کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

تحقیق در مورد شبیه سازی دو فازی رآکتورهای بستر سیال شده گاز

اختصاصی از کوشا فایل تحقیق در مورد شبیه سازی دو فازی رآکتورهای بستر سیال شده گاز دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 5 صفحه


 قسمتی از متن .doc : 

 

شبیه سازی دو فازی رآکتورهای بستر سیال شده گاز- جامد با مدل تانک های سری

چکیده: در این مقاله مدل جدیدی برای شبیه سازیرآکتورهای بستر سیال شده بر مبنای روشتانک های سری ارایه شده است که قابل استفاده در نرم افزارهای شبیه ساز فرایند است. در این مدل بستر سیال شده به تعدادی بخش برابر تقسیم می شود و هر بخش شامل فاز حباب و فاز امولسیون است. در هر بخش دو پدیده واکنش شیمیایی و انتقال جرم به صورت هم زمان رخ می دهد. فاز حباب با استفاده از رآکتور جریان قالبی و فاز امولسیون با استفاده از رآکتور به طور کامل آیخته مدل شده اند. ویژگیهای هیدرودینامیکی فازها با استفاده از مدل دینامیک دو فازی محاسبه می شود. اعتبار مدل ارایه یشده به کمک داده های تجربی به دست آمده از مقاله های بررسی شده و نتیجه های حاصل بیانگر دقت مناسب این مدل در پیش بینی عملکرد راکتور بستر سیال هستند. نتیجه های این شبیه سازی می تواند در شبیه سازی فرایندهایی که در آن ها از بستر سیال استفاده می شود به کار رود.

مقدمه

بسترهای سیال شده گاز- جامد کاربرد گسترده ای در صنایع شیمیایی دارند. سابفه استفاده از این بسترها به پیش از50 سال سال می رسد از جمله موردهای کاربرد بسترهای سیال شده در صنایع شیمیایی استفاده از آنها به عنوان رآکتور است. با کشف پدیده سیال سازی و مشخص شدن مزایای این روش نسبت به سایر روش های تماس گاز- جامد به تدریج بسیاری از فرایندهایی که بر مبنای تماس فازهای – گازجامد هستند مانندخشک کن ها ، واحد های گرانول سازی و رآکتورهای کاتالیستی گاز- جامد، با بسترهای سیال شده جایگزین شده اند. گسترش کاربرد این نوع بسترها ولزوم شناخت پدیده های واقع شده در آنها زمینه تحقیقات بسیاری در دهه های اخیر بوده است. حتی امروزه انجام تحقیقات در این زمینه از نظر صنعتی و دانشگاهی حایز اهمیت است.

پدیده های وموجود در بستر سیال را می توان به دو دسته فیزیکی و شیمیایی تقسیم کرد. پدیده های فیزیکی که موردهایی مانند رفتار حباب، رفتار فازها و انتقال جرم بین فازها را شامل می شوند، به وسیله مدل های هیدرودینامیکی بیان می شوند پدیده های شیمیایی که بیانگر واکنشهای صورت گرفته در بستر هستند، به وسیله مدلهای سینیتیکی بیان می شوند. مدلهای هیدرودینامیکی متفاوتی در منابع علمی معرفی شده اند که اکثراً بر مبنای نظریه های دو فازی هستند(3-1). در این نظریه راکتور بستر سیال شده به دو فاز حباب و امولوسیون تقسیم می شود. فاز حباب بخشی از بستر را که غنی از گاز است شامل می شود و فاز امولوسیون بخشی از بستر است که غنی از ذرات جامد است. مدلهای هیدرودینامیکی اولیه دارای فرض های ساده کننده بسیاری بودند برای مثال، از وجود ذره های جامد در فاز حباب صرف نظرکرده یا فازامولوسیون درشرایط حداقل سیال سازی در نظر گرفته می شد(3-1). اما تحقیقات بعدی نشان داد که واقعیت پدیده های واقع شده در بسترهای سیال شده با این فرضیات ساده به طور کامل متفاوت است (8-4) . تحقیقات بسیاری در زمینه هیدرودینامیک بسترهای سیال شده صورت گرفته که منجر به ارایه مدلهای متعددی جهت بیان هیدرودینامیک چنین بسترهایی شده است (3-1). اعتبار این مدلها در تخمین پارامترهای هیدرودینامیکی،درشرایط متفاوت عملیاتی ودر سرعت های متفاوت گاز سیال کننده و رژیم های متفاوت سیال سازی به یکدیگر متفاوت است. مدلهای ارایه شده اخیر با در نظر گرفتن فرضیات مناسب در تخمین پارامترهای هیدرودینامیکی از اعتبار بالایی برخوردار هستند،افزون بر آن میتوان از این مدلها در رژیم های متفاوت سیال سازیو در گستره وسیعی ازسرعت گاز سیال کننده استفاده کرد(12-9).

افزایش ابعاد واحدهای عملیاتی از مقیاس آزمایشگاهی به مقیاس صنعتی و بهینه سازی و کنترل کارکرد این واحدها نیازمند مدل سازی و شبیه سازی واحدهای عملیاتی است. در مدل سازی یک راکتور بستر سیال شده مدلهای هیدرودینامیکی و مدلهای سینیتیکی با هم و به طور همزمان حل می شوند.یک مدل مناسب برای مدلسازی و شبیه سازی راکتور بستر سیال شده باید دارای ویژگی های زیر باشد:

الف) سیستم های گاز- جامد مورد استفاده در رآکتورهای بستر سیال شده با تواجه به مواد شرکت کننده در واکنش و نوع ذره های جامد، دارای ویژگی های فیزیکی متفاوتی می باشند. تفاوت سیستم ها را می توان به مقایسه پارامترهایی مانند عدد ارشمیدس، سرعت حداقل سیال سازی و سرعت انتقال از یک رژیم سیال سازی به رژیم سیال سازی دیگر بررسی کرد. مدل مناسب باید در پیش بینی عملکرد راکتور بستر سیل شده در سیستم های متفاوت گاز – جامد از اعتبار بالایی برخوردار باشد.

ب) سیستم های متفاوت گاز – جامد با توج به ویژگی های فیزیکی بستر با تغییر سرعت گاز سیال کننده رفتارهای متفاوتی از خود نشان می دهند. این رفتارهای متفاوت تحت عنوان رژیم های سیال سازی بیان می شوند. اغلب مدلهای ارایه شده تنها در یک رژیم سیال سازی بیان می شوند. اغلب مدلهای ارایه شده تنها در یک رژیم سیال سازی خاص معتبر هستند.(12-9). از آنجا که رژیم های سیال سازی که رآکتورهای بستر سیال در آنها مورد استفاده قرار می گیرند به طور کامل قابل تفکیک نیستند یک مدل مناسب باید بتواند در پیش بینی عملکرد راکتور بستر سیال شده در سرعت های متفاوت گاز سیال کننده (رژیم های متفاوت سیال سازی ) معتبر باشد.

ج) برای شبیه سازی فرایندهای شیمیایی از نرم افزارهای شبیه ساز فرایند استفاده می شود. تمامی نرم افزارهای شبیه سازی فرایند دارایز مدول های استانداردی برای شبیه سازی واحدهای عملیاتی هستند راکتور بستر سازی سیال شده در هیچ یک از نرم افزارهای شبیه سازی به صورت روال استاندارد تعریف نشده و به صورت استاندارد نمی توان از این واحد عملیاتی در نرم افزارهای شبیه سازی استفاده کرد از این جهت باید مدلی ارایه شود که این مدل افزون بر دو ویژگی قبلی ، توانایی به کارگیری در چنین نرم افزاهاییی را نیز داشته باشد . هم چنین مدل مناسب و قابل کاربرد در این نرم افزارها باید دارای این قابیلت باشد که به راحتی بتوان از ترکیب روال های استاندارد موجود در این نرم افزار راکتور بستر سیال را شبیه سازی کرد.

در کلیه نرم افزارهای شبیه سازی فرایند مدولهای استاندارد برای شبیه سازی راکتورهای شیمیایی مانند راکتورهای ساده ، راکتور جریان قالبی یا راکتورهای به طور کامل آمیخته وجود دارد . در این مقاله هدف ارایه روشی است کهب ه راحتی بتوان راکتورهای بستر سیال شده را با ترکیب مدول استاندارد راکتور موجود در نرم افزارهای شبیه ساز فرایند، شبیه سازی کرد. شبیه سازی بسترهای سیال شده توسط افراد متافوت انجام شده است کار انجام شده در این مقاله از تمام مدوله های قبلی به دلایل زیر کامل تر است:

الف) در این کار مدل دو فازی برای شبیه سازی راکتور بستر سیال مورد استفاده قرار گرفته است در حالی که در کارهای قبلی بیشتر از مدلهای تک فازی یا دو فازی ساده استفاده شده است.

واضح سات که مدل دو فازی با واقعیت های فیزیکی بستر مطابقت بیشتری دارد.

ب) کارهای قبلی مطالعات موردی بوده اند. اما در این مقاله سعی بر ارایه یک مدل عمومی برای شبیه سازی کلیه راکتورهای بستر سیال بوده است.

ج) کارهای قبلی انجام شده اغلب نیازمند تخصص بالا در استفاده از نرم افزارهای شبیه سازی بوده ولی با استفاده از مدل ارایه شده در این مقاله


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد شبیه سازی دو فازی رآکتورهای بستر سیال شده گاز

پاورپوینت درباره اهمیت بستر دانش سازمانی در موفقیت پروژه های ERP

اختصاصی از کوشا فایل پاورپوینت درباره اهمیت بستر دانش سازمانی در موفقیت پروژه های ERP دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت درباره اهمیت بستر دانش سازمانی در موفقیت پروژه های ERP


پاورپوینت درباره اهمیت بستر دانش سازمانی در موفقیت پروژه های ERP

فرمت فایل :powerpoint (قابل ویرایش) تعداد صفحات:25 صفحه

 

 

 

 

 

 

برنامه ریزی منابع سازمان(بنگاهاقتصادی)

• سیستمهای برنامه ریزی منابع سازمان از دهه 90 میلادی مطرح شده اند.

•این سیستم ها از جدیدترین جلوه های توسعه فناوری اطلاعات به شمار می آیند. توجه به تاریخچه پیدایش و رشد آنها، موءید تمایزشان از سایر سیستمهای  یکپارچه اطلاعاتی است.
•استقرار آنها پیچیده، زمان بر و هزینه زاست و آمادگیهای سازمانی ویژه ای را طلب می کند.
•سیستمهای ERP به عنوان مبحثی نوین در آخرین دهه از قرن بیستم مطرح شده اند که به بهره گیری از مفاهیم مهندسی مجدد فرایندها و یکپارچه سازی سیستم به بهبود  زنجیره تامین مواد و منابع، کاهش موجودی ها و زمان تولید، حذف اقدامات تکراری و در نهایت به بهینه سازی تولید می انجامد.
•ERP به لحاظ بهره مندی از مزایای متعدد  از جمله ساختار یکپارچه و توان بهبود بر مبنای مهندسی مجدد فرایندها از جدیدترین و موثرترین نمودهای فناوری اطلاعات به شمار می رود.
•این سیستمها از بهترین روشهای مدیریت اطلاعات در سازمانهاست که در آنها سعی براین است که نیازهای اطلاعاتی دپارتمانهای متفاوت تحت یک بستر واحد در حداقل زمان ممکن و با حذف اقدامات موازی تهیه و در اختیار گذاشته شود.
•ERP نماینده نسل جدیدی از سیستمهای اطلاعاتی است  که اطلاعات سازمان را با استفاده از فناوری اطلاعات در تمامی حوزه ها به صورت یکپارچه و با ساختاری شناور جمع آوری نموده و با استفاده از برنامه ریزی های خاص ، در اختیار کاربران در تمامی سطوح سازمان قرار میدهد.

 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت درباره اهمیت بستر دانش سازمانی در موفقیت پروژه های ERP

مقاله تشخیص نفوذهای غیر عادی در بستر شبکه با تشخیص outlier هایی که از قبل بررسی نشده اند

اختصاصی از کوشا فایل مقاله تشخیص نفوذهای غیر عادی در بستر شبکه با تشخیص outlier هایی که از قبل بررسی نشده اند دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله تشخیص نفوذهای غیر عادی در بستر شبکه با تشخیص outlier هایی که از قبل بررسی نشده اند


 مقاله تشخیص نفوذهای غیر عادی   در بستر شبکه با تشخیص outlier   هایی که از قبل بررسی نشده اند

 لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 

 فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

 تعداد صفحات:24

 

چکیده :

تشخیص ناهنجاری (anomaly) موضوعی حیاتی در سیستم های تشخیص نفوذ به شبکه است (NIDS) [1] . بسیاری از NIDS های مبتنی بر ناهنجاری «الگوریتمهای پیش نظارت شده » [2] را بکار می گیرند که میزان کارایی این الگوریتمها بسیار وابسته به دادها های تمرینی عاری از خطا میباشد . این در حالی است که در محیط های واقعی و در شبکه های واقعی تهیه اینگونه داده ها بسیار مشکل است . علاوه بر اینها ، وقتی محیط شبکه یا سرویسها تغییر کند الگوهای ترافیک عادی هم تغییر خواهد کرد .

این مساله به بالا رفتن نرخ مثبت نمایی [3] در NIDS های پیش نظارت شده منجر می شود . تشخیص یک انحراف کامل (outlier) پیش نظارت نشده میتواند بر موانعی که در راه تشخیص ناهنجاری های پیش نظارت شده وجود دارد غلبه کند . به همین دلیل ما الگوریتم « جنگلهای تصادفی » [4] را که یکی از الگوریتمهای کار امد برای استخراج داده است به خدمت گرفته ایم و آن را در NIDS های مبتنی بر ناهنجاری اعمال کرده ایم . این الگوریتم میتواند بدون نیاز به داده های تمرینی عاری از خطا outlier ها را در مجموعه داده های [5] ترافیک شبکه تشخیص دهد . ما برای تشخیص نفوذهای ناهنجار به شبکه از یک چارچوب کاری استفاده کرده ایم و در این مقاله به شرح همین چارچوب کاری میپردازیم .


[1]- Network Intrusion Detection Systems

[2] - Unsupervised Algorithm

[3] - تشخیص اشتباه کی مورد به عنوان نفوذ غیر عادی ، که موجب می شود نرخ تشخیص ناهنجاری به صورت کاذب بالا رود

[4] - Random forests algorithm

[5] - dataset


دانلود با لینک مستقیم


مقاله تشخیص نفوذهای غیر عادی در بستر شبکه با تشخیص outlier هایی که از قبل بررسی نشده اند

نرم افزار مشاهده زخم بستر فول اکتیو

اختصاصی از کوشا فایل نرم افزار مشاهده زخم بستر فول اکتیو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نرم افزار مشاهده زخم بستر فول اکتیو


نرم افزار مشاهده زخم بستر فول اکتیو

نرم افزاری برای مشاهده و تحلیل زخم بستر با این نرم افزار میتوانید هرگونه تصویر که دارید با این نرم افزار تحلیل و برسی نمایید با تشکر

 

لطفا نرم افزار های زیر را دانلود نمایید تا با هیچ خطایی نرم افزار را اجرا نمایید و از آن استفاده کنید.

JAVA RUN TIME

 به شما اجازه می دهد تا برنامه هایی که با زبان برنامه نویسی جاوا نوشته شده اند را اجرا کنید. با نصب این برنامه پلاگین موتور جاوا به برنامه های ویندوز و نیز مرورگر شما اضافه می گردد و پس از آن به راحتی می توانید برنامه هایی را که با استفاده از این زبان نوشته شده اند مانند نرم افزارهای چت و گفتگو و نیز سایت هایی را که با این زبان نوشته شده اند مانند سایت های بازی های آنلاین را مشاهده نمایید. این برنامه مانند بسته Microsoft .NET Framework‌ برای برنامه های نوشته شده به زبان .NET‌ در ویندوز است.

قابلیت های نرم افزار Java SE Runtime Environment :
  • نوشتن نرم افزار بر روی یک پلت فرم و اجرای عملی آن در هر پلت فرم های دیگر
  • ایجاد برنامه هایی برای اجرا در داخل یک مرورگر وب و خدمات وب
  • توسعه برنامه های سمت سرور برای انجمن های آنلاین، فروشگاه ها، نظر سنجی، پردازش فرم های HTML، و …
  • ترکیب تکنولوژی جاوا مبتنی بر برنامه ها و یا خدمات برای ایجاد بسیار برنامه های کاربردی سفارشی و یا خدمات
  • نوشتن برنامه های کاربردی قدرتمند و کارآمد برای تلفن های همراه، پردازنده های از راه دور، محصولات مصرفی، کم هزینه
  • اضافه کردن پلاگین جاوا به مرورگرهای نصب شده مانند Internet Explorer و Firefox و Opera در سیستم شما برای مشاهده صفحات وب طراحی شده با زبان جاوا
  • اجرای برنامه های طراحی شده به زبان جاوا در ویندوز
  • دادن قابلیت کار به برنامه هایی که در طراحی آنها از جاوا بهره گرفته شده است.
  • و … 
     
  • دانلود Java SE Runtime نسخه 8

دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون

اختصاصی از کوشا فایل دانلود پایان نامه تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون


دانلود پایان نامه تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون

چکیده


با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت، آتار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترا نزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستورها می شوند یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون و تغییر ناخالصی بستر می باشد ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم کرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر کانال کوتاه را بهبود می دهیم

دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم در فصل دوم مهندسی کانال را که شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای کاهش اثرات کانال کوتاه مورد بررسی قرار می دهیم در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می کنیم در این فصل نشان میدهیم که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الکتریکی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم که ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود  در این فصل نشان می دهیم که Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست همچنین تاثیر تغییر در میزان کاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میکنیم

در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios که جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می کنیم و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میکنیم  می بینیم که با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الکترونیک پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملکرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از کوچک نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است ولی در عین حال مشکلات زیادی در کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید برخی از این آثار عبارتند از اثرات کانال کوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه این آثار موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راههای کاهش اثرات کانال کوتاه برای ما اهمیت دارد

فصل اول

بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور و نحوه آلایش در بخش های مختلف ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته

1-1- تغییر مقیاس ترانزیستور و قانون مور

طی سه دهه گذشته، صنعت الکترونیک پیشرفتهای جالب توجهی داشته است حداکثر سرعت پالس ساعت پردازش مرکزی (cpu) از 100 کیلوهرتز در سال 1971 به بیش از 1/4 گیگاهرتز در سال 2000 افزایش یافته است یعنی مقدار آن 10 برابر شده است طی همین مدت، هزینه کامپیوترها با افزایش تعداد کامپیوترهای شخصی کاهش یافته است بهبودهای قابل ملاحظه ای در نسبت قیمت/ عملکرد داشته ایم که در تاریخ تولید بشر بی سابقه بوده است این نتایج ناشی از موفقیت در صنعت نیمه هادیها در کوچک کردن ابعاد ترانزیستور بوده است

طول گیت ترانزیستور از 10 میکرومتر در سال 1971 به 0/8 میکرومتر در سال 2000 کاهش یافته است این امر موجب افزایش سرعت پالس ساعت (با کاهش مسیر سیگنال) و همخوانی با قانون مور (که میگوید تعداد ترانزیستورها در یک مدار یکپارچه هر 18 ماه دوبرابر میشود) شده است این امر نه تنها موجب بهبود عملکرد تراشه میشود بلکه موجب کاهش میزان ساخت سیلیکون مصرفی و کاهش هزینه تولید میگردد که آنهم به نوبه خود از تغییر مقیاس MOS ناشی می شود

در عین حال، چالش های زیادی برای کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور وجود دارد مثلا افزایش میدان الکتریکی و شکست سوراخی و اثر DIBL و غیره از جمله مشکلاتی است که با تغییر مقیاس ایجاد میشود این بدان معنا است که فقط تغییر مقیاس ترانزیستور برای بهبود عملکرد ترانزیستور کافی نیست فهم محدودیت های تغییر مقیاس و نحوة ارتباط آنها به پارامترهای مختلف ترانزیستور در طراحی ترانزیستورهای نسلهای بعدی اهمیت دارد

2-1- روش تحقیق

انجام آزمایشهای فیزیکی در مورد آلایش مستلزم بررسی آلایش چندبعدی و لذا کار دشواری است، همچنین اندازه گیری دقیق پارامترهای ترانزیستورهای ساخته شده، و تعیین میزان دقیق تاثیر آلایش بستر بر عملکرد کاری دشوار و مستلزم ساخت ترانزیستور به صورت آزمایشگاهی است شکل 1-1 شمائی از روش بکار رفته در تحقیقات را نشان می دهد

به جای آزمایش فیزیکی، شبیه سازیهای TCAD مورد استفاده قرار می گیرد برای تعداد زیادی از طراحی ترانزیستورهای شبیه سازی شده، مولفه های مقاومتی، فیزیکی، ولتاژ آستانه و خصوصیات Ion-Ioff برای هر ترانزیستور استخراج شده و مقایسه می شود و از آنجا حدود تغییر مقیاس با توجه به آلایش بستر تعیین می شود

چند نکته در اینجا قابل ذکر است نخست آنکه استفاده از شبیه سازی های TCAD مزایای بسیاری دارد به گونه ای که پیش بینی نسبتا دقیقی از آلایش بستر و پروفیل آلایش ترانزیستورهای شبیه سازی شده را قبل از آنکه ساخته شود ممکن می سازد بعلاوه امکان آنرا بوجود می آورد که عملکرد بسیاری از ترانزیستورها را با هم مقایسه کنیم تطبیق نتایج حاصله با نتایج تجربی باعث صرفه جویی زیادی در هزینه و زمان طراحی می شود بعلاوه این روش شبیه سازی امکان بررسی کمیت های داخلی ترانزیستور را که امکان آزمایش آنها عملا وجود ندارد فراهم می آورد

همچنین میدانیم یکی از جنبه مهم در طراحی هر ترانزیستور معیارهای مورد استفاده برای مقایسه ترانزیستورهای مختلف است چند معیار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحنی های Ion-Ioff باهم مقایسه می شوند

همچنین تاثیر مدلهای قابلیت حرکت مورد بررسی قرار می گیرند در این فصل با فرض آنکه آلایش کانال ترانزیستورها یکنواخت است و نیز اینکه آلایش سورس / درین را میتوان به صورت ساده با تابع نمائی در جهات افقی و عمودی تعریف کرد، کار را شروع می کنیم این مفروضات را مجدداً در بخشهای بعدی مورد مطالعه قرار می دهیم این روش به ما کمک می کند که تاثیر جنبه های مختلف طراحی ترانزیستور بر رفتار آنرا حذف کنیم و به فهم درستی ازمطالعه تاثیر آلایش بستر برسیم

تعداد صفحه : 125



فهرست مطالب:

چکیده  1
مقدمه  2
فصل اول: بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور ونحوه آلایش در قسمتهای مختلف
ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته
1-1 تغییر مقیاس ترانزیستور وقانون مور  4
2-1 روش تحقیق  5
3-1 زمینه و سازماندهی  6
4-1 مسائل مهم درطراحی ترانزیستورهای تغییرمقیاس یافته  7
5-1 پارامترهای موردنیاز در طراحی ترانزیستورها و تغییر مقیاس آنها   7
1 پارامترهای کلیدی در طراحی ترانزیستورها  8 -5-1
2 تعریف ولتاژ آستانه  9 -5-1
10  MOS 3 تئوری مرتبه اول تغییر مقیاس در ترانزیستور -5-1
6-1 اثرات مرتبه دوم در ابعاد زیر میکرون عمیق  11
1 اثرات کانال کوتاه  12 -6-1
1-1 تغییر پیچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات کانال کوتاه  13 -6-1
14  (DIBL) 2-1 کاهش سدپتاسیل القا شده توسط درین -6-1
2 اثرات کانال کوتاه معکوس  16 -6-1
3 مقاومت سورس / درین  18 -6-1
4 اثرات مکانیک کوانتومی  19 -6-1
7-1 طراحی ترانزیستور در رژیم زیرمیکرون عمیق   24
1 مهندسی کانال  24 -7-1
24  Super Retrograde 1-1 آلایش -7-1
٦
2-1 آلایش هاله گون  25 -7-1
2 مهندسی سورس / درین  27 -7-1
29  ( TCAD) 8-1 طراحی فناوری ساخت قطعات نیمه هادی به کمک کامپیوتر
1-8-1 فرآیند صنعتی طراحی ترانزیستورها  30
31  ( TCAD) 2-8 طراحی ترانزیستور به کمک کامپیوتر -1
33  ( TCAD) 9-1 مشکلات طراحی به کمک کامپیوتر
1 اندازه گیری  34 -9-1
2 مدلهای فیزیکی  35 -9-1
1-2 مدلهای فرایند  34 -9-1
2-2 مدلهای قابلیت حرکت  35 -9-1
3-2 اثرات مکانیک کوانتومی 37 -9-1
10-1 خلاصه  37
فصل دوم : بررسی مهندسی کانال و آلایش هاله گون در ترانزیستور های تغییر مقیاس یافته
41  Retrograde 1-2 مهندسی کانال با آلایش
و آلایش یکنواخت در بستر  42 SSRW 2-2 مقایسه آلایش
50  SSRW 3-2 عملکرد ساختاری
4-2 آلایش هاله گون  51
5-2 ساختار و عملکرد آلایش هاله گون  55
فصل سوم : بهینه سازی آلایش هاله گون در سورس و درین
0میکرون 59 / های کوچکتر از 25 MOS 1-3 تاثیرآلایش هاله گون بر روی حاملهای داغ در
1 حاملهای داغ  60 -1-3
2 تاثیر تغییر زاویه کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ  60 -1-3
3 تاثیر تغییر انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ  67 -1-3
4 تاثیر تغییر زاویه و انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ 71 -1-3
2-3 بررسی تاثیر حاملهای داغ بر عملکرد ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون با تغییر
و آلایش هاله گون  74 LDD سسس میزان ناخالصی در آلایش
بر عملکرد یک ترانزیستور  75 halo و ldd 1 بررسی اثر -2-3
٧
بر عملکرد یک ترانزیستور 86 halo و ldd 2 بررسی کلی اثر -2-3
3-3 نتیجه گیری  90
فصل چهارم : بررسی شبیه سازی و نتایج حاصل از آن
با طول موثر کانال 100 میکرومتر و 90 نانومتر 93 nmos 1 شبیه سازی دو ترانزیستور -4
93  ID-VG و ID-VD 2 مقایسه منحنیهای -4
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه
نتیجه گیری 104
پیشنهادات 105
خذ Ĥ منابع و م
فهرست منابع غیر فارسی  106
چکیده انگلیسی 

شامل 125 صفحه فایل pdf


دانلود با لینک مستقیم