تاثیر دمای حرارتی دهی بر رنگ ایجاد شده با رنگدانه ی 17 ص

اختصاصی از کوشا فایل تاثیر دمای حرارتی دهی بر رنگ ایجاد شده با رنگدانه ی 17 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 18

دانشگاه آزاد اسلامی – واحد میبد

تاثیر دمای حرارتی دهی بر رنگ ایجاد شده با رنگدانه ی

(zr,v)sio4 لعاب سرامیک مات

آزمایشگاه لعاب

استاد : مهندسی قهرمانی

دانشجو: آیدا خیامی

شماره داشجویی: 82474467517

بهار 1386تأثیر دمای حرارت دهی بر رنگ ایجاد شده با رنگدانه‌ی (zr,v)sio4 لعاب سرامیک مات

خلاصه

تحلیل واکنش پذیریهای فیزیکی بین رنگدانه‌ها، کدرسازها و لعاب‌ها برای درک رفتار نوری لعابهای سرامیک مهم می‌باشند. ضمناً مهم است که تمایز قائل شویم که آیا لعاب مات می‌شود چون فاز بلوری شده می‌تواند به ویژگیهای نوری سیستم کمک می‌کند یا نه. اندازه و کیفیت بلورهای ایجاد شده به طور قابل توجهی می‌تواند رنگ لعاب را تغییر دهد. هدف این بررسی ارزیابی تأثیر دمای حرارت دهی بر پایداری رنگ یک سرامیک مات شده توسط رنگدانه‌ی وانادیم – زیرکن آبی است. تحلیل انکساری کمی اشعه‌ی ایکس به منظور ارزیابی کردن انحلال رنگدانه در سه دمای مورد بررسی قرار گرفته و کیفیت بلورهای زیر کن ایجاد شده در محل اصلی خود می‌باشد. تحقیق گزارش شده اهمیت مورد توجه قرار دادن تمام اجزاء در سیستم نوری چند جزئی به عنوان یک لعاب سرامیک را اثبات می‌نماید.

کلمات کلیدی : زنگ، اسپکتروسکوپی؛ روشهای اشعه‌ی ایکس؛ سرامیکهای سنتی، لعاب‌ها: (zr,v)siot

مقدمه

در صنعت سرامیک یک هدف پیش پا افتاده در کاربرد لعاب ارتقا دادن هنر زیبایی شناسی محصول پایانی است، در این زمینه توزیع اندازه‌ی بافت و ذره هم رنگدانه‌ها و هم بلورها توسط لعاب مات می‌شود، و تقابل شیمیایی و فیزیکی بین رنگدانه‌ها و لعاب‌ها هنگام حرارت دیدن اساسی و مهم است تا فرآیند رنگ آمیزی کنترل شود. در واقع، رنگدانه‌ی مشابه می‌تواند بسته به دمای حرارت دهی و ترکیب شیمیایی لعاب برای رنگ آمیزی، رنگهای نسبتاً متفاوتی ایجاد نماید.

کنترل بلوری شدن، و جلوگیری از انحلال رنگدانه‌ها در لعاب‌ها و مواد بین سلولی بافت‌های سرامیک طی حرارت دهی برای بهتر کردن ویژگیها، ظاهر و قابلیت تکثیر محصولات مهم است. جوهرهای چند اکسیده مواد شاخص در لعاب‌های حرار دهی سریع می‌باشند. 4-2- و رنگدانه‌های زیرکن (zrsiot) متداولترین مواد رنگی مورد استفاده هستند. در مقایسه با اجزای دسته‌ی دیگر، جوهر معمولاً کمترین دمای ذوب را دارد اما نسبت به رنگدانه‌های سرامیک خورنده‌ترین می‌باشد. ابتدا برای لعاب دادن‌ها معمولا sio2 به عنوان شکل دهنده‌ی اصلی شیشه، قلیاها (k2o, Na2o)، ZnO, B2O3 یا SrO به عنوان سیاله‌ی اصلی، AL2O3, MgO, CaO برای افزایش سختی و دوام لعاب دادن منظور می‌شدند. ضمناً پوشش‌های کدر، که بیشترین پوشش‌های تولید شده هستند، معمولاً با ZrO2 در هم می‌آمیزند. کدری و سفیدی از طریق بلوری شدن زیرکن بدست می‌آیند. ریز ناهمگن‌های حاصل (اندازه) به طور قابل توجهی ضریب شکستشان (40/2 – 05/2) از ضریب شکست بافت‌های شیشه‌ای (70/1 – 50/1) بزرگتر است و در نتیجه نور را به طور موثری پخش می‌کنند در حقیقت محاسبات انتشار Mie تعیین می‌کند که حداکثر انتشار نور و سفیدی با زیرکن همراه انواع اندازه‌های ذره و شکستگی وسیع 16/0 روی می‌دهد.

رنگدانه‌های تخدیر شده‌ی زیرکن پایدارترین مواد رنگی تا Cْ1200 هستند. ساختار چهار گوشه‌ای زیر کن قابلیت در خود جای دادن وانادیم و پراسدم به طور جانشین سازی و هماتیت اینگلوبات را دارد. و پایداری گرمایی و شیمیایی بالای آن، آنرا مناسب استفاده در لعاب دادن سرامیک می‌کند. سیستم سه محوری زیر کن معمولاً برای رنگ آمیزی لعاب‌های صنعتی به کار می‌رود.

مقاله طراحی و ساخت دستگاه کنترل اتوماتیک دمای ترانسهای صنعتی و کوره ها

اختصاصی از کوشا فایل مقاله طراحی و ساخت دستگاه کنترل اتوماتیک دمای ترانسهای صنعتی و کوره ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این محصول در قالب ورد و قابل ویرایش در 25 صفحه می باشد.

پروژه:

پروژه مورد نظر کنترل اتوماتیک دما با استفاده از میکروکنترلر AT89C51 می باشد که بطور مختصر بدین ترتیب است که دما توسط یک سنسور حرارتی لمس شده و سپس این دما توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال (ADC) به میکرو داده شده و میکرو با استفاده از برنامه ریزی که از قبل شده است که سه دما برای سنجش دارد اگر دمای مورد نظر را T بنامیم در این صورت عملکرد میکروکنترلر در خروجی بصورت زیر است:

اگر T<T1 باشد رله شماره I فعال می گردد.

اگر T1<T<T2 باشد رله شماره II فعال می گردد.

و اگر T2<T<T3 باشد رله شماره III فعال می گردد.

و اگر T>T3 باشد رله شماره IV فعال می گردد.

شماره رله مورد نظر

 

و یکی از خروجی های میکروکنترلر به یک Display وصل است که از نوع LCD بوده و می توان دمای T1 و T2 و T3 مورد نظر را وارد کرد و همچنین پیغام اینکه کدام رله فعال است را در آن مشاهده کرد Relay # › is active  که هر قسمت مدار مفصل توضیح داده می شود.

فهرست مطالب

عنوان

صفحه

پروژه....................................... 1

میکروکنترلر در برابر میکروپروسسورهای همه منظوره 2

میکروکنترلر AT89C51.......................... 3

توصیف پایه های 89C51......................... 4

     1- XTAL2 , XTAL1......................... 5

     2- RST................................. 5

     3-.................................. 5

     4- ............................... 6

     5- ALE................................. 6

پایه های پورت I/O............................ 6

پورت (P0)0 به عنوان ورودی.................... 7

سنسور دما LM35.............................. 7

شکل دهی سیگنال و اتصال LM35 به AT89C51        8

تراشه ADCO804 و اتصال آن AT89C51............. 9

پایه های ADCO804............................ 9

     1- CS.................................. 9

     2- RD (خواندن)......................... 10

     3- WR (نوشتن؛ نام بهتر آن “آغاز تبدیل” است)    10

CLIR , CLKIN.................................. 10

فهرست مطالب

عنوان

صفحه

INTR (وقفه ، نام بهتر آن “پایان تبدیل” است)  11

VIN (-), VIN (+).................................. 11

VREF/2....................................... 11

DO-D7....................................... 12

A-GND (زمین آنالوگ) D-GND (زمین دیجیتال)     12

نتیجه گیری از معرفی پایه های ADCO804         12

اتصال صفحه کلید به CPU (میکروکنترلر AT89C51 )    13

پویش و شناسایی کلید فشرده شده .............. 14

اتصال LCD به AT89C51......................... 14

VEE, VSS, VCC................................. 15

RS (انتخابگر ثبات).......................... 15

R/W (خواندن و نوشتن)........................ 15

E (فعال).................................... 15

DO-D7....................................... 16

ارسال فرمان به LCD.......................... 18

ارسال داده ها به LCD........................ 18

خروجی های مدار ............................. 18

طراحی و ساخت یک کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق

اختصاصی از کوشا فایل طراحی و ساخت یک کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود "پایین مطلب

فرمت فایل: word (قابل ویرایش)

   تعداد صفحه :74                                                                                                                  

طراحی و ساخت یک کنترل دمای دیجیتالی  تابلوهای برق

چکیده

هدف از انجام این پروژه طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق با استفاده از میکروکنترولر AT M32 می باشند. دستگاهی که طراحی و ساخته شده علاوه بر قسمت اتوماتیک دارای بخش است که می توان دما ، فن و هیتر را بصورت دستی تغییر وضعیت داد. تحقق این پروژه کمک شایانی به کنترل دما با دقت بالا در محل های کار ، کارخانجات و بخصوص کارخانه های جوجه کشی می  باشد . طبق برنامه ای که برای این پروژه نوشته شده است دماهایی که بصورت دستی تغییر میکنند ، رنج محدودی دارند که این رنج توسط سازنده مشخص شده است.

فهرست مطالب

صفحه

عنوان

9

پیشگفتار

10

فصل اول

11

فصل اول: مقدمه ای بر AVR

12

         1-1میکرو کنترل های TINY AVR

18

         1-2 میکرو کنترلرهای AT90S

22

          1-3 میکروکنترلر های MEGAAVR  

28

           1-4 خصوصیات داخلی MEGA 32

48

فصل دوم

49

فصل دوم: برنامه Bascom و برنامه نویسی آن

49

          2-1 برنامه bascom

51

         2-2 محیط برنامه نویسی

56

فصل سوم

57

فصل سوم : سنسور های دما

57

        3-1 ترمومترهای شیشه ای

57

       3-2 ترمومترهای Bimetal

58

       3-3 ترمومترهای فشاری

58

        3-4 ترموکوپل

59

        3-5 اندازه گیری دما از طریق مقاومت اهمی

60

       6-3 lm 35  

61

 فصل چهارم

62

 ر  فصل چهارم :طراحی و ساخت یک کنتر ل دمای دیجیتالی تابلو های برق

62

        4-1 برنامه و توضیح آن

73

        4-2 شکل مدار و توضیحاتی در مورد آن

75

نتیجه گیری

76

مراجع  

پیشگفتار

با ورود میکرو کنترلر ها به بازار الکترونیک و استفاده از آنها کار را بر روی بسیاری از قسمتهای الکترونیک آسان تر نمود و به خصوص در صنعت با در دست گرفتن کنترل قسمتهای مختلف یک کارگاه یا کارخانه صنعتی منجر به تولید بیشتر با کیفیت بهتر شد و افق وسیعی از کار را بر روی سازندگان قطعات الکترونیک گشود. نکته ای که در صنعت بسیار مهم به نظر می رسد اندازه گیری پارامتر هایی مثل دما ، فشار و میزان جابه جایی اجسام و ... می باشد که کار ها توسط سنسور های مختلف انجام می شود اما روز به روز بر تعداد سنسورها افزوده شده و سنسورهای بهتر با قابلیت های بیشتری به بازار عرضه می گردد  و همچنین دستگاه هایی که توسط میکرو کنترلر ها  ساخته می شود داری انواع مختلفی بوده و کارهای متفاوتی انجام می دهند یکی ازاین دستگاه ها دستگاه کنترل دمای تابلو و اتاقک ها می باشند که توسط میکروکنترلر ها و حتی بردهای الکترونیکی نیز ساخته می شوند.

پروژه مورد توجه و حائز اهمیت در این پایان نامه در خصوص کنترل دما تابلو های برق می باشد که می توان برای ماشینهای جوجه کشی ، محل کار ، تابلو های برق و غیره میتوان استفاده کرد.

در این پایان نامه ابتدا توضیح مختصری راجع به میکرو کنترلر های AVR آورده شده  در بخش های بعد یک توضیح راجع به برنامه bascom  ،انواع سنسورهای دما  می خوانید و در پایان نیز شکل مدار و برنامه نوشته شده در میکرو آورده شده است.

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

اختصاصی از کوشا فایل محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 18

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism)

ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد. و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد.

هر هسته دارای اسپین و ممان مغناطیسی است.

ممان متوسط مغناطیسی ماده (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟

فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است. همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم.

هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین

یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا

(Cثابت تناسب است )

چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است.

از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با

و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است. (چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE، افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص)

و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد.

با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد.

که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد:

واضح است که

اگر

نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد.

در اینصورت تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه:

از طرف دیگر اگر

اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است

تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم.

بوسیله محاسبه واقعی متوسط

Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H

حالا چک کنیم که آیا استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟

اگر

اگر

مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود. Magnetic Susceptibility of Substance

X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است Curie’s Law

از طرف دیگر

مستقل از H است یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization که ماده می تواند نمایش بدهد.

بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است.

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

اختصاصی از کوشا فایل محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 18

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism)

ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد. و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد.

هر هسته دارای اسپین و ممان مغناطیسی است.

ممان متوسط مغناطیسی ماده (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟

فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است. همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم.

هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین

یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا

(Cثابت تناسب است )

چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است.

از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با

و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است. (چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE، افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص)

و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد.

با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد.

که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد:

واضح است که

اگر

نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد.

در اینصورت تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه:

از طرف دیگر اگر

اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است

تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم.

بوسیله محاسبه واقعی متوسط

Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H

حالا چک کنیم که آیا استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟

اگر

اگر

مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود. Magnetic Susceptibility of Substance

X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است Curie’s Law

از طرف دیگر

مستقل از H است یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization که ماده می تواند نمایش بدهد.

بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است.