دانلود Ram 23 اسلاید

اختصاصی از کوشا فایل دانلود Ram 23 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از اسلاید پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 23 صفحه

Page 1 to 23 بعد موضوع سمینار:Ram Page 2 to 23 بعد قبل فهرست DImm – SImm و تفاوت آنها RImm تشخیص حضور ارتقاء حافظه Flash memory Mgnetic ram نتیجه‌گیری منابع و ماخذ Ram کاشه سطح 1 و تفاوت SRam, DRam کاشه سطح 2 حافظه اصلی DRam و انواع آن SDRam و انواع آن DDR DRam Page 3 to 23 بعد قبل حافظه سیستم مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری جاری و داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌کند. ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد و این امر منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه گردید.
فهرست Page 4 to 23 بعد قبل حافظه کاشه سطح 1 یا حافظه اصلی، روی CPU کامپیوتر قرار می‌گیرد و برای ذخیره موقتی دستورالعمل‌ها و داده‌های سازمان‌دهی شده در بلوک‌های 32 بیتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.
این نوع با استفاده از Ram استاتیکی (SDRam) ساخته می‌شوند.
کاشه سطح 1 فهرست Page 5 to 23 بعد قبل حافظه SRam به ازای هر بیت داده از دو ترانزیستور استفاده نموده، ولی DRam یا Ram دینامیکی به ازای هر بیت از یک ترانزیستور به اضافه یک خازن استفاده می‌کند.
فهرست Page 6 to 23 بعد قبل این نوع حافظه در دو اندازه 512kb, 256kb در دسترس بوده و می‌تواند روی مادربورد نصب شود.
هدف حافظه کاشه 2، تامین اطلاعات مورد نیاز پردازنده بدون هرگونه تاخیر می‌باشد. بایوس پردازنده دارای یک پروتکل انتقال ویژه به نام burst mode می‌باشد.
این نوع حافظه نیز مانند کاشه 1 از نوع SRam می‌باشد.
کاشه سطح 2 فهرست Page 7 to 23 بعد قبل سطح سوم حافظه اصلی سیستم Ram است.
این حافظه منبع موقتی نگهداری داده‌ها بوده و محیط حافظه اصلی قابل دسترسی توسط دیسک سخت می‌باشد که به عنوان حافظه میانی بین دیسک سخت و پردازنده به کار می‌رود.
حافظه اصلی فهرست Page 8 to 23 بعد قبل تراشه‌های DRam، آرایه‌های مستطیل شکل بزرگی از سلول‌های حافظه با مدارهای منطقی پشتیبانی هستند که برای خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرایه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرد.
DRam فهرست Page 9 to 23 بعد قبل زمان دسترسی به داده‌ها، 60 یا 70 نانوثانیه می‌باشد که خواندن داده‌ها توسط واحد مدیریت حافظه ابتدا با فعال کردن سطر متناظر از آرایه،‌ سپس فعال کردن ستون مناسب ارزشیابی و انتقال داده‌ها انجام می‌شود.
fpm DRam(fast page mode DDram) فهرست Page 10 to 23 بعد قبل در سرعت‌های 50.60.70 نانوثانیه عرضه می‌شود و نیازی به غیرفعال شدن ستون ندارد و 27% از fpm سریع‌تر می‌باشد.
EDo DRam(extended data out DDram) فهرست Page 11 to 23 بعد قبل این نوع تکامل EDo است.
داده‌ها برای اجرا باید آمده شوند، سپس زمانی مصرف می‌شود که زمان انتظار را BEDo برطرف نموده و عملکرد سیستم را تا 100% نسبت به fpm و 50% بیشتر از EDo بهبود می‌بخشد.
BEDo DRam(burst extended data out DDram) فهرست Page 12 to 23 بعد قبل اطلاعات را با سرعت 6/1 گیگابایت بر ثانیه انتقال می‌دهد و نیاز چندانی به ایجاد تغییرات در مهندسی مادربورد ندارد.
pc133 SDRam فهرست Page 13 to 23 بعد قبل این حافظه نیز مانند SRam با FsB یا سرعت گذرگاه داده سیستم رابطه دارد.
به عبارت دیگر، حافظه و گذرگاه، د

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

دانلود تحقیق حافظه RA2M

اختصاصی از کوشا فایل دانلود تحقیق حافظه RA2M دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)

اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی  تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM  بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و  از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم کاری  درون حفره هائی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده  که خود  به  برد اصلی لحیم  شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های  مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی

حافظه RAM

اختصاصی از کوشا فایل حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 23

حافظه RAM :

حافظه (RAM (Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM)Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM :

حافظه RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک" در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد. تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد : -- مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

-- نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده ) -- خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier) -- اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

دانلود پاورپوینت آماده رشته کامپیوتر با عنوان حافظه RAM

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پاورپوینت آماده رشته کامپیوتر با عنوان حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

عنوان پاورپوینت: حافظه ی RAM

قالب بندی :  پاورپوینت

شرح مختصر : اصولاً اطلاعات و داده‌های مربوط به هر برنامه‌ای که می‌خواهد اجرا شود، روی RAM قرار می‌گیرد. دلیل انجام این عمل ایجاد تعادل بین سرعت CPU و دیسک سخت می‌باشد. از آنجایی که سرعت CPUها بسیار زیاد است و سرعت دیسکهای سخت نسبت به آنها پایین می‌باشد، RAM می‌تواند با قرارگیری بین این دو یک تعادل سرعت ایجاد نماید. بنابراین مقدار RAM در مواقعی که کاربر نیاز به اجرای چندین برنامه به طور همزمان را دارد و یا از برنامه‌های پر حجم استفاده می‌کند تأثیر به سزایی در سرعت کامپیوتر خواهد داشت.
فهرست : 

RAM چیست

پهنای باند در RAM یعنی چه

ظرفیت RAM

واحد ظرفیت  RAM

زمان دستیابی در RAM

مبانی کارکرد حافظه ram

روش اول برای تسریع عملکرد RAM

روش دوم برای تسریع عملکرد RAM

RAM چگونه کار میکند ؟

RAM های  SD

 RAMهای   DDR1

RAM های   DDR2

RAM های   DDR3

شکاف های RAM

درهنگام خرید  RAM باید به چه چیزهایی توجه کنیم

حال تفاوت DDR3 و DDR2 و DDR در چیست ؟

دانلود ترجمه Ram

اختصاصی از کوشا فایل دانلود ترجمه Ram دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

Random access memory or RAM is a type of computer storage whose contents can be accessed in any order. This is in contrast to sequential memory devices such as magnetic tapes, discs and drums, in which the mechanical movement of the storage medium forces the computer to access data in a fixed order. It is usually implied that RAM can be both written to and read from, in contrast to read-only memory or ROM.

Overview

Computers use RAM to hold the program code and data during execution. In the first electronic computers, RAM was built from vacuum tubes, and later magnetic cores. The term "core" is still used by some programmers to describe the RAM at the heart of a computer.

Many types of RAM are volatile, which means that unlike some other forms of computer storage such as disk storage and tape storage, they lose their data when the computer is powered down.

Throughout the history of computing, a variety of technologies have been used for RAM, and usually more than one in the same computer, with high-memories constructed out of the same technology as the logic, and slower, cheaper technologies used for bulk storage.

Some early computers used mercury delay lines, in which a series of acoustic pulses were sent along a tube filled with mercury. When the pulse reached the end of the tube, the circuitry detected whether the pulse represented a binary 1 or 0 and caused the oscillator at the beginning of the line to repeat the pulse. Other early computers stored RAM on high-speed "magnetic drums".

Later designs used arrays of small ferrite electromagnets, known as core memory.

حافظه اصلی یا مستقیم(RAM)چیست؟

حافظه اصلی یا RAM نوعی ذخیره یامخزن در کامپیوتر است که ظرفیت ورود هر دستور وفرمانی را دارد. این ویژگی در مقابل دستگاههای حافظه دائمی مانند نوار مغناطیسی ،دیسکها و______قرار دارد که حرکت مکانیکی دستگاه اطلاعاتی را با دستوراتی ثابت وارد کامپیوتر می کند معمولاً RAM می تواند هم خواندنی وهم نوشتنی باشد در برابر ROM که فقط خواندنی است.

فهرست محتویات

• نظریه
• انواع رایج RAM
• انواع غیر رایج RAM
• ذخیره سازی RAM
• حافظه فقط نوشتنی
• مراجع

نظریه (دیدگاه)

کامپیوتر ها از RAM برای نگهداری کد برنامه واطلاعات در طول اجرای یک فرمان استفاده می کنند در کامپیوتر های الکترونیکی ابتدایی، RAM از لامپهای خلأ وبعد از کابلهای مغناطیسی ساخته شد.اصلاح "کابل یا هسته ،هنوز توسط بعضی ازبرنامه نوسان برای توصیف RAM در قلب یا مرکز کامپیوتر بکار می رود.

بعضی از انواع RAM فرار هستند به این معنی که بر خلاف بعضی دیگر از اشکال مخزن کامپیتر مانند مخزن دیسک ونوار،آنها اطلاعاتشان را وقتی کامپیوتر خاموش می شود از دست می دهند در طول تاریخ محاسبه ،برای RAM از یک تکنولوژی استفاده استفاده می شده است ومعمولا برای ذخیره سازی حجم وایجاد حافظه بالا از تکنولوژی های منطقی ارزانتر وسنگین تر استفاده می شد.

بعضی از کامپیوتر های قدیمی از رشته سیم های جیوه استفاده می کردند که یک سری پالس های صوتی به یک لوله پر شده از جیوه می فرستادند.وقتی پالس به آخر لوله رسید،مدارات نشان می دهد که پالس سیستم باینری 0و1 را به نمایش می گذارد واسیلاتور (ارتعاش سنج) در سیم ضربان را تکرار می کند .کامپیوتر های اولیه دیگر RAM را در درامهای مغناطیسی سرعت بالا ذخیره می کرد.

در طرحهای بعدی از ردیفهایی از الکترومغناطیسی های کوچک فریت استفاده شد که با عنوان حافظه هسته ای شناخته شده است.