مرتبه مدل VAR      94
ب) تخمین رابطه بلند مدت و استخراج بردارهای همجمعی به روش یوهانسون – جوسلیوس    95
5-5- الگوی با وقفه گسترده توزیع شده (ARDL)    98
5-6- مدل تصحیح خطاء    98
5-7- پویایی های کوتاه مدت    100
5-8- نتیجه گیری    101
5-8-1- نتایج تجربی بلند مدت    107
5-8-1- الف) نتایج برآورد روش OLS (آزمون انگل – گرنجر)    102
5-8-1-ب ) نتایج برآورد روش ARDL و الگوی جوهانسون    102
5-8-2- روابط کوتاه مدت (پویایی های کوتاه مدت)    103
5-8-2-الف) توابع عکس العمل    103
5-8-2-ب) الگوی تصحیح خطاء    103
5-8-3- توصیه های سیاستی    104

 


دانلود با لینک مستقیم

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی


...

دانلود با لینک مستقیم

مجموعه نمونه سوالات جامع تئوری دوره آموزشی کاربر نرم افزار اداری با جواب

اختصاصی از کوشا فایل مجموعه نمونه سوالات جامع تئوری دوره آموزشی کاربر نرم افزار اداری با جواب دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

مجموعه نمونه سوالات جامع تئوری دوره آموزشی کاربر نرم افزار اداری با جواب


مجموعه نمونه سوالات جامع تئوری دوره آموزشی کاربر نرم افزار اداری با جواب

مجموعه نمونه سوالات جامع تئوری کاربر نرم افزار اداری با جواب

این مجموعه شامل سه سری نمونه سوال جامع تئوری همراه با جواب می باشد که هر سری شامل مباحث زیر می باشد:

Word

Excel

Power Point

Access

Open Office

One Note

SharePoint

Visio

 

پسوند فایل ها : DOC و PDF

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی


پایان نامه  بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

 چکیده :

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

 

فهرست مطالب :

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لولههای کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید  نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولولههای کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولولهی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

چگالی حالات در نانولولهی کربنی

نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

پراکندگی الکترون فونون

تابع توزیع الکترون

محاسبه نرخ پراکندگی کل

شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

ضرورت تعریف روال واگرد

بحث و نتیجه گیری

نرخ پراکندگی

تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

 

نوع فایل : Word

تعداد صفحات : 93 صفحه


دانلود با لینک مستقیم