طراحی و ساخت برد کنترل جهت اضافه بار و اندازه کیری وزن

اختصاصی از کوشا فایل طراحی و ساخت برد کنترل جهت اضافه بار و اندازه کیری وزن دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات:60

پیشگفتار
یکی از مهمترین قطعات مورد تاکید در استانداردهای جهانی سیستم‌های آسانسوری، برد کنترل اضافه بار می‌باشد. وظیفه این برد اندازه‌گیری بار ورودی به کابین، مقایسة آن با ظرفیت مجاز و ارسال پیامهای مناسب به برد کنترل مرکزی آسانسور می‌باشد.
مزیت استفاده از این سیستم در درجة اول تأمین امنیت جانی و جلوگیری از سقوط کابین و در درجه دوم کاهش هزینه‌های نگهداری و تعمیرات موتور در اثر استفاده نادرست از آسانسورها می‌باشد.

متاسفانه به دلیل هزینة سنگین بردهای وارداتی و عدم تمایل سازندگان داخلی به تولید مشابه داخلی به دلیل ماهیت چند تخصصی (Multi- Discplinary) تولید که مستلزم به کارگیری چند تخصص برای تولید مجموعة برد دیجیتال و ساخت قطعة مکانیکی مورد استفاده در ساختمان آسانسور و نیز سنسورهای مورد نیاز، استفاده از بردهای کنترل اضافه بار در استانداردهای ایران، اجباری شده است. هدف از پروژه حاضر، طراحی و ساخت برد کنترل اضافه بار می‌باشد.

وردی این برد، سیگنال الکتریکی حاصل از تنش سنسور strain guage متصل به قطعة مکانیکی مخصوصی می‌باشد که نمونة‌ آن در شکل زیر نشان داده شده است.
سیگنال ورودی که حاصل از تنش سنسور می‌باشد پس از تقویت و نمونه برداری وارد کنترل کننده می‌گردد. در کنترل کننده عمل تصمیم گیری نسبت به ارسال پیامهای foll load و over load متناسب با ظرفیت کابین و همچنین فعال شدن آلارم، انجام می‌شود.
بر ای تنظیم حداکثر مقادیر مجاز از پانل تنظیم دستی استفاده می‌شود. که شامل نمایشگر مناسب برای نمایش اعداد و پیغامهای لازم برای کاربرد و صفحة کلید برای ورد اطلاعات مربوط به تعداد نفرات مجاز و غیره می‌باشد.

برای طراحی این برد دیجیتالی ابتدا باید یک میکرو کنترلر مناسب در نظر گرفته شود و سپس سیستم طراحی شده توسط سخت افزار تحقق پیدا کند، برای این منظور یک بلوک دیاگرام کلی مطابق شکل زیر فرض می‌شود.
در بلوک دیاگرام فوق سنسور وظیفة تولید سینگنال آنالوگ ایجاد شده از تغییرات وزن کابین آسانسور را به عهده دارد تقویت کننده‌ای که بعد از سنسور قرار دارد. سیگنال ایجاد شده را تقویت می کنند و آن را برای عملیات کنترلی آماده می‌سازد و بعد از ا“ نیز میکروکنترلر قرار داده شده که عمل کنترل کننده را انجام می‌دهد.
بلوکهای ذکر شده در بالا همگی توسط سخت‌افزار بر روی کارت تحقق پیدا می‌کند بطوریکه سنسور وزن را که یک سیگنال آنالوگ است تشخیص می‌دهد و آن را به A/D منتقل می‌کند . سیگنال آنالوگ به سیگنال دیجیتال تبدیل می شود و سپس بوسیلة میکروکنترلر، کنترل دیجیتال روی آن صورت می‌گیرد. سیگنالهای خروجی دیجیتال می‌باشند و برای تولید پیامهای over load و full و آمار به کار می‌روند.
در فصلهای بعدی به بررسی کاملتر مباحث ذکر شده، جزئیات کار و طراحی کنترلر پرداخته می شود که مباحث ارائه شده به صورت زیر طبقه بندی می‌شوند:
در فصل اول به معرفی سنسور strain guage و اساس کار آن و معیارهای انتخاب سنسور و آرایش مداری آن می‌پردازیم.
در فصل دوم به اتصال فیزیکی سنسور ۸-G و طراحی مکانیکی المان اندازه‌گیری وزن پرداخته می‌شود.
فصل سوم به طراحی و ساخت تقویت کننده صنعتی برای S.G پرداخته خواهد شد.
فصل چهارم به طراحی و ساخت برد دیجیتال کنترل بار می‌پردازیم
در فصل پنجم، ساختار کلی برنامه میکروکنترلر ارائه خواهد شد.
در فصل ششم نیز تحقق عملی پروژه، نتایج و پیشنهادات ارائه خواهد شد.

فصل ۱:
معرفی سنسور strain Gauge

۱-۱: مقدمه:
یکی از روشهای متداول در اندازه‌گیری وزن استفاده از سنسورهای S-G می‌باشد. اساس کار این سنسورها همانطور که توضیح داده خواهد شد بر تغییر طول یک المان الکتریکی و در نتیجه تغییر مقاومت الکتریکی آن استوار است. در این فصل به معرفی اساس کار، آرایشهای مداری سنسور و نیز معیارهای انتخاب سنسور مناسب خواهیم پرداخت.

۱-۲: اساس کار سنسور S-G :
مقاومت الکتریکی هر المان فیزیکی متناسب با طول آن المان می‌باشد. یعنی یا به طور دقیق‌تر که در آن L طول المان و A سطح قطع آن می‌باشد. و اگر طول یک المان فیزیکی به هر دلیلی تغییر کند مقاومت الکتریکی آن دچار تغییر خواهد شد. این مطلب اساس کار سنسورهای S-G می‌باشد.
این سنسورها معمولاً به صورت چاپ شده می‌باشند. که نمونه‌ای از آنها در شکل زیر نمایش داده شده است.
همانطور که ملاحظه می شود و چاپ سنسور به صورت مارپیچ انجام شده در نتیجه امکان تغییر طول کلی سنسور بسیار افزایش یافته است به این معنی که با تغییر طول در هر یک از قطعه‌های افقی و با فرض اینکه تعداد این قطعه‌ها n می‌باشد. تغییر طول کلی بربر خواهد بود.

برای تبدیل تغییرات وزن به تغییر طول در سنسور لازم است از یک المان مکانیکی استفاده شود. که نمونه‌ای از آن در شکل زیر نشان داده شده است.

نقش المان مکانیکی تبدیل نیروی که ناشی از وزن است به نیروی می‌باشد تغیر نیروی باعث تغییر انحنای المان می گردد.

بعد از اعمال نیروی قبل از اعمال نیروی
اگر سنسور S-G به المان مکانیکی به طور کامل چسبانده شده باشد. تغییر انحنای فوق باعث تغییر طول این سنسور و در نتیجه تغییر مقاومت الکتریکی آن خواهد شد.
به طور خلاصه تغییر وزن باعث تغییر تنش در المان مکانیکی و در نهایت تغییر مقاومت سنسور می‌شود.
به طور علمی تنش به صورت زیر تعریف می شود.
که در آن تغییر طول ناشی از نیروی ورودی و L طول اولیه المان می‌‌باشد.

G.F به نسبت تغییر مقاومت به مقاومت اولیه تقسیم بر نسبت تغییر طول به طول اولیه G.F یا گین فاکتور می‌شود.
۱-۳- آرایش مداری سنسور S-G :
یا
سنسورهای S-G معمولاً به صورت پل مقاومتی مورد استفاده قرار می‌گیرند.

فرض و و

علت استفاده از آرایش مداری پل وتسون آن است که :
۱) تغییرات بسیار کوچک ایجاد شده در مقاومت‌های مدار را تشخیص دهیم.
۲ ) حساسیت‌ دمایی ناشی از گرم شدن مقاومت در اثر عبور جریان را کاهش دهیم برای این منظور لازم است هر چهار مقاومت مورد استفاده در پل وتستون از یک نوع یعنی چاپ شده باشند. ولی از آنجا که تنها یکی از چهار مقاومت باید نسبت به تغییر طول حساس باشد. لذا یکی از مقاومتها را در جهت تغییرات طول و سه مقاومت دیگر را عمود بر جهت تغییر طول چاپ می کنند.

۱-۴ : معیارهای انتخاب سنسورها S-G
یکی از پارامترهای الکتریکی مؤثر در انتخاب سنسور نسبت تغییر ولتاژ خروجی به دامنة ‌ولتاژ تحریک می باشد. که این پارامتر بر حسب بیان می‌شود به عنوان مثال گفته می‌شود این سنسور دارای تغییرات می‌باشد. یعنی در حالت حداکثر تنش (حداکثر مجاز ۴) و با ولتاژ تغذیة ۱۰ ولت خواهد بود.
هر چند میزان بیشتر باشد. دامنه سیگنال خروجی سنسور در تحریک یکسان بیشتر خواهد بود لذا دقت اندازه‌گیری افزایش می‌یابد.
پارامتر الکتریکی دیگری که در انتخاب سنسور باید در نظر گرفته شود سخنی تغییرات G-F می باشد. از آنجا که تغییر طول المان فیزیکی نسبت به تغییرات نیروی وارده ههم جا خطی نیست لذا منحنی GF نیز خطی نمی‌باشد و به صورت منحنی‌هایی مانند شکل زیر می‌باشد.

برای اینکه اندازه‌گیریهای دارای دقت کافی باشند لازم است سنسور در محدوده خطی آن مورد استفاده قرار گیرند. لذا انتخاب سنسوری که محدودة خطی مناسبی در وزن‌های مطلوب داشته باشد. در دقت اندازه‌گیری بسیار تأثیر گذار است.

پارامتر فیزیکی که در انتخاب سنسور باید مورد توجه قرار گیرد. حداکثر تنش قابل اعمال به سنسور می‌باشد. سنسور S-G یک المان فیزیکی می‌باشد و مانند هر المان فیزیکی دیگر دارای محدودة‌ مجاز برای تغییر طول می‌باشد. بطوریکه اگر تغییر طول سنسور بیش از این مقدار مجاز شود. دیگر خاصیت ارتباعی المان قادر به برگرداندن وضعیت سنسور به طول اولیة‌ آن نخواهد بود و سنسور خاصیت خود را از دست خواهد داد. اگر تغییرات طول باز هم بیشتر باشد می‌تواند حتی موجب پارگی قطعات چاپی سنسور شود. و لذا برای هر سنسور یک حداکثر تغییر طول مجاز یا حداکثر تنش مجاز قابل اعمال تعریف می‌شود.
۱-۵- نمونه‌ای از سنسورهای S-G و المان‌های میکانیکی:

۱-۶- روش نصب سنسور روی المان مکانیکی .

فصل ۲ :
طراحی و ساخت برد دیجیتال کنترل بار

۲-۱- مقدمه
در این فصل به توضیح و معرفی بر دو قسمتهای مختلف آن پرداخته می شود.
بلوک دیاگرام کلی سیستم در شکل (۴-۱) نشان داده شده است.
فرمانهای ارسالی به برد کنترل آسانسور
این بلوک دیاگرام شامل پنج بلوک اصلی تشکیل دهنده برد است.
– کلید و کنترلر (Microcontroler)
– مبدل آنالوگ به دیجیتال . (A/D)
– تقویت کننده (AMP)
– صفحه کلید (Keyboard)
– نمایشگر (LCD)
علاوه بر این بخشها جهت امکان ارائه آزمایشگاهی پروژه بردهای شبیه سار سنسوری – staiو برد خروجی فرمانهای ارسالی به تابلوی مرکزی آسانسور نیز طراحی و ساخته شده است.

۲-۲- میکروکنترلر
در پیاده سازی سیستم از میکروکنترلر ۸qc51 استفاده شده است. میکرکنترلر ۸qc51 یکی از میکر کنترلرهای همه منظوره می باشد که در بسیاری از سیستمهای الکترونیکی که نیاز به قابلیت برنامه‌ریزی دارند استفاده می‌گردد.
مشخصات میکروکنترلر ۸qc51:
– 128 بایت حافظه داخلی RAM
– رابط سریال
– ۶۴ کیلو بایت فضای حافظه خارجی که
– ۶۴ کیلو بایت حافظه خارجی برای داده
– پردازنده بولی ( که عملیات روی بیت ها را انجام می‌دهد)
– ۲۱۰ مکان بیتی آدرس پذیر.
– انجام عملیات ضرب و تقسیم در ۴ میکروثانیه
– چهار در گاه (I/O) هشت بیتی
– دو تایمر (شمارنده ۱۶ بیتی)
– این میکرو کنترلر قابلیت کار با ولتاژ و حداکثر جریان دهی در پورتهای خروجی آن ۱۵ma می‌باشد و فرکانس کاری این میکرو از ۴ تا ۲۴ مگاهرتز می‌باشد.

۲-۲-۰۱- بررسی پایه‌های ۸۰۵۱
این میکروکنترلر یک IC با ۴۰ پایه است که ۳۲ پایه از ۴۰ پایه این IC به عنوان در گاه I/O عمل می‌کند، که البته ۲۴ خط از این خطوط دو منظوره هستند. هر یک از این خطوط می‌تواند به عنوان I/O یا خط کنترل و یا بخشی از درگاه آدرس یا گذرگاه داده بکار بروند. یا صفحه کلید قرار گیرند و یا هر خط به تنهایی با قطعات تک بیتی مانند سوئیچ ها و ترانزیستورها ارتباط برقرار کنند.

در گاه صفر PoRT
این درگاه، یک درگاه دو منظوره از پایه ۳۲ تا ۳۹ تراشه می باشد. این درگاه در طراحی‌های با کمترین اجزای ممکن به عنوان یک درگاه I/O عمومی استفاده می‌شود و در طراحی‌های بزرگتر که از حافظة خارجی استفاده می‌کنند، این درگاه یک گذرگاه آدرس و داده مالتی پلکس شده می‌باشد.

درگاه یک (PORTT):
درگاه یک درگاه اختصاصی I/O روی پایه‌های ۱ تا ۸ است. وظیفه دیگری برای پایه‌های درگاه ۱ در نظر گرفته شده است، بنابراین گهگاه برای ارتباط با وسایل خارجی بکار می‌رود.

درگاه دوم (PORT2) :
درگاه دوم (پایه‌های ۲۱ تا ۲۸) یک درگاه دو منظوره است که به عنوان I/O عمومی و یا بایت بالای گذرگاه آدرس در طراحی با حافظه کد خارجی بکار می‌رود. این درگاه همچنین در طراحی هایی که بیش از ۲۵۶ بایت از حافظه داده خارجی نیاز دارند استفاده می‌شود.

درگاه سوم (PORT3):
در گاه سوم یک درگاه دو منظوره روی پایه‌های (۱۰ تا ۱۷ ) می‌باشد. علاوه بر I/O عمومی این پایه‌ها هر یک وظایف دیگری نیز در رابطه با امکانات خاص ۸۰۵۱ دارند.
علاوه بر درگاههای بررسی شده تراشه ۸۰۵۱ پایه‌های برای کاربردهای خاص دارد.
RST (Roset) :
ورودی RST در پایه ۹ ، آغاز کد اصلی ۸۹۰۵۱ است. هنگامی که این سیگنال حداقل برای دو سیکل ماشین در وضعیت بالا بماند، ثبات‌های داخلی ۸۹۰۵۱ با مقادیری مناسبی برای شروع به کار، بار می‌‌شوند. مداری که با روشن کردن سیستم IC را Roset می‌کند تا میکرو از ابتدای نرم افزار شروع به خواند کند مطابق شکل (۳-۶) می‌باشد.
شکل (۳-۴) اتصال RST به مدار Roset

(Address Latch enable ) ALE:
از این پایه (پایه ۳۰ ) برای جداسازی گذرنامه آدرس و داده استفاده می‌شود. وقتی که ۸۰۵۱ به یک حافظه بیرون وصل می‌شود، پورت صفر هر دو مقدار داده و آدرس را تهیه می‌کند. به بیان دیگر ۸۰۵۱ آدرس و داده را از طریق پورت صفر مالتی پلکس می نماید تا در مصرف پایه‌ها صرفه‌جویی شود. پایه ALE برای دی مالتی پلکسی کردن آدرس و داده به کار می رود. بنابراین وقتی است، ۸۰۵۱ پورت صفر را به عنوان سیر داده و وقتی ALE=1 است، آن را به عنوان مسیر آدرس به کار می‌برد.
در حالت معمولی می‌باشد و در این صورت به عنوان گذرگاه داده عمل کرده و داده را به خارج و یا داخل هدایت خواهد کرد.

(Exterhal Aceess) EA :
سیگنال ورودی EA در پایة ۳۱ به سطح منطقی بالا (Vce) و یا پایین (GND) وصل می‌شو.
اگر این پایه در وضعیت بالا قرار گرفته باشد ۸۰۵۱ برنامه را از ROM داخلی غیرفعال می‌شود و برنامه‌ها از EPROM خارجی اجرا می‌شوند.
Vce و GND ( اتصال تغذیه):
این تراشه با یک تغذیة +۵V کار می کند. پایه ۴۰ ولتاژ تغذیه را برای تراشه فراهم می‌کند و پایة ۲۰ زمین است.

۲-۲-۲- نحوة اتصالات میکروکنترلر
در گاه صفر : از این درگاه برای اتصال یک صفحه کلید به میکرو استفاده شده است.
درگاه یک (p1): این پورت در سیستم به خروجیهای ADC متصل است و مقدار دیجیتال سنسور بر روی این پورت ریخته می‌شود.
درگاه دوم (P2): این درگاه برای اتصال میکرو به صفحه نمایش بکار رفت است.
درگاه سوم (P3) : پایه‌های (P3.2 , P3.1 , P3.0) به بلوک ADC متصل هستند که پایة P3.2 پایة INT فعال کننده ADC است و دو پایه دیگر برای RD و WR تراشه ADC است.
پایه‌های P3.4 تا p3 به بلوک فرمانهای کنترل آسانسور متصل می شود.
پایة P3.3 (SET) نیز به یک LED نشان دهندة خاتمه عملیات Setting متصل می‌شود.
RST: این پایه به مدار Roset متصل می‌گردد.
XTAL1 و XTAL2 : این پایه‌ها به یک کریستال ۱۲ کیلو هرتز متصل هستند.
EA: در مدار مورد برسی این پایه به سطح بالا وصل می‌شود تا برنامه از ROM داخلی خوانده شود. Vce و GND: این دو پایه به مدار منبع تغذیه که ولتاژ ۵ ولت را تولید می کند وصل نشده‌اند.

شکل ۴-۴ اتصالات میکروکنترلر
۲-۳- تبدیل کننده آنالوگ به دیجیتال
در این بخش تراشة ADC (مبدل آنالوگ به دیجیتال) بررسی شده است.
ابتدا به توصیف تراشه ADC پرداخته شده و سپس چگونگی اتصال آن به ۸۰۵۱ نشان داده شده است.
مبدلهای آنالوگ به دیجیتال از وسایل متداول برای اخذ داده می‌باشند. کامپیوترهای دیجیتال مقادیر دو رویی جدا از هم را بکار می‌برند. ولی در جهان فیزیکی همه چیز آنالوگ است یک کمیت فیزیکی (وزن، دما، فشار، رطوبت) با وسیله‌ای به نام مبدل قابل تبدیل به یک سیگنال الکتریکی (جریان یا ولتاژ) است. مبدلها را سنسور یا حسگر می نامند. گر چه سنسورها برای وزن دما، فشار، سرعت و . . . ساخته شده‌اند ولی همه آنها یک نوع خروجی را که ولتاژ یا جریان است تولید می‌کنند بنابراین یک مبدل آنالوگ به دیجیتال برای تبدیل سیگنالهای آنالوگ به اعداد دیجیتال لازم است، بطوریکه PC بتواند آنها را بخواند. در سخت افزار مورد استفاده از یکی از پرمصرفترین تراشه‌های ADC به نام تراشة ADC0804 استفاده شده است.

۲-۳-۱- تراشه ADC 804
آی سی ADC804 یک مبدل آنالوگ به دیجیتال و از خانواده ADC800 است. با ts ولت کار می کند و دارای قابلیت دقت یا تجزیه ۸ بیتی است. علاوه بر دقت زمان تبدیل هم فاکتور مهم دیگری در انتخاب ADC است. زمان تبدیل به معنی زمانی است که ADC لازم دارد تا سیگنال آنالوگ ورودی را به روی پایه‌های dKR یا CLKIN تغییر است ولی نمی‌تواند سریعتر از ۱۱۰ میکرو ثانیه باشد.

۲-۳-۲- بررسی پایه‌‌های ADE 804
CS: پایة CS (پایه ۱ ) یک ورودی فعال پایین است که برای فعال کردن تراشه بکار می رود . برای فعال کردن تراشه این پیه صفر می‌شود.

(Road) RD :
این سیگنال ورودی فعال پایین روی پایه ۲ است. ADC سیگنال آنالوگ ورودی را به معادل دودویی تبدیل کرده و آن را در یک ثبات داخلی نگه می دارد. RD برای خارج کردن داده از تراشه ۸۰۴ استفاده می‌شود. وقتی CS=0 است اگر یک پالس بالا- پائین به پایه RD اعمال شود، بیت خروجی دیجیتال در پایه‌های نشان داده خواهند شد. پایه RD فعال ساز خروجی هم خوانده می‌شود.

(wright) WR:
یک سیگنال ورودی فعال پایین روی پایه ۳ است. که آغاز روند تبدیل را به ADC804 اطلاع می‌دهد. اگر باشد به هنگام انتقال بالا به پائین WR، تراشه ADC804 شروع به تبدیل ورودی آنالوگ vin به عدد دیجیتال ۸ بیتی می نماید. مقدار زمان لازم برای تبدیل به مقادیر clkin و clkR بستگی دارد. پس از اتمام تبدیل داده پایه INTR بوسیلة ADC 804 به پایین واداشته می شود.

CLKR- CLKIN:
CLKIN پایه ۴ تراشه یک پایه ورودی متصل به یک منبع ساعت خارجی است که هنگام استفاده از ساعت خارجی برای زمان بندی استفاده می‌شود. تراشة ۰۴ دارای یک مولد ساعت داخلی نیز است که برای استفاده از آن پایه‌های CLKR- CLKIN به یک مقاومت و یک خازن وصل می شوند.
در این مدار از ساعت خارجگی استفاده می‌شود و پایة ۴ را به پایة ALE میکرو متصل می‌کنیم.

INTER (وقفه):
INTER پایه پنجم ADC که یک پایه خروجی فعال پایین است. این پایه معمولاً بالاست و وقتی تبدیل پایان یابد، به سطح پایین رفته و به cpu آمادگی برای برداشتن داده را اطلاع می دهد. پس از پائین رفتن INIR ، یک CS=0 ایجاد و یک پالس بالا به پائین به پایة RD فرستاده می‌شود تا داده به خارج از تراشه ADC 804 برود.
Vin (-) , Vin (+) : Vin (-) , Vin (+) ورودی‌های آنالوگ تفاضلی هستند که در آن Vin (+) – Vin (-) = Vin می‌باشد. اغلب Vin(-) به زمین و Vin(+) به وردی آنالوگ جهت تبدیل به دیجیتال وصل است.

: که پایه های ۱۱ تا ۱۸ را شامل می شوند ( D7 همان MSB و همان LSB است) پایه‌های خروجی داده دیجیتال است. این خروجی های سه حالته بافر شده و داده تبدیل شده فقط رمانی که CS=0 باشد و RD به پایین وا دا شته شود قابل دسترسی است.
برای محاسبة ولتاژ خروجی، فرمول زیر بکار می‌رود:

که برابر است با خروجی داده دیجیتال ، Vin ولتاژ ورودی آنالوگ و اندازه پله یا دقت هم در ازای کوچکترین تغییر می باشد که برای ADC هشت بیت برابر است.
: پایة ۹ تراشه یک ولتاژ ورودی است که به عنوان نرجع بکار می ‌رود.
اگر این پایه باز باشد، وردی آنالوگ برای ADC804 در محدودة ۰ تا ۵ ولت است مثل پایة Va) با این وجود کاربردهای بسیار دیگری که به vin وصل می‌شوند به جز تا ۵ ولت است.
هنگامی به کار می رود که ولتاژ ورودی در محدوده نباشد مثلاً اگر محدوده وردی آنالوگ ۰ تا ۴ ولت باشد. به ۲ ولت وصل می شود. جدول (۱-۴) محدودة Vin را برای انواع ورودیهای نشان می‌دهد.

۲-۳-۳- روش اتصال ADC 804
در مباحث بالا به بررسی پایه‌های ADC 804 پرداخته شد و چگونگی فعال شدن هر پایه توضیح داده شد. در این قسمت چگونگی اتصال هر یک از پایه‌ها به اجزای دیگر مدار نشان داده می‌شود.
پایة Cs (پایة ۱): برای فعال کر دن A/D صفر می‌شود.

پایة Rd ( پایة ۲) : برای خواندن مقداری که در ثبات داخلی A/D نگهداری می شود باید به این پایه یک پالس بالا- پایین اعمال شود. این پایه به پایه صفر از پورت سوم (P3.0) تراشه ۸۰۵۱ متصل شده است، که به صورت نرم‌افزارش پاس از این پایه دریافت می کند. فعال می‌شود.
پایه WR (پایة ۳): برای آغاز روند تبدیل ورودی آنالوگ به عدد دیجیتال به این پایه باید یک پالس بالا – پایین اعمال شود. این پایه به پایة یک از پورت سوم (p3.1) از تراشه ۸۰۵۱ متصل شده است که بصورت نرم‌افزاری پالس از این پایه دریافت می کند.

Clking R (پایه ۴ و ۱۹) : برای زمانبندی A./D همانطوری که در شکل مشاهده می‌شود از clk میکرو استفاده شده است به این ترتیب که پایة‌۳۰ ALE/P به CLKIN در پایة c.4 ADC 84 متصل است.
INTR ( وقفه ) پایة ۵) : این پایه نشان دهنده اتمام تبدیل ADC است. زمانیکه کار ADC است .

مقاله ذرات فلزی با اندازه نانو

اختصاصی از کوشا فایل مقاله ذرات فلزی با اندازه نانو دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فایل بصورت ورد (قابل ویرایش) و در 75 صفحه می باشد.

فهرست

مقدمه  ۳
چکیده   ۵
فصل اول تکنیک های پراش با  زاویه کوچک(SAS)   ۷
۱-۱- تکنیک های پراکندگی زاویه کوچک (SAS)  ۸
۲-۱- پخش (ارسال) نوری:   ۱۷
۳-۱- ارسال نوترون زاویه کوچک( (SANS   ۲۱
فصل دوم تئوری SAXS   ۲۴
۱-۲- قانون Guinier و شعاع دوران  ۲۹
۲-۲- تداخل بین ذره ای (Interparticle Interference)  ۳۱
فصل سوم تجهیزات (SAXS)   ۳۳
۱-۳- تجهیزات آشکارسازی شمارنده ای  ۳۴
۱-۱-۳- دیفرکتومتر چهار شکافی (Four –Slit diffractomter)  ۳۵
۲-۳- دوربینهای شناسایی فتوگرافیکی  ۳۷
۱-۲-۳- دوربین kratky  ۳۸
۳-۳- تجهیزات سیستم SAXS نصب شده در شرکت مترولوژی (UMASS)   ۴۲
۱-۳-۳- منبع تشعشع   ۴۲
۲-۳-۳- جداسازی و برد q:   ۴۴
۳-۳-۳- آشکارسازهای سطح:   ۴۹
۴- ۳-۳- محفظه های مربوط به نمونه:   ۵۳
۵-۳-۳- سیستم خلاء   ۵۵
۶-۳-۳- سکوئی برای سیستم نصب:   ۵۵
۷- ۳-۳- سیستم ایمنی:   ۵۵
۸-۳-۳- الکترونیک و اینترفیس (واسطه) کامپیوتری:   ۵۶
۹- ۳-۳- نرم افزار آنالیز داده ها   ۵۷
۱۰-۳-۳- تجهیزات جانب یبرای عملکرد بهینه:   ۵۸
۱۱- ۳-۳- گزینه ها:   ۵۹
فصل چهارم شرایط و دستورالعمل آزمایشگاهی  ۶۰
۱-۴- تکفام کنندگی و انتخاب طول موج  ۶۱
۲-۴- تنظیم و ساخت شکاف (slit)  ۶۱
۳-۴- خلاء لازم  ۶۲
۴-۴- روش آشکارسازی  ۶۲
۵-۴- آماده سازی نمونه ها  ۶۳
۶-۴- نمونه ها  ۶۳
۷-۴- نمونه های استاندارد  ۶۳
۸-۴- زمان آنالیز  ۶۴
فصل پنجم تصحیح داده ها  ۶۵
فصل ششم آنالیز داده های SAXS   ۶۷
فصل هفتم کاربرد SAXS   ۷۱
فصل هشتم مزایا و معایب روش SAXS  ۷۴
منابع:   ۷۶

منابع:

 ۱-keitarou nakamura,Takashi kawabata , size distribution

Analysis of colloidal gold by small angle x-Ray scattering and light absorbtion ,powder Technology 131(2003)120-128

2- Benjamin chu and benjamin S.Hsido , small angle x-Ray scattering of polymers , chem.Rev 2001,101,1727-1767

3-faelble , E.F,Handbook of x-Ray for diffraction ,emission , absorbtion. Chapter 16, Grosskreatz , j.c Midwest research institute ,1961

4- EDWARD A.collins , JAN BARES , Experimen In polymer science, Awilley – Interscience publication 1973

5- structural Analysis of cylindrical particles by small angle x-Ray scattering , DISSERTATION , zur Erlaqung  des dkade , Doktors der Naturwissenschafen , der unirer sitate Bayreath, 2005

مقدمه

ذرات فلزی با اندازه نانو نقش مهمی را در مهندسی مواد ایفا می کنند چون که ویژگیهای ذرات با اندازه نانو با ویژگیهای بقیه مواد متفاوت است ]۱[

توزیع اندازه ذرات نانو با استفاده از تکنیک میکروسکوپ TEM قابل اندازه گیری است TEM یک تکنیک فوق العاده مفید برای حصول اطلاعاتی نظیر توزیع اندازه ذره ، اندازه متوسط ذره و شکل ذرات نانو است ]۱[

اندازه گیری TEM نیاز به عملیات پیچیده برای آماده سازی نمونه و مهارت بالای اپراتور دارد و زمان اندازه گیری طولانی است بعلاوه تکنیک TEM یک روش اندازه گیری در محل (In situ) نیست و تعداد ذرات اندازه گیری شده از فتوگراف ، در اغلب موارد از اندازه گیریهای تئوریکی کمتر است ]۱[

بنابراین اکثر محققان در ارتباط با نانو تکنولوژی در جستجوی یک روش مناسب و یک روش In situ  برای اندازه گیری توزیع ذرات نانو بودند این روشها بر اساس پراکندگی در زوایای کوچک استوار بود ]۱[

Small-angle scattering =SAS

SAX  در واقع یک نام کلی است که برای مجموعه ای از تکنیکهای زیر بکار می رود]۲[

Small-angle Light Scattering (SALS)

Small-angle x-Ray scattering (SAXS)

Small-angle Neutron scattering (SANS)

در تمامی تکنیکهای فوق پراکندگی بصورت الاستیک بوده و اطلاعاتی در خصوص اندازه، شکل و توزیع ذرات بدست می آید تفاوت کلی تکنیکهای فوق در منبع تابش است که بر فاکتورهای زیر مؤثر است :

الف ) تفاوت در نمونه هایی که می توانند آنالیز شوند

ب ) تفاوت در بخش های قابل بررسی

ج ) تفاوت در اطلاعات نهایی حاصل ]۲[

بطور کلی در تکنیک SAXS، particles ها مسئول ایجاد پراکندگی هستند در واقع particles ها نواحی میکروسکوپی کوچکی هستند که دانسیته الکترونی متفاوتی از اطرافشان دارند ]۳[

تحت شرایط ایده آل اندازه و شکل ذرات می توانند بوسیله شدت پراش بعنوان تابعی از زاویه پراش تعیین شوند رنج اندازه ذراتی که توسط ابن تکنیک قابل اندازه گیری است در محدوده A1000-200 قرار دارد در نتیجه مواردی نظیر رسوبات در آلیاژهای محلول جامد ، سوسپانسیونهای کلوئیدی – ژلها – مولکولهای بزرگ به کمک این روش قابل شناسایی هستند ]۳[

در تکنیک SAXS پراش در زوایای کمتر از ۵ رخ می دهد شکل کلی پراش در شکل ۱ نشان داده شده است ]۴[

چکیده

ذرات فلزی با اندازه نانو نقش مهمی را در مهندسی مواد ایفا می کنند چونکه ویژگیهای ذرات با اندازه نانو با ویژگی های بقیه مواد متفاوت است

توزیع اندازه ذرات نانو با استفاده از تکنیک میکروسکوپ TEM قابل اندازه گیری است TEM یک تکنیک فوق العاده مفید برای حصول اطلاعاتی نظیر توزیع اندازه ذره , اندازه متوسط ذره و شکل ذرات نانوست

بنابراین اکثر محققان در ارتباط با نانو تکنولوژِی در جستجوی یک روش مناسب و یک روش In suit برای اندازه گیری توزیع ذرات نانو بودند این روشها بر اساس پراکندگی در زوایای کوچک استوار بود

 Small angle X-ray Scattering  (SAXS)

فصل اول

 تکنیک های پراش با  زاویه کوچک(SAS)

• پخش یا پراکندگی زاویه کوچک یک عنوان مشترک در روش های نام برده زیر می باشد:

- متفرق شدن زاویه کوچک نور (SALS).

- پراکندگی (متفرق شدن) زاویه کوچک اشعه X (SAXS).

- پخش (متفرق شدن) زاویه کوچک نوترون (SANS).

• در همه این موراد، تشعشع ها (پرتوافکنی) بصورت ارتجاعی و انعطاف پذیر از طریق یک نمونه برای فراهم آوری اطلاعاتی درباره اندازه، شکل و انطباق مؤلفه های نمونه، پراکنده شده است.

• همه این سه مورد متفاوت از منبع پرتو زایی بکار گرفته شده می باشند، منبعی که بر نتایج زیر تأثیرمی گذارد:

- نمونه هایی که قابل تجزیه و تحلیل می باشند. (به لحاظ نور شناختی مات و کدر در مقابل ضخامت و مایع).

- مقیاس های طولی که قابل بررسی و تحقیق می باشند.

- اطلاعات نهایی بدست آمده.

پرا کندگی (متفرق شدن) زاویه کوچک اشعه X به چه معناست؟

• Saxs یک روش اساسی در تحلیل ساختاری یک موضوع خلاصه شده می باشد. که تقاضاها (درخواست ها) حوزه های متنوعی را پوشش می دهد. از یک آلیاژ فلزی تا پلیمریهای مصنوعی در محلول و در حجم و سیع، مایکرو ملکولهای بیولوژیکی در محلول، امولسیون ها، مواد نفوذ پذیر، و غیره ... .

• Saxs  ادعا می کند که نتایج حاصله از این روش نه تنها به اطلاعاتی درباره اندازه ها و اشکال ذره ها منتهی نمی شود، بلکه به ساختار بی نظم و آشفته داخلی سیستم های تنظیم شده بصورت مختصر و جزئی اشراف دارد.

• ذره های موجود در نمونه که علت و بانی SAXS می باشند، نواحی میکروسکوپی کوچکی هستند که دارای چگالی الکترونی متفاوت از اطراف خود می باشند.

روش SAXS اطلاعاتی درباره ساختار ماده زمانیکه چگالی متفاوتی میان بعضی از نواحی مجاور مشاهده می شود، در اختیار ما قرار می دهد. اندازه این نواحی از حدود   ۱۰۰۰-۱۰ می باشد.

تفاوت میان پراکندگی زاویه کوچک (SAXS) و پراکندگی زاویه گسترده (نا محدود) (WAXS) در مقیاس نمونه و نتیجتاً اندازه زاویه می باشد.

چرا زاویه کوچک؟ 

برای یک نور با طول موج ثابت شده  ما را به عنوان تنها عملکرد  داریم. با دقت به یک طرح از () در مقابل (d)(در۱=) می توان دریافت که یک  با فاصله قرار گرفته تقریباً بزرگتر از  سه،  کمتر از  می باشد. هر شبکه فاصله دار در ماده مایکروملکولی مثل پلیمر و پروتئین ها قابل پیش بینی و معمول می باشد از اینرو به (SAXS) نیاز دارد.

تئوری (SAXS). یک شمای توصیفی از اصول پخش و پراکندگی در شکل قابل روئیت می باشد.

- تکنیک های پرتوافکنی زاویه کوچک (SAS):

پرتوافکنی زاویه کوچک (SAS) نام جامعی است که به تکنیک های نوترون زاویه کوچک (SANS) و پرتوافکنی اشعه x (SAXS) و نوری (LS، شامل SLS استاتیکی و DLS دینامیکی) داده می شود.

در هر یک از این تکنیک ها، تشعشع به صورت انعطاف پذیر توسط یک نمونه پخش   می شود در الگوی پخش حاصل برای فراهم آوردن اطلاعاتی درباره اندازه ، شکل و دانه بندی برخی اجزاء و مولفه های نمونه آنالیز می شود (شکل ۱-۲) نوع نمونه ای که      می تواند توسط SAS مورد مطالعه قرار گیرد، محیط نمونه ای است که می تواند بکار رود و مقیاس های طولی حقیقی که احتمال استفاده آنها وجود دارد و اطلاعاتی که می تواند حاصل شوند همه این موارد به ماهیت تشعشع بستگی دارد. برای مثال، LS نمی تواند برای مطالعه نمونه ها به صورت نوری استفاده شود و SAXS
نمی تواند به آسانی برای مطالعه نمونه های ضخیم یا نمونه های نیازمند به کانتینرهای پیچیده بکار رود، ضمن اینکه SANS (و SAXS) میله با مقیاس های طولی متفاوت برای LS بکار می رود. بنابراین، برای یک سطح گسترده این تکنیک ها کامل می باشند. به هرحال، آنها همچنین چندان خاصیت را به اشتراک می گذارند. شاید مهمترین این موارد این حقیقت باشد که با تنظیمات کوچک برای انواع متفاوتی از تشعشع، روابط و قوانین پایه را ایجاد می کند (برای مثال، این ها به واسطه Porod,Kratky,Zimm,Guiner) که می تواند برای آنالیز داده های حاصل از هریک از این سه تفکیک بکار روند. سیستم های کلوئیدی شامل موادی از ماهیت های خیلی متفاوت بوده و در برگیرنده دو یا چند مولفه بوده و می تواند ذره هایی را تعریف کرده (شناسایی کرده) که به ذره «حلال» نامیده می شود و حلال یا solvent می تواند پیچیده بوده یا از مولفه های متفاوتی تشکیل شود، درست همانند مثال مربوط به حالت MES که سه تا پنج مولکول می تواند وجود داشته باشد. فیزیک مربوط به این سیستم ها خیلی متفاوت می باشد. تکنیک SAS  به عنوان یک ابزار قو ی و منحصر به فرد برای توضیح دادن ساختمان، واکنش و حالت های فازی گذرا در سیستم های micellar,ME به اثبات رسیده است

۱-۲- مقایسه تکنیک های پرتوافکنی و مقیاس های طولی که آنها ممکن است داشته باشند.

شماتیک نشان دهنده یک تجزیه پرتوافکنی در شکل ۱-۲ آمده است. که یک کمیت پایه در یک تجربه پرتوافکنی است، بردار پرتوافکنی (پخش- ارسال)
می باشد که مبین تفاوت بین بردارهای موجی ارسال شده و تشعشع انجام شده می باشد. تجربه پرتوافکنی مربوط به یک نمونه ایزوتروپیک حاوی ذرات سنگین، یک اندازه گیری از پرتوافکنی الاستیکی و کوالاستیکی انجام می شود که  درنتیجه، فرمول های مربوط به  مرتبط با زاویه پخش و ارسال  ، θ اندیس شکست n و طول موج خلاء مربوط به طول نفوذ (شیوع) می شود که توسط  داده می شود. برای طول n=1.33 در اب اما برای اشعه x و نوترون ها، n خیلی نزدیک به واحد می باشد.

LS از تکنیک اسپکتروسکپی هم بسته (بهم پیوسته) فوتونی که برای مطالعه خواص هیدرودینامیکی مربوط به کلوئیدها استفاده شده است، استفاده می کند. این تکنیک براساس اندازه گیریهای مربوط به ضرایب دیفیوژن(نفوذ ) می باشد. شخص می تواند اطلاعاتی را درباره اندازه شبکه (مجموعه روی هم قرار گرفته) و واکنش بین ذرات بدست آورد.

پخش اشعه x و نوترون یک ابزار تحقیقاتی ارزشمند می باشد که اجازه مطالعه ساختمان میکروسکوپی کلوئیدی پلیمر و سیستم های سطحی را می دهد. این ابزار اطلاعاتی را درباره شکل و اندازه ساختمان در مقیاس کوچک که اغلب در سیستم ها موجود می باشند، در اختیار قرار می دهد. ستون نوترون می تواند برای پوشش دادن یک دامنه از طول موجهای ۰٫۰۱nm روی ۳nm تولید شود. این دامنه برا مواردی قابل مقایسه می باشد که ممکن است با اشعه x(برای مثال، خط cu-kα در ۰٫۱۵nm) بدست آید اما دارای اندازه کوچکتری می باشد که با نور قابل مشاهده نمی باشد (۴۰۰-۷۰۰nm). اختلاف بنیادین بین تشعشع الکترومغناطیسی و نوترونی در مکانیزمی است که در تشعشع با ماده واکنش نشان می دهد. اشعه های x و نوری هر دو توسط نو کلئید اتمی اطراف الکترون ها پخش می شود، اما نوترون ها توسط خود نوکلئیدها پخش می شود. این واقعیت دارای چندین مفهوم مهم می باشد. در حالت مربوط به تشعشع الکترومغناطیسی، انرژی E و طول موج  با رابطه پلانک  می باشد، اما چون نوترون دارای یک جرم متناهی  می باشد، نیاز است که انرژی جنبشی آن با فرمول  در نظر گرفته شود.

بنابراین، یک نوترون با یک طول موج ۰٫۱۵ دارای انرژی  می باشد یا در واحدهای عملی تر، ۳۶٫۴mev می باشد. به صورت خلاصه، انرژی مربوط به فوتون اشعه x 0.15nm تقریبا ۸٫۲kev می باشد،

بنابراین نوترون ها دارای مزیت ویژه ای نسبت به اشعه x در مطالعه نمونه های حساس همانند مواد بیولوژیکی می باشد. چون اشعه x سبب تنزل مولکولی به واسطه حرارت تشعشعی می شود.

مفید بودن SAS برای علم پلیمر کلوئیدی در زمانی که ملاحظات مربوط به مقیاس های طولی در میان باشد، واضح می باشد، طول های باند معمولاً nm 1/0  می باشد، شعاع چرخش (گردش) مربوط به پیلمر در محلول معمولاً nm 10-1  برده و قطر میکروامولسیونی ممکن است nm 100-10  برحسب قطر می باشد. ضمن اینکه ذرات لاتکس و قطرات امولسیونی اغلب nm 1000-100  برحسب قطر می باشد. به منظور دسترسی به اطلاعات درباره ساختمان و اندازه توزیع، طول موج مربوط به تشعشع  استفاده شده در تجربه پرتوافکنی بایستی هماهنگ با دامنه اندازه مربوط باشد. یک فرضیه اصلی در تئوری مربوط به موج پرتوافکنی توسط یک هدف گسترانده شده با توزیع دانسیته فضایی r  برای توزیع دانسیته پرتوافکنی شده فضایی q در عبارت های مربوط به تبدیل فوریه مرتبط می باشد. این مسئله از این قضیه تبعیت می کند که اندازه مشخصه در فضای  R-rبا عرض مشخصه مربوط به توزیع دانسیته در فضای q مرتبط می باشد. بنابراین، برای مشخصه بندی مجموعه ای از اندازه R شخص باید پرتوافکنی را به گونه ای تجربه کند که در  یک دامنه حدود یک اندازه روی هر سمت از مقدار  اعمال شود. شکل ۲-۲ یک مقایسه مربوط به تکنیک های پخش و مقیاس های طولی  را نشان می دهد. DLS دارای یک دامنه بزرگتری از تکنیک های پرتوافکنی دیگر می باشد چون با فاصله  در نظر گرفته می شود که یک ذره در یک زمان مشخص نفوذ  می کند.

دانلود پایان نامه ذرات فلزی با اندازه نانو

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پایان نامه ذرات فلزی با اندازه نانو دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

ذرات فلزی با اندازه نانو نقش مهمی را در مهندسی مواد ایفا می کنند چون که ویژگیهای ذرات با اندازه نانو با ویژگیهای بقیه مواد متفاوت است ]1[
توزیع اندازه ذرات نانو با استفاده از تکنیک میکروسکوپ TEM قابل اندازه گیری است TEM یک تکنیک فوق العاده مفید برای حصول اطلاعاتی نظیر توزیع اندازه ذره ، اندازه متوسط ذره و شکل ذرات نانو است ]1[
اندازه گیری TEM نیاز به عملیات پیچیده برای آماده سازی نمونه و مهارت بالای اپراتور دارد و زمان اندازه گیری طولانی است بعلاوه تکنیک TEM یک روش اندازه گیری در محل (In situ) نیست و تعداد ذرات اندازه گیری شده از فتوگراف ، در اغلب موارد از اندازه گیریهای تئوریکی کمتر است ]1[
بنابراین اکثر محققان در ارتباط با نانو تکنولوژی در جستجوی یک روش مناسب و یک روش In situ  برای اندازه گیری توزیع ذرات نانو بودند این روشها بر اساس پراکندگی در زوایای کوچک استوار بود ]1[
Small-angle scattering =SAS
SAX  در واقع یک نام کلی است که برای مجموعه ای از تکنیکهای زیر بکار می رود]2[
Small-angle Light Scattering (SALS)
Small-angle x-Ray scattering (SAXS)
Small-angle Neutron scattering (SANS)
در تمامی تکنیکهای فوق پراکندگی بصورت الاستیک بوده و اطلاعاتی در خصوص اندازه، شکل و توزیع ذرات بدست می آید تفاوت کلی تکنیکهای فوق در منبع تابش است که بر فاکتورهای زیر مؤثر است :
الف ) تفاوت در نمونه هایی که می توانند آنالیز شوند
ب ) تفاوت در بخش های قابل بررسی
ج ) تفاوت در اطلاعات نهایی حاصل ]2[
بطور کلی در تکنیک SAXS، particles ها مسئول ایجاد پراکندگی هستند در واقع particles ها نواحی میکروسکوپی کوچکی هستند که دانسیته الکترونی متفاوتی از اطرافشان دارند ]3[

چکیده    6
فصل اول تکنیک های پراش با  زاویه کوچک(SAS)    7
1-1- تکنیک های پراکندگی زاویه کوچک (SAS)     8
2-1- پخش (ارسال) نوری:    17
3-1- ارسال نوترون زاویه کوچک( (SANS    21
فصل دوم تئوری SAXS    24
1-2- قانون Guinier و شعاع دوران     29
2-2- تداخل بین ذره ای (Interparticle Interference)     31
فصل سوم تجهیزات (SAXS)    33
1-3- تجهیزات آشکارسازی شمارنده ای     34
1-1-3- دیفرکتومتر چهار شکافی (Four –Slit diffractomter)     35
2-3- دوربینهای شناسایی فتوگرافیکی     37
1-2-3- دوربین kratky     38
3-3- تجهیزات سیستم SAXS نصب شده در شرکت مترولوژی (UMASS)    42
1-3-3- منبع تشعشع    42
2-3-3- جداسازی و برد q:    44
3-3-3- آشکارسازهای سطح:    49
4- 3-3- محفظه های مربوط به نمونه:    53
5-3-3- سیستم خلاء    55
6-3-3- سکوئی برای سیستم نصب:    55
7- 3-3- سیستم ایمنی:    55
8-3-3- الکترونیک و اینترفیس (واسطه) کامپیوتری:   
9- 3-3- نرم افزار آنالیز داده ها    57
10-3-3- تجهیزات جانب یبرای عملکرد بهینه:   
11- 3-3- گزینه ها:   
فصل چهارم شرایط و دستورالعمل آزمایشگاهی    
1-4- تکفام کنندگی و انتخاب طول موج    
2-4- تنظیم و ساخت شکاف (slit)    
3-4- خلاء لازم    
4-4- روش آشکارسازی    
5-4- آماده سازی نمونه ها    
6-4- نمونه ها    
7-4- نمونه های استاندارد    
8-4- زمان آنالیز    
فصل پنجم تصحیح داده ها    
فصل ششم آنالیز داده های SAXS   
فصل هفتم کاربرد SAXS   
فصل هشتم مزایا و معایب روش SAXS    
منابع:   

شامل 89 صفحه فایل word

پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی نساجی بررسی اندازه گیری قابلیت تر شدن به روش BS4554 و ارائه روش جایگزین متناسب...

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی نساجی بررسی اندازه گیری قابلیت تر شدن به روش BS4554 و ارائه روش جایگزین متناسب... دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی نساجی بررسی اندازه گیری قابلیت تر شدن به روش BS4554 و ارائه روش جایگزین متناسب با چاپ جوهر افشان با فرمت pdf تعداد صفحات 128

دانلود پایان نامه آماده

این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی نساجی طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.   

اندازه گیری ارزش

اختصاصی از کوشا فایل اندازه گیری ارزش دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

اندازه گیری ارزش

چکیده:

همانطوری که میدانیم رویکرد کلی مهندسی ارزش بدین گونه است که پس از شناخت کل سیستم به اندازه گیری شاخص ارزش هر یک از اقلام محصول می پردازد و اقلام با شاخص ارزش پائین را پس از تعیین اولویت برای بهبود انتخاب م ی کند.

در مهندسی ارزش جلسات طوفان فکری به منظور جمع آوری ایده ها جهت بهبود شاخص ارزش اقلام، تشکیل می شود و سپس از بین ایده های مطرح شده پس از ارزیابی آنها بهترین ایده ها را برای اجرا به مدیریت پیشنهاد می شود .

در فرآیند مهندسی ارزش، فرآیند اندازه گیری ارزش نهفته است، این فرآیند نیاز به وقت زیادی دارد و معمولا " با صرف هزینه زیادی انجام م ی گیرد. این مقاله ضمن معرفی کلی اندازه گیری ارزش فرآیند آن را تشریح می کند . در متن مقاله اشاره ای کوتاه به تکنیک های اندازه گیری ارزش می شود.

در پایان مقاله متد جدید برای دخیل کردن آرا مصرف کنندگان نهایی (مشت ری) برای اندازه گیری ارزش محصول و عملکردهای آن از دیدگاه مشتریان تحت عنوان CVM معرفی می گردد.

مقدمه:

یکی از موارد مهم در مبحث مهندسی ارزش، اندازه گیری ارزش می باشد، جواب سوال اینکه ما کدامیک از آیتم های محصول جهت بهبود ارزش و کاهش هزینه انتخاب کنیم با اند ازه گیری ارزش آیتم های محصول و مقایسه آنها با معیارهای خاص روشن خواهد شد .

شاید در یک نگاه ساده گفتن این مطلب که بتوان ارزش آیتم های یک محصول یا بخش های یک دپارتمان را اندازه گرفت قدری مشکل به نظر آید، مخصوصا " در پروژه های خدماتی این امر محال تر به نظر می ر سد" اما اجرای مراحل اندازه گیری در قالب فرآیندی که در متن آمده است این کار را عملی خواهد نمود.

تعداد صفحات: 15