کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

کوشا فایل

کوشا فایل بانک فایل ایران ، دانلود فایل و پروژه

پوشش‌های لایه نازک، کاربرد خواص مکانیکی و روش‌های اندازه‌گیری

اختصاصی از کوشا فایل پوشش‌های لایه نازک، کاربرد خواص مکانیکی و روش‌های اندازه‌گیری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 31

 

عنوان

پوششهای لایه نازک، کاربرد خواص مکانیکی و روشهای اندازه گیری

خواص مکانیکی لایه ها

ترکیب عمومی (طرح عمومی)

رفتار مکانیکی لایه ها از دو دیدگاه اصلی دارای اهمیت است. در اصل،‌ مطالعه و فهمیدن چنین رفتارهایی می‎تواند منجر به درک بهتر ما از خواص تودة مواد شود. در عمل کار رضایت بخش بسیاری از قطعات لایه ای به شکل و ترتیب قرار گرفتن لایه های پایدار- که می‎توانند در برابر تاثیرات محیط زیست تاب بیاورند- بستگی بحرانی دارد.

مانند خیلی از خواص دیگر لایه ها، خواص مکانیکی لایه ها هم به چند تایگی معمولی فاکتورهای وابسته در آماده سازی آنها بستگی دارد. به دلیل مشکلات تجربی و محدودیت های موجود در آزمایشها، اکثریت کار انجام شده روی خواص مکانیکی روی لایه های چند بلوری انجام گرفته و این به خاطر ساختار مختلط بیشتر لایه ها است. مطالعاتی دربارة برآراستی لایه ها انجام شده، اما طبیعت اندازه گیری دقیق،‌ که مستلزم استخراج اطلاعات خواص مکانیکی است،‌ و عدم قطعیت مشکلاتی را در این مطالعات ایجاد می‌کند.

بیشتر مطالعات انجام شده دربارة لایه های فلزی بوده اند و به مواد دی الکتریک که در قطعات الکتریکی و اپتیکی گوناگون اهمیت دارند نیز توجه شده است. اندازه گیری ها شامل فشار (تنش) و کرنش، خزش، رفتار قالب پذیری و نرمی، قدرت شکست و در پایین ترین سطح و کمترین حد شامل سختی می‎شوند. مدلهای تئوری گوناگونی پیشنهاد شده اند که اگرچه در این مرحله حتی در جزئیات با تجربه توافق دارند ولی آنها را در نظر نمی گیریم. با وجود این، یک اصول عمومی وجود دارند که به عنوان راهنما برای کارهای بعدی بکار گرفته می‎شوند.

وقتی لایه ها با تبخیر گرمایی، یا با تجربه بخار روی یک بستر گرمایی، شکل می گیرند، آنگاه اگر ضریب انبساط لایه ها و بستر گرمایی یکسان باشد وقتی سیستم تا دمای اتاق سرد می شود، یک فشار گرمایی ایجاد شده و پیشرفت می‌کند. این اثر- که در بسیاری از موارد اتفاق می افتد- خودش را به شکل جداسازی لایه ها از سطح به وضوح نشان می‎دهد. در حقیقت هنگامی که بستر گرمایی در دمای اتاق است، فشار گرمایی ذخیره شده در لایه های رسوبی رابا هیچ وسیله ای نمی توان آشکار کرد. دمایی که لایه ها در آن شکل می گیرند، از آنجایی که مفهوم بد تعریفی است، ممکن است با دمای بستر گرمایی تفاوت داشته باشد. مخصوصا وقتی که اتمهای چگالیده با یک سرعت بالای گرمایی وارد می‎شوند: اثر «دما»ی لایه های چگالیده به عاملهای تعادل که گرمای مادة چگال را کنترل می‌کنند بستگی دارد و این عاملها معمولاً به سختی قابل تشخیص هستند. قستمی از دمای سطح بستر گرمایی توسط تابشهای دریافت شده از منبع تعیین می‎شود و قسمتی از آن را گرمای نهانی که توسط لایه های چگالیده داده شده تعیین می‌کند. وقتی ضخامت لایه های فلزی افزایش پیدا می کند، کسر بزرگی از انرژی گرمایی که از بستر گرمایی تابش می کند ممکن است بازتابیده شود. بعلاوه وقتی ثابتهای اپتیکی لایه های بسیار نازک با ضخامت به سرعت (و اغلب با رفتاری بسیار پیچیده) تغییر می‌کنند این اثر به دشواری قابل تشخیص است. قبل از بحث کردن دربارة جزئیات این اثر،‌ می‎پردازیم به روشهای تجربی ای که برای مطالعه خواص مکانیکی لایه های نازک به کار می روند.

2-5) تکنیک های تجربی

الف) اندازه گیری تنش و کرنش

اندازه گیری تنش (فشار) در لایه ها معمولاً با تکنیک باریکه- خمش انجام می‎شود. تکنیکی که در آن لایه ها روی یک باریکة مستطیلی نازک ته نشین شده و رسوب می‌کنند. در اندازه گیری انحرافهای کوچکی که در تداخل سنجی،‌ ظرفیت و نظم و ترتیب الکترومکانیکی به کار گرفته شده رخ می‎دهد هر تغییری می‎تواند در روشها ایجاد شود. در بیشتر موارد حل عمومی برای خمش باریکة مرکب از دو ماده با خواص الاستیکی متفاوت، تا وقتی که ضخامت لایه در برابر ضخامت باریکه کم است، مورد نیاز نمی باشد.

اگر لایه ها به طور ثابتی مقید به بستر گرمایی باشند و اگر شارش نرم و قالب پذیری در سطح میانی به وجود نیاید آنگاه برای ضخامت باریکه (d) ، مدول یانگ (Y)، نسبت پواسون () و فشار (S) در ضخامت لایه (t) داریم:

(1-5)

وقتی که شعاع انحنای فشار باریکة اولیه،‌ مستقیم فرض شود.

اندازه گیری مستقیم کرنش با متد بارگیری مستقیم علیرغم مشکلات زیادی که وابسته به زیاد شدن لایه ها است، بکار می رود. طرح یکی از سیستمهایی که استفاده می‎شود در


دانلود با لینک مستقیم


پوشش‌های لایه نازک، کاربرد خواص مکانیکی و روش‌های اندازه‌گیری

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

اختصاصی از کوشا فایل جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

 

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

چکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .

نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .

نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.

وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری


دانلود با لینک مستقیم


جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

مقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

اختصاصی از کوشا فایل مقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی


 مقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

 لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 

 فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

 تعداد صفحات:22

 

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به  بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly  اشاره نمود . مواد نانوساختاری  یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار

بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .


دانلود با لینک مستقیم


مقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

ورق ها و پوسته های نازک ونستل، کراوثامر

اختصاصی از کوشا فایل ورق ها و پوسته های نازک ونستل، کراوثامر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ورق ها و پوسته های نازک ونستل، کراوثامر


کتاب ورق ها و پوسته های نازک ونستل، کراوثامر

Book title:Thin Plates and Shells: Theory, Analysis, and Applications

 Author(s):Eduard Ventsel, Theodor Krauthammer

 

کتاب “ورق ها و پوسته های نازک” به ارائه مبانی اساسی تئوری های ورق ها و پوسته ها می پردازد.این کتاب با تاکید بر روش های تحلیلی و عددی برای حل ورق ها و پوسته های خطی و غیرخطی،تئوری های جدید مطرح برای طراحی و تحلیل سازه های جدارنازک درکاربردهای مهندسی را بیان می کند.همچنین متن کتاب شامل روند حل کامپیوتری تفاضل محدود(finite difference)، اجزاء محدود (finite element)، المان مرزی (boundary element) و سایر روش های تغییراتی و عددی است. این کتاب به عنوان مرجعی برای مطالعه ی مضاعف در درس تئوری صفحه و پوسته به دانشجویان کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک جامدات توصیه می گردد.

فهرست مطالب: 

 بخش 1: ورق های نازک

  1. معرفی
  2. مبانی تئوری خمش ورق در تغییرشکل های کوچک
  3. ورق های مستطیلی
  4. ورق های دایروی
  5. خمش ورق های دارای شکل های مختلف
  6. روش های تقریبی و عددی برای خمش ورق
  7. مباحث پیشرفته
  8. کمانش ورق ها
  9. ارتعاشات ورق ها

 

بخش 2: پوسته های نازک

 

  1. معرفی تئوری عمومی خطی پوسته
  2. هندسه ی صفحه ی میانی
  3. تئوری عمومی خطی پوسته
  4. تئوری غشاء پوسته ها
  5. کاربرد تئوری غشاء در تحلیل سازه های پوسته ای
  6. تئوری ممان در پوسته های استوانه ای دایروی
  7. تئوری ممان در پوسته های دوار
  8. تئوری های تقریب در تحلیل پوسته و کاربرد آن ها
  9. مباحث پیشرفته
  10. کمانش پوسته ها
  11. ارتعاشات پوسته ها

ویرایش: اول (2001) | فرمت: PDF

 


دانلود با لینک مستقیم


لایه های نازک اکسید وانادیوم

اختصاصی از کوشا فایل لایه های نازک اکسید وانادیوم دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

لایه های نازک اکسید وانادیوم


مقدمه ای کامل و جامع و بسیار مناسب برای نوشتن پایان نامه 

 27 صفحه فایل word با فهرست مطالب، جدولها و شکلها و با رعایت تمام نکات نگارشی و با رفرنسهای معتبر

 

payannameht@gmail.com

مقدمه

روش­های ساخت و تهیه نانوساختارهای اکسید وانادیوم به دلیل کاربردهای روزافزون آن در زمینه­های صنعتی بسیار زیاد بوده اما در اینجا به معرفی برخی از مهم­ترین روش­های آزمایشگاهی که از نظر اقتصادی مقرون به صرفه بوده می­پردازیم. لایه­نشانی لایه های نازک اکسیدوانادیوم تاکنون به روش­های مختلف فیزیکی و شیمیایی با ناخالصی‌های مختلفی انجام شده است.

در این فصل ابتدا به شرح مختصری از روش‌های لایه‌نشانی می‌پردازیم. سپس،‌ تهیه لایه نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی‌های مختلف آورده می‌شود....

 

2-1 روش های فیزیکی

این روش‌ها در زیر بررسی شده‌اند.

2-1-1 روش لایه ­نشانی پالس لیزری (PLD)

لیزر به علت داشتن پهنای فرکانس کوچک، همدوسی و چگالی ‌توان بالا، ابزار مفیدی در کاربردهای صنعتی و آزمایشگاهی است. شدت تابش لیزر قادر است تا سخت‌ترین مواد با مقاومت گرمایی بالا را تبخیر کند. مواد با ترکیبات مختلف را می‌توان با تابش لیزر تبخیر کرد وتابش لیزر پالسی به دلیل فلوئورگ گرمای بسیار بالای سطح هدف موجب می شود تا لایه ­نازک با تناسب عنصری دلخواه تشکیل شود. مزیت‌های این روش بر دیگر روش­های شیمیایی و فیزیکی، استفاده از مواد اولیه ساده، بخار پرانرژی، زمان لایه­نشانی کوتاه، انعطاف‌پذیری در کیفیت بالای لایه نازک است. در روش PLD ماده‌ اولیه‌ای که لایه نازک از آن تهیه می­شود به عنوان هدف قرار می­گیرد. خلوص هدف برای تشکیل لایه مورد دلخواه و مناسب، بسیار مهم است. سپس یک لیزر پالسی به آن تابیده و ‌باعث جدا شدن مواد و ایجاد یک پلاسما می‌شود.

این پلاسمای تبخیری به سمت بستری که در نزدیکی هدف قرار دارد حرکت می‌کند و روی بستری که در دمای خاصی برای تشکیل لایه نازک مورد نظر تنظیم شده است می‌نشیند و لایه را تشکیل می‌دهد. این روش معایبی دارد؛ اول اینکه به دلیل شدت بالای توان لیزر ممکن است مواد هدف جوشیده و یا پوسته پوسته شوند، یا به صورت ذره‌ای از آن جدا شده و بر بستر بنشیند و در نتیجه لایه با ذرات درشت حاصل شود. همچنین به خاطر توزیع زاویه‌ای کوچک گونه‌های کنده­شده در فیلم ممکن است ناهمگونی‌ها و حفره‌هایی در لایه ایجاد شوند به طوری­که تولید لایه­نازک در حد انبوه را با مشکل مواجه کند. نمایی از روش PLD  در شکل2-1 آمده است.....

.

.

.

 

 

2-1-2 روش کندوپاش

در روش کندوپاش یک یون پرانرژی غیرواکنش­گر (مانند  Ar+و Xe+) که تحت ولتاژ حاصل از میدان قرار دارد با کسب شتاب لازم، به اتم­های لایه سطحی ماده هدف برخورد می­کند. برخوردهای متوالی این یون­ها با اتم­ها موجب گرم شدن ماده هدف شده و با انتقال تکانه به آن­ها، سبب کنده شدن و پاشیدن آن­ها به اطراف می­شود. این یون­های پرانرژی قادرند تا به قسمت­های عمیق ماده نفوذ کنند و سبب کاهش بازده کندوپاش شوند. کندوپاش اتم­های سطحی برای اولین بار در سال 1۹۵2 میلادی توسط [1] W.R.Grove دربررسی­های مربوط به تخلیه پلاسمایی مشاهده شد، اما با پیشرفت فن­آوری ساخت قطعات الکترونیکی، این روش نیز توسعه زیادی یافته است. ....

.

.

.

2-2 روش­ های شیمیایی

روش­های شیمیایی از نقطه ‌نظر استفاده از ترکیبات آبدار یا ترکیباتی که در طی فرایند آن ازهیدروکسیل‌ها و قلیاها استفاده شود به روش­های شیمیایی مرطوب موسوم‌اند.

2-2-1 روش لایه­نشانی اسپری پایرولیزیز (SPD)

در این روش ابتدا محلول مورد نظر توسط یک ماده پیش­برنده و یک حلال و ماده افزودنی که نوع لایه، جنس و ضخامت را تعیین می‌کند با نسبت­های از پیش مشخص شده آماده می‌شود. دستگاه اسپری شامل یک مخزن است که محلول را در آن ریخته می­شود و توسط لوله‌ای از جنس سیلیکون به نازل وصل می‌شود. نازل دارای قطری در حدود mm2/0 جهت ریز­کردن ذرات[1] و افشاندن آنها از ارتفاع معین قابل تنظیم، برروی یک صفحه داغ چرخان است به طوری که زیر لایه­ ها را برای لایه-نشانی روی صفحه داغ قرار می‌دهیم از یک گاز برای حمل محلول به درون نازل و پاشیدن آن به صورت افشانه برروی بسترها استفاده می‌شود که اندازه ذرات و کیفیت لایه­ها تحت تأثیر فشار گاز و قطر نازل قرار می‌گیرد.

خواص لایه­ های تهیه شده به این روش به ...

.

.

.
.

فهرست مطالب

 

2-1روش های فیزیکی.. 1

1-1-2 روش لایه نشانی پالس لیزری (PLD) 1

2-1-2 روش کندوپاش.... 2

2-2 روشهای شیمیایی.. 4

2-2-1 روش لایه نشانی اسپری پایرولیزیز (SPD) 4

2-2-2 روش سل-ژل.. 5

2-2-3 روش غوطه وری.. 8

2-2-4 روش چرخشی.. 9

2-2-5 روش لایه نشانی بخار شیمیایی (CVD) 10

2-3 مروری بر سایر مقالات در رابطه با ناخالصی‌های دیگر. 12

2-3-1 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی Al3+ در روش PLD.. 12

2-3-2 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی فلوئور در روش CVD.. 17

2-3-3 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی نقره در روش کندوپاش.... 20

2-3-4 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی تنگستن در روش کندوپاش.... 23

مراجع.. 27

 

 

فهرست شکل‌ها

شکل 2-1: نمایی از دستگاه لایه نشاتی لیزر پالسی.......................................................................................۱۸

شکل ۲-۲ برخورد یون­های پرانرژی به سطح ماده هدف در روش کندوپاش..........................................۱۹

شکل ۳-۲: نمایی از دستگاه لایه نشانی افشانه حرارتی.................................................................................۲۱

شکل ۴-۲: طرحی از روش کلی سل- ژل...................................................................................................۲۴

شکل ۵-۲: نمایی از روش غوطه وری........................................................................................................۲۵

شکل 6-2: نمایی از روش چرخشی...........................................................................................................۲۶

شکل ۷-۲: نمایی از روش CVD..............................................................................................................۲۷

شکل 2-8 دستگاه CVD........................................................................................................................۲۷

شکل 9-2: الگوی پراش لایه‌های اکسید وانادیوم روی سطح (۱۰۰) سیلیکون در دمای 600°C وفشار های مختلف O2.......................................................................................................................................................۲۹

شکل ۱۰-۲: الگوی پراش XRD لایه‌های اکسید وانادیوم در دمای الف) C°۶۰۰، ب) C°۵۰۰، و ج) C°۴۰۰ روی زیرلایه (۱۰۰) سیلیکون و در فشار 1.47mTorr با مقادیر متفاوت Al3+.........................۳۰

شکل 11-2: الگوی پراش XRD لایه‌های اکسید وانادیوم در دمای C°۶۰۰ و در فشار 1/47mTorr با مقادیر مختلفAl3+................................................................................................................................................۳۱

شکل 12-2: تصاویر FESEM لایه‌های اکسید وانادیوم ‌الف)خالص، ب) ، ج) 10° و د) 25° ناخالصی Al2O3 به روش PLD...................................................................................................................۳۱

شکل 13-2: طیف XPS لایه‌های VO2 با ناخالصی Al2O3 روی زیرلایه (۱۰۰) سیلیکون..................۳۲

شکل 14-2: وابستگی دما برای مقاومت لایه‌های اکسید وانادیوم خالص و با ناخالصی Al2O3..................۳۲

شکل 15-2: تصاویر SEM اکسید وانادیوم با ناخالصی فلوئور در روش CVD.........................................۳۴

شکل 16-2: طیف Raman برای دماهای مختلف برای نمونه c..................................................................۳۵

شکل 17-2: طیف‌نگاری UV/Vis برای دماهای مختلف برای نمونه b.....................................................۳۵

شکل 18-2: الگوی پراش XRD برای اکسید وانادیوم خالص و با ناخالصی Ag......................................۳۷

شکل 19-2: تصاویر سطحی SEM لایه‌های AgxV2O5: الف)  V2O5ب)  Ag0/3V2O5ج) Ag0.8V2O5 و د) Ag1.8V2O5...........................................................................................................................................................۳۷

شکل 20-2: طیف XPS برای لایه‌های Ag0.8V2O5 و Ag1.8V2O5 الف) V 2p و ب) Ag 3d

شکل 21-2: دیاگرام تشکیل لایه اکسید وانادیوم با ناخالصیW

شکل 22-2: الگوی پراش XRD لایه نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W

شکل 23-2: تصاویر FE-SEM برای لایه‌های اکسیو وانادیوم الف) خالص و ب) با ناخالصی W

شکل 24-2: طیف عبور لایه‌نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W

شکل 25-2: انرژی گاف لایه‌نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W


دانلود با لینک مستقیم