گزارش کارورزی در محل احداث پارک ناز

اختصاصی از کوشا فایل گزارش کارورزی در محل احداث پارک ناز دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود گزارش کارورزی  رشته عمران در محل احداث پارک ناز بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 15

گزارش کارآموزی آماده,دانلود کارآموزی,گزارش کارآموزی,گزارش کارورزی

این پروژه کارآموزی بسیار دقیق و کامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی میباشد

گزارش کارورزی در محل احداث پارک ناز

محل پروژه : منطقه 22 شهرداری – میدان امیر کبیر – خ هوا نیروز – محل احداث پارک ناز کارفرما: شهرداری منطقه 22 پیمانکار : شرکت آرمه تاب بنیان ماشین آلات و وسایل مورد استفاده: مساحت پارک 12.000 متر مربع لودر: برای انجام خاکبرداری های اولیه و تسطیح اولیه سطح خاک بیل بکهو: برای اجرای کنده کاری کانال ها و تراشه های حمل کابل ای برق ، چراغ های پارک تراکتور بیل: برای تسطیح خاک در محل های خاکریزی معابر پیاده رو بتونیر: برای ساخت بتن، برای اجرای جدول کاری و بتن ریزی فونداسیون دفتر پارک کامیون: برای محا مصالح (شن ، ماسه ، خاک ، کف پوش بتونی و ...) نیسان وانت: برای حمل سیمان پاکتی و حمل آهن آلات و سایر مصالح در ابعاد کوچک جرثقیل: برای حمل و جابجایی کانکس دفتر اجرایی غلتک دیزل یا تن: برای متراکم سازی خاک های دستی ریخته شده  در محل زیر جداول و همچنین فیرهای اجرائی کپوش بتنی برای جلوگیری از نشت خاک دستگاه جوش برقی : برای اجرای اسکلت فلزی ساختمان دفتر پارک ویبراتور بنزینی : برای ویبره کردن بتن فونداسیون دفتر پارک بیل و کلنگ و فرغون و انبر آرماتوربندی و ... نیز سایر وسایل مورد استفاده   می باشند.  قاب فلزی : جهت قالب بندی کنار جدول برای بتن تقویتی و پایه چراغ های بتنی اقدامات مورد نیاز برای اجرای موضوعات پیمان: اجرای جدول کاری اجرای کفپوش بتنی اجرای سنگ کاری اجرای ساختمان دفتر پارک با جزئیات زیر : اجرای فوندانسیون  اجرای اسکلت فلزی اجرای دیوار آجری نصب چارچوب درب و پنجره ها   لوله کشی و تاسیسات  اجرای سقف کاذب رابیس  اجرای گچ و خاک دیوارها  سیم کشی برق و تلفن  سفید کاری  اجرای کاشی و سرامیک و تاسیسات مربوط به سرویس  حفر چاه های فاضلاب و ارت     شرح جزئیات :  برای شروع کار ابتدا عملیات نقشه برداری برای بدست آوردن سطح اولیه کار پروژه توسط دوربین های نقشه برداری نیوو و تئودولیت انجام شد و پس از بدست آوردن سطح مناسب عملیات خاکبرداری توسط لودر انجام شد و خاکهای مازاد برداشته شد و به محل گود انتقال یافت و سپس در محل های لازم خاک جدی مرغوب ریخته شد. به دلیل وجود آسفالت در قسمت های مختلف زمین ، خاک برداشت شده نامناسب تشخیص داده شد و به گود انتقال پیدا کرد و قابلیت استفاده مجدد برای --- مورد نظر را نداشت و به همین سبب مجبور به حمل توسط پیاده سازی نقشه و گچ ریزی در محل توسط بیل انجام شد و خاک های حاصل از این خاکبرداری در کنار تراشه های مذکور قرار گرفت تا پس از عملیات کابل کشی مجدداً به داخل محل ها برگردادنده شود. البته عملیات کابل کشی مجدداً به داخل  محل ها برگردانده شود. البته عملیات کابل کشی باید سپس از اجرای جدول کاری انجام شود تا محل های مناسب برای پایه چراغ ها در کنار جداول مشخص و دقیق تر باشد تا همگونی پروژه دستخوش تغییر نگردد. به همین دلیل در هنگام جدولکاری در محل تقاطع جدولکاری با تراشه ها اقدام به غلاف گذاری  (sleeve) می شد و بر روی sleeve ها خاکریزی انجام    می شد تا سطح زیر جدول برای skeveها از لوله پلی اتیلن 15 برای اجرای جدولکاری در برخی محل ها نیاز به خاکبرداری دستی توسط بیل و کلنگ و در برخی محل ها نیز نیاز به خاکریزی و کمپلت کردن خاک توسط غلتک دستی بود. این عمل برای رسیدن به سطح مناسب با نقشه های ارائه شده توسط کارفرما صورت می گرفت.  برای اجرای جدولکاری در محوطه ابتدا سر و ته مورد نظر را با توجه به شیب بندی های ارائه شده در نقشه و محاسبات مربوطه و تعیین اختلاف ارتفاع نسبت به BM توسط شلنگ تراز در دو سر راسته مورد نظر ارتفاع ها را بدست می آوریم. توسط ریسمان کار این دو ارتفاع مورد نظر را به هم متصل می کنیم و سپس جدولکار شروع به اجرای جدول می کند. برای اجرای جدول پس از رسیدن به سطح مناسب جدولکاری شروع توسط ریسمان کاری که قبلاً شرح آن داده شد ، نمای ---- جدول ها را با هم اهم باد کرده و با ناحیه ی حدود 1Cm برای بند کشیبین جدول ها اقدام به اجرای جدول مجاور جدول قبلی می نماید و تا انتها به همین منوال کار را ادامه می دهد. برای تقاطع های قائم نیز از روش 3-4-5 و یا توسط دوربین زاویه قائمه را توسط ریسمان کار پیدا می کنیم و اقدام به جدولکاری می نماییم.  پس از اجرای جدول اقدام به ریختن بتن بمشیند آن توسط قالب بندی فلزی و تهیه ی بتن توسط بتونیر می نماییم و بتن مورد نظر را در محل آن می ریزیم. قابل بندی فلزی ئ تهیه ی بتن توسط بتونیر می نماییم و بتن مورد نظر را در محل آن می ریزیم. قابل توجه این که در هنگام بتن ریزی آزمایشگاه مکانیسم خاک شهرداری نیز از بتن نمونه گیری به عمل می آورد تا نسبت به سلامت عیار بتن (که در این پروژه برای پشت بند مولد 25 بود) مطمئن گردد.  سپس عملیات بند کشی توسط ملات ماسه سیمان در بین جداول انجام  می شود و بعد از آن برای زیبایی بیشتر و مناسب اقدام به کثیری نرمه سیمان توسط ماله بند کشی انجام می شود.  باید دقت کرد که تراز بودن جدول ها نیز در این میان از اهمیت خاصی برخوردار است که جدول کار باید توسط تراز این مهم را نیز در نظر داشته باشد. برای اجرای کفپوش بتنی برای ایجاد معابر در پارک ابتدا در مسیرهای مورد نظر ، مطابق نقشه های ارائه شده ، خاکریزی به عمل  می آید و خاک ریخته شده در لایه های 10 Cm آبپاشی و کوبیده می شود تا تراکم مورد نظر (در این پروژه تراکم 90%)برسد. برای اطمینان از تراکم مذکور نیز باز هم آزمایشگاه مکانیک خاک برای هر قسمت اقدامی به آزمایش تراکم  می نمود. پس از رسیدن به سطح مناسب اقدام به ریختن مگر در مسیرهای مربوطه می شدو پس از مگر ریزی بناها اقدام به اجای کفپوش توسط ملات ماسه سیمان       می کنند.  برای اجرای کفپوش ، بنابراین دو ردیف جدول ریسمان کشی می نماید و سپس توسط پتک پلاستیکی به کفپوش ضربه وارد می کند تا کفپوش در ملات فرو رود و بر سطح زیرین ریسمان مماس گردد. پس از انجام عملیات اجرائی کفپوش ها باید از آزمایشات دوره یخبندان ، مقاومت فشاری ، مقاومت وسیعی نتیجه های منطبق با استانداردها را بدست بیاورند تا قابل مصرف در پروژه ها باشند.  پس از اجرای کفپوش ها عملیات کابل کشی در محوطه نیز آغاز می گردد. به این صورت که در تراشه های ذکر شده ابتدا ماسه بادی می ریزند تا به کابل آسیبی وارد نشود.سپس کابل را که در این پروژه یک رشته کابل 4*10 مسی و یک  رشته ارت ---  بود ، می خوربانند و دوباره روی آن را ماسه بادی می ریزند و سپس یک ردیف آجر و نوار خطر بر روی آجر می کشند و خاکهای --- از خاکبرداری را دوباره به محل تراشه باز می گردانند.  پایه چراغ بتنی نیز توسط قالب بندی فلزی در ابعاد Cm 40*40*80 بتن ریزی می شوند و توسط یک لوله گاز  و یک زانویی محل عبور  کابل از زمین  به داخل تیر چراغ نیز فراهم می شود. برای اتصال پایه چراغ به تیر چراغ نیز چهار عدد بولت در بتن قرار داده می شود. برای اتصال پایه چراغ نیز 4 عدد بولت در بتن قرار داده می شود و روی این بولت ها هم یک ورق 3mm نیز به عنوان صفحه ستون چراغ نصب می گردد که در وسط آن نیز یک سوراخ به اندازه ی لوله ی "6 برای عبور کابل ها قرار دارد.  کابل ها از داخل زمین وارد پایه چراغ و از پیاله چراغ وارد تیر و در محل فیوز و ترمینال نصب می گردند و رشته ی ارت نیز توسط بست کابشو به بدنه ی چراغ پیچ می گردد. برای اجرای حوضچه های واقع شده در چهار گوشه زمین ابتدا آجز چینی دیواره انجام می گردد و سپس سیمانکاری داخل حوضچه انجام می گردد و سپس به قرگونی در صورت دولایه گونی و سه لایه قیر صورت می گیرد و تا از نشست آب از داخل حوضچه به خارج جلوگیری کند. سپس بر روی لایه قیر و گونی قوری معرفی بسته شد تا سیمانکاری رویه ی حو.ضچه قابل لجرا باشد. سپس سنگ کاری نمای بیرونی و در پوش حوضچه ها انجام شده و داخل حوضچه ها نیز رنگ شد.  پس از اجرای تمامی این قسمت تابلوهای برق در محل های مناسب نصب شد. این تابلوها پیش ساخته بوده و در خارج از محل کارگاه حمل شود و سپس کابل های هر مسیر از ردیف های قیر چراغ به تابلوی مربوطه اش رفته و به تابلو نصب شد و تابلوی اصلی به تابلوی اداره برق وصل شد و لامپ ها و سرچراغها و حباب ها نیز در محل های لازمه نصب شده و روشنایی محوطه پارک قابل بهره بری و سری و در نتیجه فضای خارجی پارک به جز دفتر پارک مورد استفاده قرار گرفت.   دفتر پارک: برای شروع کار دفتر پارک ابتدا اقدام به تعیین ارتفاع سطح زیرین فوندانسیون شد و سپس محل مربوطه رگلاژ شده و قالب بندی آجری برای فضای خارجی و داخلی فوندانسیون صورت گرفت و گلریز برای زیر فوندانسیون انجام شد و سپس آرماتوربندی فوندانسیون برای سبدهای مس نقطه ای و شناژهای مربوطه انجام گرفت و بولت های مربوطه نیز در محل آکس تولدها قرار گرفت و صفحه ستون نیز در محل خود قرار گرفت و توسط تراز لوبیان اقدام به تراز کردن صفحه ستون نیز بار سیمان کشی و شیلنگ تراز صورت گرفت و در محل مورد نظر ثابت شد. سپس نایلون قالب بندی در سرتاسر مسیرهای قالب آجری داخل فوندانسیون کشیده شد و اقدام به بتن ریزی فوندانسیون شد. بتن ریزی توسط بتونیر و محل آن توسط فرغون صورت گرفت. پس از اتمام بتن ریزی و گیرش بتن تا یک هفته تا یک هفته اقدام به آب دادن بتن صورت می گرفت. سپس قالب آجری خارجی برداشته شد و نوع صفحه ستون نیز گروت لخته شد و تراز کردن نهایی صفحه ستون انجام شد. سپس قیرهای IPE در محل صفحه ستون ها توسط شاقول عمودی شده و در محل لازم جوش انجام شد. ورق های پشت بند نیز در دو طرف ستون ها قرار گرفت.  سپس قیر ریزی های سقف انجام شد و قوطی کشی برای اجرای آرد و از دو سقف انجام شد اجرای دیوارها نیز از روی شناژها با گرکی و قیرگونی و تیغه CM15 انجام شد. و کلاف قیرهای پایین نیز جوشکاری شد تا سقف کاذب را بیش در زیر آن اجرا گردد.

گزارش کاراموزی احداث پارک جمشیدیه

اختصاصی از کوشا فایل گزارش کاراموزی احداث پارک جمشیدیه دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود گزارش کاراموزی رشته عمران  احداث پارک جمشیدیه بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 115

گزارش کارآموزی آماده,دانلود کارآموزی,گزارش کارآموزی,گزارش کارورزی

این پروژه کارآموزی بسیار دقیق و کامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی میباشد

تاریخچه پارک:

احداث پارک جمشیدیه به همت سازمان و با کوشش مسئولین امر در سال 1356 انجام شد و در سال 1359 به علت نظامی شدن منطقه درب این پارک بسته شد. این پارک باغی متعلق به جمشیدیه دولو بوده است که تصمیم بر آن داشت که در این باغ خانه سالمندان احداث نماید ولیکن توسط دفتر شهربانو (فرح پهلوی سابق) این باغ مصادره شد و دستور ساختن پارک صادر شد و طراحی این پارک نیز توسط مهندسین، حضرتی و برقه ای و عراقی انجام شد. این پارک تحت پوشش شهرداری منطقه 1 و ناحیة 4 است و مساحت 2m69000 نوع خندق استفاده شده از اراضی پارک (خالصه خریداری، واگذاری، تفرج) که تصرفی است. محل کارآموزی: پارک جمشیدیه تحت پوشش ناحیة 4 زمان بهره برداری 1359 -    نحوه آبیاری پارک: به صورت بارانی – نهری -    وضعیت کفپوش خیابانهای پارک به صورت سنگفرش -    وضعیت روشنایی پارک: پروژکتور – پایه چراغn150 – تعداد شعله 120 -    مساحت پارک 6900 2m            - چمنکاری 200 2m -    گلکاری 2500 2m                - معابر 2300 2m -    زمین بازی کودکان 70 2m            - درختکاری 66200 2m -    مساحت استخر 650 2m            - ساختمانهای‌اداری250 2m -    رستوران 7 2m                - بوفه 9 2m -    نوع حفاظ: نرده ای فلزی            - آبخوری 5 عدد سنگی -    سطل زباله 60 عدد سنگی            - قفس پرنده دارد -    تلفن عمومی: یک ععدد جلوی درب شرق    - تعداد درب: سه درب ماشین رو به شرق (م- آزاده- 1370 اطلاعات چارت پارک)    یک عدد درب کوچک سرویس بهداشتی: سه دستگاه            شیوة طراحی پارک: سنگی مرکز ورزشی دارد                نیمکت 20 عدد چوبی – 8 عدد آلاچیق مراکز فروش فرهنگی شامل نگارستان، آمفی تأتر نمایشگاه یا پارکینگ ندارد گلخانه و تولیدات گیاهی دارد سیستم پخش صوت دارد (م- آزاده- 1370 اطلاعات چارت پارک) پارک جمشیدیه در محدودة شمال تهران واقع در خیابان شهید باهنر اتست مساحت آن حدود 2m6900 است و در سال 1356 احداث شد و در سال 1359 مورد بهره برداری قرار گرفت. قفس پرندگان و برکه و آلاچیق و خلوتگاه و دریاچه و بازی شطرنج قرار دارد. در غرب پارک رستوران و استخر و دفتر پارک و سرویس های عمومی قرار دارد. در شرق پارک آب نما، زمین بازی قائم کودکان – گلخانه – آبخوری سنگی می باشد – در جنوب پارک موتور برق، آب نما شوفاژخانه (3 دستگاه یکی مربوط به دفتر پارک و یکی مال رستوران و دیگری برای گلخانه است. این پارک وسیع و زیبا از شمال به کوه ختم می شود و دارای آب و هوای بسیار خنک و تمیزی است مورد توجه عموم مردم خصوصاً ورزشکاران و هنردوستان می باشد. موقعیت جغرافیایی: از شمال به کوه کلکچال ختم شده، از سمت جنوب به منظریه ختم شده. از غرب به جاده کلکچال ختم شده از شرق به خ جمشیدیه طرح و توسعه: شروع 1376            5000 2m به طور کلی اثرات پارکها از جنبه های مختلف زیباسازی و تفریحی و بهداشتی و اثر مستقیم آنها در سلامتی جهانی، رفع خستگی روحی و جسمی غیرقابل انکار است پارکها و فضای سبز تنها وسیله کاهعش درجه حرارت و بهبود آب و هوا در شهرها به شمار می آیند و اهمیت پارکها در محیط شهری را می توان به شرح زیر خلاصه نمود: 1-    پارکها به عنوان عنصر اساسی و مهم و شکل دهندة شهرها هستند 2-    آب و هوای شهر خصوصاً (مناطق اطراف پارک) را بهبود می بخشد 3-    پارکها بسیاری از نیازهای انسانی اعم از جسمی و روحی را که عامل شهرنشینی به طور گسترده ای آنرا محدود کرده است جبران می نماید 4-    پارکها در سلامتی و بهداشتی محیط زیست نقش عمده ای را به عهده دارند 5-    پارکها همراه با سایر مراکز خدماتی موجود در پارک، نظیر کتابخانه، زمین ورزشی و استخر و ... از مراکز تفریحگاهی، و عمومی مردم می باشند. بنابراین از نظر اهمیت ویژه و نقش و ارزش پارکها در شهرها سازمان پارکها سعی نموده است خصوصیات و مشخصات پارکها شهرهای تهران (شناسنامه پارک) اصولاً برای عموم که از ذهن می گذرد معلوم باشند. برای جبران کمبودها و توسعه و حفاظت پارکها که نقش ویژه ای برای کشور ما ایران عزیز دارد باشد.   مشکلات: 1-    یکی از مشکلات عمدة پارک کمبود آب می باشد که فاقد لوله کشی است (لوله کشی آب شهر) آب آن از چاه تأمین شده است. و در آبیاری درختان و درختچه ها مشکلاتی ایجاد می شود و با وجود داشتن آب نماها زیبا را به سبک خوبی طراحی شده اند و به علت کمبود آب و آب نما خالی و بدون آب باقی می گذارند. 2-    در مورد پرسنل و نیروهای انسانی، باغبانهای متخصص کم هستند و جوابگوی پارک نمی باشند و این مسئله از وضعیت پارک کاملاً مشخص است. 3-    نحوة خروج زباله نیز با مشکلات زیادی همراه است و با تلفن های مکرر (زباله هایی که با فرقون از سطح پارک خارج می شود توسط ماشین شهرداری جمع می شود. 4-    پارکها برای استفاده عموم مردم می باشند و پارک جمشیدیه با توجه به وسعت و آب و هوای بسیار مناسب و فضای سبز و گونه های گیاهی موجود در آن و نظر به اینکه در مجاورت کوه کلک چال می باشد مورد توجه هنرمندان، ورزشکاران و کلیه اقشار از کودکان و جوانان و افراد مسن می باشد ولی درب این پارک از سال 1359 بسته شده است و بلا استفاده می باشد. و خوب است اقدامات لازم از جانب مسئولین برای باز شدن پارک به عمل آید. (م- آزاده- 1370 اطلاعات چارت زمانی پارک) «پیشنهادات» 1-    نظارت دقیق مسئوولین پارکها بر بازسازی پارک و طرح پیمان کاران، به نحویکه سریعاً انجام گیرد و پارک برای استفاده عموم باز شود. 2-    ایجاد و افزایش وسایل سرگرمی کودکان و اختصاص دادن زمین برای فعالیتهای ورزشی 3-    ایجاد پارکینگ 4-    علائم راهنمایی برای قسمتهای مختلف پارک 5-    چمنکاری کردن قسمتهایی از پارک همراه با توسعه گلکاری 6-    با توجه به موقعیت پارک از نظر منطقه و آب و هوا وسعت آن، ایجاد باغ وحش و افزایش و تنوع پرندگان. 7-    نگهداری گونه های متنوع به تعداد  بیشتر در گلخانه که از وسعت نسبتاً خوبی برخوردار است 8-    احداث بوفه پارک 9-    نگهداری از گیاهان آبزی و جانوران آبزی (با توجه به داشتن برکه و ... دریاچه) 10-    حفظ و نگهداری و مراقبت پارکها توسط مردم که یکی از مهمترین مسائل می باشد (و تبلیغات در این زمینه از طریق رسانه هیا گروهی و جزوه و کاتالوگ به صورت ساده. مراکز فرهنگی: در پارک جمشیدیه مراکز فرهنگی و ارشادی، کتابخانه است ولی به علت بسته بودن پارک کتابخانه تعطیل است. منابع درآمد پارک: این پارک منبع درآمد از قبیل قایقرانی و فروشگاه گل و بوفه و فروشگاه ماهی و جانوران آبزی و سایر موارد وجود ندارد و تنها رستورانی را دارد که به علت بسته بودن پارک فعالیتی ندارد. وضعیت روشنایی: روشنایی پارک از کنتور برق شهر تأمین می شود و دارای 150 عدد چراغ پایه بلند (حبابدار) در قسمتهای مختلف پارک است. پایه چراغ کوتاه – چراغ آب نما پروژکتور – چراغ چینی – فانوس و نورافکن سایر وسایل: پارک فاقد دستگاه صوتی و بلندگو بی سیم است. در قسمت شمال پارک 3 قفس پرنده است که حدود 80 کبوتر و 1 مرغ عشق دارد. البته پرنده های مختلفی از قناری، بلبل، کلاغ در محوطه پارک پراکنده است. در قسمت شمال پارک آمفی تأتر به مساحت 2m700 که 600 صندلی دارد و سِن، آمفی تأتر به وسعت 2m95 می باشد. 1    مجسمة «مشت آب» در قسمت غرب پارک مجاور درب کوچک قرار گرفته است. 2 مجسمة سنگی صورت یکی به شکل مکعب نستطیل که در 4 وجه آن 4 صورت نقش بسته است یکی به شکل مخروط می باشد 1 مجسمه به «شکل مکعب مربع» از یک رأس آن بر سکو قرار دارد منابع آب: 1-    منبع هوایی  2-    لوله کشی آب شهر 3-    چاه: سه حلقه چاه آب در پارک جمشیدیه وجود دارد جهت شرب و آبیاری درختان و درختچه های زینتی استفاده شده است 4-    قنات: یک حلقة در سمت شرق و یک حلقه در سمت جنوب و دیگری در سمت غرب پارک است 5-    رودخانه 6-    کانال 7-    فاضلاب 8-    دریاچه 1 دریاچه به وسعت 2m700 در شمال پارک جمشیدیه می باشد لازم به تذکر است که قبلاً قوهایی که در دریاچه شنا می کردند بعد از بسته شدن پارک به باغ وحش انتقال یافتند. 9-    استخر 10-    حوض 11-    برکه در شمال پارک برکه ای به وسعت 2m120 موجود است 12-    آب نما 4 آب نما در جنوب شرق به وسعت 2m100 و 2m50 و 1 آب نما به مساحت 2m80 برای آبیاری در هفته h12 از آب کلک چال استفاده می شود بدین ترتیب که آب از کلکچال (از شمال شرق پارک می باشند) در هفته h12 از آب کلک چال استفاده شده. آبیاری: 1- نیمی از آبیاری به صورت (شلنگی) انجام شده 2- نیمی دیگر از آبیاری: آب از چاه پمپاژ شده و در محوطه توسط فواره پخش می گردد. (از طریق لوله کشی داخل پارک) سرویس و تجهیزات رفاهی و بهداشتی رستوران: 1 رستوران به مساحت 2m700 در حال حاضر بسته است و تعمیر می شود. آبخوری: 4 مورد آبخوری سنگی (2 عدد در جنوب و 12 عدد در غرب و 1 عدد در شمال شرق می باشد) نیمکت: 20 عدد نیمکت چوبی دارد جای زباله: 60 عدد جای زبالة سنگی با دربب فلزی دارد. توالت دستشویی: 30 دستگاه (شامل 25 توالت زنانه و مردانه است) 1 دستگاه در جنوب 1 دستگاه در غرب 1 دستگاه در شرق است سرویس خدماتی: دفتر پارک شامل 1 باب اطاق بزرگ به سمت 2m100 و زیرزمینی که 2 باب اطاق یکی مربوط به باغبان و کمک باغبان و اطاق دیگر مربوط به نگهبان است و هم چنین 1 هال 1 دستشویی و 1 باب آشپزخانه نیز دارد. امکانات تفریحی کودکان: زمین بازی کودکان, وسعت حدود 2m70 است که شامل 1 زیرزمینی است به وسعت 2m30 و فاقد وسایل بازی است. زیر دریاچه در قسمت شمال نیز یک زمین بازی شطرنج قرار دارد (وسعت 2m50) و قبلاً مهره های چوبی شطرنج بسیار بزرگ داشت که بازی می کردند و در سراسر این زمین بازی شطرنج دایره ای شکل است نیز نهر آب است که برای زیبائی زمین است. 1-    زمین والیبال 2-    زمین فوتبال 3-    زمین تنیس 4-    زمین بسکتبال امکانات و خدمات شهری همجوار در قسمت شمال پارک: کوه قرار دارد در قسمت جنوب پارک: خانه مسکونی است (باغ و خانه جمشید درلو) در قسمت شرق پارک: اداره کل منظریه در قسمت غرب: خانه مسکونی است خطوط اتوبوسرانی: خط شمارة 104 از تجریش به جماران نکات و موارد دیگر: وضعیت لوله کشی گاز: داخل پارک لوله کشی گاز است و دفتر پارک و گلخانه شوفاژ دارند. •    محوطه پارک و اطراف آن فاقد نمایشگاه عمومی و پارکینگ است و مجسمه تا پایه پرچم دارد. •    پارک فاقد تلفن عمومی است ولی در نزدیکی منطقه یک کیوسک تلفن عمومی است. در وسط پارک (رو به شمال) خلوتگاهی وجود دارد به مساحت 2m400 قرار دارد. نقشه و مشخصات پارک: 1-    نوع حصار یا حفاظ: از طرف شمال حصاری ندارد و به کوه ختم میشود. (کوه کلکچال) از جنوب حصار نرده ای و فلزی به ارتفاع m5/1 دارد. از غرب  حصار نرده ای و فلزی به ارتفاع m5/1 دارد. از شرق در قسمت زیرین به ارتفاع m1 دیوار سنگی و قسمت بالای آن یک تکه نرده و یک تکه ایرانیت به ارتفاع m1 است. وضعیت خیابانهای پارک به صورت سنگی است پیاده رو و خیابانهای پارک همه سنگی است و راههای توی مسیر در بین درختان بتونها 5 ضلعی به قطر cm40 قرار گرفته و در قسمتهای وسط پارک نیز 8 آلاچیق چوبی قرار دارد. به مساحت 2m50 (م- آزاده- 1370- اطلاعات چارت زمانی پارک) گلکاری و چمن کاری: مساحت پیاده روها 2m2300 و مساحت گلکاری 2m2500 ولی فاقد چمن مشخص و زمین چمنکاری شده است. درختچه ها و بوته های زیستی دائمی و چند ساله شامل رز و هفت رنگ و نسترن و شمشاد و ترون و به ژاپنی و … است. درختچه ها و بوته های زینتی غیردائمی و 1 ساله شامل نشاء های فصلی و اطلسی و بنفشه و میناحسنی و جعفری است. از ساختمانها و تأسیسات فضای سبز پارک کلخانه در قسمت شرق پارک قرار گرفته است و به وسعت 2m200 که حدود 200000 تا قلمه دارد. که من در این بخش بودم (م- آزاده – 1370 – اطلاعات چترت زمانی پارک) کل فضای پارک وضعیت پرسنلی نیروی انسانی: پشت گلخانه 3 اطاق دارد که مربوط به کارگران و مقاطعه کاران است. نگهبان 8 نفر متوسط سن 40 سال و بی سواد. سه باغبان 1 نفر 56 سال با سواد (در حد سیکل) لازم به تذکر است که سرباغبان مدیریت پارک را به عهده دارد. باغبان 2 نفر     متوسط سن 40 سال بی سواد کمک باغبان 1 نفر 42 سال بی سواد نظافتچی 2 تفر 30 سال بی سواد کارگر 21 نفر (کارگران روزمزد و در آوردن کود و نظافت و آبیاری و متوسط سن 30 سال و بی سواد) مجموعاً 35 نفر کارهایی که قرار است در باغ سنگی (توسعه پارک جمشیدیه) انجام پذیرد. 1-    نواره های سنگی شمال آمفی تأتر 2-     آبشار مسیر شمال و روی آمفی تأتر 3-    جوی آب با نقش مار در مسیر 4-    جوی آب با ترکیب سنگ و صخره های موجود 5-    آب سرسره روی سنگ های شیبدار 6-    مسیر آب چشمه در بالای سنگهای موجود 7-    چشمه اشک در لابلای سنگهای بزرگ موجود 8-    گذرگاه تنگ از بین دو سنگ جدا شده 9-    آبشار صخره ها 10-    راه سنگی کم شیب 11-    آبشار  سنگهای پرچین 12-    دره نمایشگاه گیاهان کوهستان 13-    گذرگاه صعود با طناب 14-    آبشار دره یوسن 15-    میعاد فرهنگهای ایران 16-    سنگ عظیم واژگون در شمال غرب پارک 17-    خانه فرهنگ ایلات کره های مرکزی جنوب ایران 18-    خرس خفته

دانلود فایل اتوکد منطقه سیذ خندان و پارک بهشت مادران

اختصاصی از کوشا فایل دانلود فایل اتوکد منطقه سیذ خندان و پارک بهشت مادران دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

دانلود فایل اتوکد منطقه سید خندان و پارک بهشت مادران

پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

 

این فایل در قالب ورد و قابل ویرایش در 110 صفحه می باشد.

 

 

فهرست

مقدمه ۷
فصل ۱ :  سنسور چیست ؟ ۸
فصل ۲ : تکنیک های تولید سنسور۱۱
فصل ۳ : سنسور سیلیکانی ۱۳
۳_۱ : خواص سیلیکان ۱۵-۱۳
۳_۲ : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان۱۶-۱۵
۳_۳ : سنسور درجه حرارت ۱۷
۳_۴ : سنسور درجه حرارت مقاومتی ۱۷
۳_۵ : سنسور حرارت اینترفیس ۱۹
۳_۶ : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها۲۰
۳_۷ : سنسورهای فشار۲۱
۳-۸ : اثر پیزو مقاومتی ۲۲
۳-۹ : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ۲۳
۳_۱۰ : اصول سنسورهای فشار جدید۲۵
۳_۱۱ : سنسورهای نوری ۲۶
۳_۱۲ : مقاومت های نوری ۲۷
۳_۱۳ : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری۲۸
۳-۱۴ : سنسورهای میدان مغناطیسی ۳۰
فصل ۴ : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی۳۱
۴_۱ : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی۳۲
فصل ۵ : سنسورهای میکرومکانیکی ۳۴
۵-۱ : سنسورهای شتاب / ارتعاش ۳۵
۵_۲ : سنسورهای میکروپل ۳۷
فصل ۶ : سنسورهای فیبر نوری ۳۹
۶_۱ : ساختمان فیبر ها ۴۰
۶_۲ : سنسورهای چند حالته ۴۱
۶_۳ : سنسورهای تک حالته ۴۴
۶_۴ : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ۴۶
فصل ۷ : سنسورهای شیمیایی ۵۲
۷_۱ : بیو سنسورها ۵۶
۷_۲ : سنسورهای رطوبت ۵۸
فصل ۸ : سنسورهای رایج و کاربرد آن ۶۰
۸_۱ : سنسورهای خازنی ۶۰
فصل ۹ : سنسور ویگاند۶۲
فصل ۱۰ : سنسورهای تشدیدی۶۶
۱۰_۱ : سنسورهای تشدیدی کوارتز۶۷
۱۰_۲ : سنسورهای موج صوتی سطحی ۶۹
فصل ۱۱ : سنسورهای مافوق صوت ۷۱
فصل ۱۲ : سنسور پارک ۷۹
۱۲-۱: پتاسیومترها ۷۹
۱۲-۲ : خطی بودن پتاسیومترها ۸۰
۱۲-۳ : ریزولوشن پتاسیومترها ۸۲
۱۲-۴ : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها۸۴
۱۲-۵ : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی ۸۵
۱۲-۶ : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر۸۵
۱۲-۷ : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT 89
12-8 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی ۹۴
۱۲-۹ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی  ۹۶
۱۲-۱۰ : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی  ۹۹
۱۲-۱۱: سنسورهای حرکت ازنوع نوری ۱۰۰
۱۲-۱۲ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند ۱۰۱
۱۲-۱۳ : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده
(کمک های پارکینگ ) ۱۰۴
۱۲-۱۴ : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال ۱۰۵
۱۲-۱۵ : سنسوردوبل پارک ۱۰۶
۱۲-۱۶ : آی سی ۵۵۵ درمواد ترانسمیتر۱۰۷
منابع۱۰۸

منابع

 ۱-  اصول و کاربرد سنسورها  نوشته پیتر هاپتمن

 ۲- Binder , J . sensors and actuaters 4

 ۳- Kawamura Y. Proc. TRANDUCER

 ۴- Baltes, H .P. and Popovic ,R.S . Proc . IEEE 74

 ۵- Angell, J.B . Silicon Micromechanical Device ,and Electro Optics

 ۶- Moretti ,M . Laser Focus

 ۷- Williams,D.E.,stonham,A.M.and Moseley,P.T

 ۸-Harada,k.et al;IEEE  Trans.Magntics .

 ۹-Fernisse,E . P .et al;IEEE Trans.Ultrasonics,ferroelectrics frequ.control.

 ۱۰- Clifford, P.K Proc.int.meeting on chemical sensor

فصل اول

سنسور چیست؟

نوری الکترونی به صورت یک سیگنال الکتریکی تبدیل کند. بنابراین سنسور را می‌توان به عنوان یک زیر گروه از تفکیک کننده‌ها که وظیفه‌ی آن گرفتن علائم ونشانه‌ها از محیط فیزیکی و فرستادن آن به واحد پردازش به صورت علائم الکتریکی است تعریف کرد. البته سنسوری مبدلی نیز ساخته شده‌اند که خود به صورت IC  می‌باشند و به عنوان مثال (سنسورهای پیزوالکترونیکی، سنسورهای نوری).

وقتی ما از سنسوری مجتمع صحبت می‌کنیم منظور این است که تکیه پروسه آماده‌سازی شامل تقویت کردن سیگنال، فیلترسازی، تبدیل آنالوگ به دیجیتال و مدارات تصحیح‌ می‌باشند، در غیر این صورت سنسوری که تنها سیگنال تولید می‌کند به نا سیستم موسوم هستند.

در نوع پیشرفته به نام سنسور هوشمند یک واحد پردازش به سنسور اضافه شده است تا خورجی آن عاری از خطا باشد  منطقی‌تر شود. واحد پردازش سنسور که به صورت یک مدار مجتمع عرضه می‌شود اسمارت (Smart) نامیده می‌شود. یک سنسور باید خواص عمومی زیر را داشته باشد تا بتوان در سیستم به کار برد که عبارتند از:

حساسیت کافی، درجه بالای دقت و قابلیت تولید دوباره خوب، درجه بالای خطی بودن، عدم حساسیت به تداخل و تاثیرات محیطی، درجه بالای پایداری و قابلیت اطمینان، عمر بالای محصول و جایگزینی بدون مشکل.

امروزه با پیشرفت صنعت الکترونیک سنسوری مینیاتوری ساخته می‌شود که از جمله مشخصه‌ی آن می‌توان به موارد زیر اشاره کرد:

سیگنال خروجی بدون نویز، سیگنال خروجی سازگار با باس، احتیاج به توان پایین.

 فصل دوم

 تکنیک های تولید سنسور

 تکنولوژی سنسور امروزه براساس تعداد نسبتاً زیادی از سنسورهای غیرمینیاتوری استوار شده است. این امر با بررسی ابعاد هندسی سنسوریهایی برای اندازه‌گیری فاصله، توان، شتاب، سیال عبوری فشار و غیره مشاهده می‌شود. برای اکثر سنسورها این ابعاد از cm10 تجاوز می‌کند. اغلب ابعاد، سنسورها توسط خود سنسور تعیین نمی‌شود بلکه وسیله پوشش خارجی آن مشخص می‌گردد. با این وجود، حتی در چنین مواردی خود سنسورها از نظر اندازه در حد چند سانتی‌متر هستند. چنین سنسوریهایی که می‌تواند گاهی خیلی گرانبها باشند، برای مثال در زمینة اندازه‌گیری پروسة. تکنولوژی تولید و ربات‌ها، تکنولوژی‌های میکروالکترونیک زیر اکثراً به کار برده می‌شوند:

تکنولوژی سیلیکان، تکنولوژی لایه نازک، تکنولوژی لایه ضخیم/هیبرید، سایر تکنولوژی‌های نیمه هادیپرسوه‌های دیگری نیز در تولید سنسور بکار برده می‌شود، از قبیل تکنولوژی‌های فویل  سینتر، تکنولوژی فیبرنوری، مکانیک دقیق، تکنولوژی لیزر نوری، تکنولوژی مایکروویو و تکنولوژی بیولوژی. بعلاوه، تکنولوژی‌هایی از قبیل پلیمرها، آلیاژهای فلزی یا مواد پیزوالکتریکی نیز نقش حساسی را در تولید سنسور بازی می‌کنند.از آنجایی که سیلیکان و نیمه هادی‌های دیگر بطور خیلی گسترده در میکروالکترونیک بکار برده می شوند. در ادامه به تشریح این پروسه تولید می‌پردازم.

 فصل سوم

 سنسور سیلیکانی

استراتژی ترجیح داده شده در ساخت سنسوریها برمبنای سیلیکانی جدید بهره‌مند شدن از تکنیک‌ها و پردازش‌هایی هست که قبلاً در صنعت مدار مجتمع (IC) بر مبنای سیلیکان بنا نهاده شده است و به این طریق می‌توانذ از تجربیات و نتایج این بخش صنعتی سود جست

خواص سیلیکان واثرات آن بر سنسور:

سیلیکان یک ماده مناسب برای تکنولوژی سنسور است به ظرط آن که اثرات فیزیکی و شیمیایی کافی با قوت قابل قبول نشان دهد که می‌تواند در ساختارهای غیرپیچیده در طول گسترة وسیعی از درجه حرارت‌ها بکار برده شود. استفاده از سیلیکان دارای چندین پی آمد برای سنسورها می‌باشد. نخست آن که، خواص فیزیکی سیلیکان می‌تواند مستقیماً برای اندازه‌گیری کمیت اندازه‌گیری شوند. مطلوب به کار برده شود.

 در جدیدترین تحولی که در سال ۱۹۸۰ جلوه‌گر شد، ارتباط تکنولوژی میکروالکترونیک با تکنیک‌های ایجاد شده بویژه برای تولید سنسور است، از قبل برداشتن نم غیریکسان، یا شیشه آندی در اتصال سیلیکانی. به این طریق خواص مکانیکی بسیار خوب سیلیکان تک کریستال می‌تواند برای ساخت سنسورهای بدیع به کار برده شود. ای تکنولوژی که به نام میکرومکانیک موسوم است منجر به تولید عناصر سیلیکانی مکانیکی یا مکانیکی/ الکترونیکی با ابعادی به اندازة مشابه الکترونیکی آنها می‌گردد، که از نظر اندازه چندین میکرومتر هستند. سیلیکان تک کریستالی بویژه بخاطر خواص مکانیکی عالی خود با این تکنولوژی بخوبی سازگار است. تک کریستالی تغییر ماهیت نمی‌دهد. با این وجود، شکنندگی آن می‌تواند یک ایراد باشد. همچون الماس، این کریستال می‌تواند در عرض ضخامت مختلف شکسته می‌شود. نتیجه آن که بسیاری از سنسورهای ساخته شده بر مبنای سیلیکان تک کریستالی به کاربردهایی که در آن درجه حرارت به بالاتر از ۱۵۰-۱۲۰ درجه سانتی گرد افزایش پیدا نمی کند محدود می‌شوند.

مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان:

ساخت سنسورهای سیلیکانی بطور عمده براساس عملیات بکار برده شده در تکنولوژی نیمه هادی مدرن استوار است. که برای تولید عناصر میکروالکترونیکی ابداع شده‌اند. تکنولوژی صفحه‌ای سیلیکان نه فقط برتولیدات مدارات مجتمع غلبه می‌کند، بلکه یک عنصر تعیین کننده در تولید بسیاری از سنسورهای سیلیکانی نیز می‌باشد این امر منجر به مزایای زیر می‌شود:

ساخت کم هزینه سنسورها به تعداد زیاد، مینیاتورسازی سنسور تجمع یکپارچه و الکترونیک، ساخت سنسورهای چند گانه (سنسورهای چند گانه برروی یک چیپ‌ تنها)، استفاده از چیپ‌های بزرگ یا، در بعضی موارد، و وینرهای کمل  (مثلاً سلولهای خورشیدی، سنسوریهای نوری الکتریکی حساس به وضعیت)، امکان ساخت به بعدی که در آن تکنیک‌های خاص برای برش عمیق و غیر ایزوتروپیک و لایه‌های توقف برش خاص برای خلق شکل سه بعدی عناصر سیلیکاتی مینیاتور شده به کار برده می‌شود، استفاده از دیسک‌های خیلی نازک یا قسمت‌های خیلی نازک (سنسوریهای فشار یا شتاب)، نشست دادن لایه‌های سنسور نازک بر و روی زمینة سیلیکان که خواص سنسور محدود سیلیکانی را توسعه می‌دهد.

ویژگی‌های دیگر را می‌توانید در کتاب‌های میکرومکانیک مطالعه نمایید. ولی قبل از خلاصه‌ای از میکرومکانیک را خدمت شما عرض می کنم:عبارت میکرومکانیک، یا تشابهات آن به یک شاخه علمی گفته می‌شود که در آن هدف ساخت میکروسیستم‌های پیچیده متشکل از سنسورهای بسیار مجتمع، یک طبقه پردازش سیگنال لا+ رنجش‌های مکانیکی قابل حرکت می‌باشد. در این حرکت علمی به روش‌های علمی برای ساخت دست پیدا کرده‌اند که در روشهای مکانیکی معمول امکان ساخت آن غیرممکن است محدوده ساخت آن‌ها بین میلی متر و زیرمیکرومتر واقع می‌شود.

سنسورهای در بعد حرارت:

در بعد حرارت یکی از مهمترین کمیت‌های فیزیکی می‌باشد. بسیاری از اصول مربوطه به اندازه‌گیری درجه حرارت از دتها پیش شناحته شده‌اند، از قبل پدیدة انبسطا مکانیکی، ترموکوپل، ترمومتر و … پیشرفت‌های حاصل شده در علم مواد در دهه ۱۹۵۰ سبب پیدایش مقاومت‌هایی با ضریب درجه حرارت مثبت (PTC) یا منفی (NTC) شد، بر طبق سنسورهای موجود می‌توان سنسورهای موجود حرارتی را به ۱-‌ سنسورهای مقاومتی ۲-‌ سنسورهای درجه حرارت اینزفیس طبقه‌بندی کنیم.

سنسورهای درجه حرارت مقاومتی:

چنین سنسورهایی از وابستگی درجه جرارت انتقال عامل استفاده می‌کند. اصلاح مقاومت توزیعی، از روش برای سنجش مقاومت ویژة یک نیمه هادی با استفاده از روش تک پروپی ناشی می‌شود.

 سنسوریهای سیلیکانی دارای این مزیت هستند که می توانند با اطمینان بیشتر و با سطوح قابل تحمل پایین‌تر دوباره تولید   شوند. H-si بطور عمده در کاربردهای تکنیکی به کار برده می‌شود.

 طول کنارة زمینه mm2-1، ضخامت تقریباً mm200 است. کل قطر dدارای مقداری به اندازه mm50-10 می‌باشد. ابعاد کوچک و زمان پاسخ دهی کوتاه باعث کاربرد آن شده است مثلاً سنسور نوع (ValVo) KTY 84 یک سنسور NTC در محدوده درجه حرارت بین ۵۰- تا ۳۰۰ درجه سانتی‌گراد است.

سنسورهای حرارتی اینترفیس:

این نوع سنسور بطور عمده از وابستگ حرارتی انتقال عامل با استفاده از اتصالات p-n به پایای دیودها، ترانزیستورها یا ترکیبات ترانزیستوری بهره‌برداری می‌کند. اثرات اصلاح وابستگی حرارتی پلاویتة انیترفیس مخازن‌های Mos با تغذیه AC نیز می‌تواند توسط این نوع سنسور بکار برده شود. هر دو اثر در مبدل‌های حرارتی- فرکانسی بکار برده می‌شوند. مثال‌های تجارتی از این نوع سنسور حرارتی عبارت است از انواع AD 590 (دستگاه‌های آنالوگ) هستند.

آن‌ها می‌توانند در حد دقتی به اندازه تقریباً ۱k برای درجة حرارت‌هایc0‌۵۰- و c0‌۱۵۰ به کار برده شوند. اگر چه پیشرفت‌های دیگری در حال تجربه هستند، بیشتر آن‌ها هنوز در مرحلة آزمایشگاهی قرار دارند، مبدل‌های حرارتی فرکانسی بدلیل توانائی آن ها برای ایجاد یک سیگنال خروجی فرکانسی- آنالوگ جهت غالب دیگری از تکامل را ارائه می‌دهند. این مدار متشکل از تعدادی طبقات معکوس کننده با تراتزیستورهای جانبی (T1) .و عمودی (T2) می‌باشد ظرفیت اتصال طبقات معکوس‌کنندة انفرادی سبب ایجاد یک تاخیر سوپینگ می‌شود که، با فرض یک جریان تزریقی معین، فرکانس عملیاتی نوسان‌ساز حلقه‌ای را تعیین می‌کند که با تعداد طبقات معکوس‌کنندة بکار برده شده تغییر می‌نماید. وابستگی حرارتی VBE مستقیماً فرکانس نوسان ساز را تحت تاثیر قرار می‌دهد. بنابراین برای درجه حرارت‌هایی بین ۰‌۲۰ و۰‌۸۰ درجه سانتی‌گراد یک وابستگی مغطی بین درجه حرارت و فرکانس با یک حساسیت نسبی،  به اندازه‌ی تقریباً k 3-10 وجود دارد. اگر چه آیندة چنین سنسورهایی خوب است، ولی آن‌ها هنوز در زمینه قیمت با رقیبان خود قادر به رقابت نیستند.

     سنسورهای حرارتی سیلکونی دیگر وکاربردها:

در درجه حرارت بالا (۵۰۰ الی ۳۰۰۰ درجه سانتی گراد) غالباً با لومتر به عنوان یک عنصر حس کننده به کاربرده می‌شود. در این دستگاه‌ها درجه حرارت در نتیجه‌ی جذب تشعشع گرمایی توسط لایه‌های مقاومتی افزایش می‌یابد. غالباً مقاومت‌های لایه ای سیاه فلزی ومقاومت‌های لایه‌ای ترکیب فلز- اکسید فلز مورد استفاده قرار می‌گیرند.

 سیلیکون اغلب به عنوان زمینه به کار می‌رود. ترموپیل‌های مجتمع علاوه بر کاربردهای حرارتی کاربردهای دیگری نیز دارند به عنوان مثال اندازه گیری دبی سیال، آشکار سازی تشعشع ماوراء قرمز و اندازه گیری فشار خلاء از آنجایی که سیلیکان یک هادی گرمایی خوب است، روش‌های حکاکی اغلب می‌تواند به منظور وفق دادن ضخامت و شکل ترموپیل‌ها در کاربردهای ویژه به کار روند. آفست (offest) کم ترموپیل‌های مجتمع یک مزیت بزرگ است. بالابردن سی یک سیلیون نیز یک مزین است زیرا سیلیکون دارای اثر سی بک (ضریب) بیشتری نسبت به فلزات است از این رو برای اندازه گیری دماهای جزئی مورد استفاده قرار میگیرد (در حد میکروکلوین).

پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک

اختصاصی از کوشا فایل پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک دانلود با لینک مستقیم و پرسرعت .

فرمت فایل : WORD ( قابل ویرایش ) تعداد صفحات:110

مقدمه:

امروز وابستگی علوم کامپیوتر، مکانیک و الکترونیک نسبت به هم زیاد شده‌اند و هر مهندس و با محقق نیاز به فراگیری آن‌ها دارد، و لذا چون فراگیری هر سه آنها شکل به نظر می‌رسد حداقل باید یکی از آن‌ها را کاملاً آموخت و از مابقی اطلاعاتی در حد توان فرا گرفت. اینجانب که در رشته مهندسی مکانیک سیالات تحصیل می‌کنم، اهمیت فراگیری علوم مختلف را هر روز بیشتر حس می‌کنم و تصمیم گرفتم به غیر از رشته تحصیلی خود سایر علوم مرتبط با خودرو را محک بزنم. می‌دانیم که سال‌هاست علوم کامپیوتر و الکترونیک با ظهور میکروچیپ‌ها پیشرفت قابل ملاحظه‌ای کرده‌اند و این پیشرفت دامنگیر صنعت خودرو نیز شده است، زیرا امروزه مردم نیاز به آسایش، ایمنی، عملکرد بالا از خودرو خود توقع دارند. از نشانه‌های ظهور الکترونیک و کامپیوتر در خودرو پیدایش سنسورها در انواع مختلف، و سیستم‌های اداره موتور و سایرتجهیزات متعلقه می باشد. این تجهیزات روز و به روز تعدادشان بیشتر و وابستگی علم مکانیک به آن ها بشتر می‌شود. در ادامه سعی دارم نگاهی به تولید وسنسورهای موجود در بازار بیاندازیم و زمینه را برای ساخت یک سنسور پارک  مهیا کنم، تا از ابزارهای موجود حداکثر بهره‌ را برده وعملکرد مطلوب ارائه داد

فهرست

مقدمه ....................................................................................................................................7

فصل 1 :  چیست ؟................................................................................................... 8

فصل 2 : تکنیک های تولید سنسور.......................................................................................11

فصل 3 : سنسور سیلیکانی ...................................................................................................13

3_1 : خواص سیلیکان ..................................................................................................15-13

3_2 : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان.....................................................................16-15

3_3 : سنسور درجه حرارت ................................................................................................17

3_4 : سنسور درجه حرارت مقاومتی ....................................................................................17

3_5 : سنسور حرارت اینترفیس ............................................................................................19

3_6 : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها.......................................................................20

3_7 : سنسورهای فشار..........................................................................................................21

3-8 : اثر پیزو مقاومتی ..........................................................................................................22

3-9 : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ...................................................................................23

3_10 : اصول سنسورهای فشار جدید...................................................................................25

3_11 : سنسورهای نوری ......................................................................................................26

3_12 : مقاومت های نوری ..................................................................................................27

3_13 : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری....................................................................28

3-14 : سنسورهای میدان مغناطیسی .....................................................................................30

فصل 4 : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی......................................................................31

4_1 : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی............................................................32

فصل 5 : سنسورهای میکرومکانیکی ......................................................................................34

5-1 : سنسورهای شتاب / ارتعاش ........................................................................................35

5_2 : سنسورهای میکروپل ...................................................................................................37

فصل 6 : سنسورهای فیبر نوری ............................................................................................39

6_1 : ساختمان فیبر ها .........................................................................................................40

6_2 : سنسورهای چند حالته ................................................................................................41

6_3 : سنسورهای تک حالته .................................................................................................44

6_4 : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ..............................................................................46

فصل 7 : سنسورهای شیمیایی ..............................................................................................52

7_1 : بیو سنسورها ................................................................................................................56

7_2 : سنسورهای رطوبت .....................................................................................................58

فصل 8 : سنسورهای رایج و کاربرد آن .................................................................................60

8_1 : سنسورهای خازنی .......................................................................................................60

فصل 9 : سنسور ویگاند..........................................................................................................62

فصل 10 : سنسورهای تشدیدی..............................................................................................66

10_1 : سنسورهای تشدیدی کوارتز.......................................................................................67

10_2 : سنسورهای موج صوتی سطحی ................................................................................69

فصل 11 : سنسورهای مافوق صوت ......................................................................................71

فصل 12 : سنسور پارک .........................................................................................................79

12-1: پتاسیومترها .................................................................................................................79

12-2 : خطی بودن پتاسیومترها .............................................................................................80

12-3 : ریزولوشن پتاسیومترها .............................................................................................82.

12-4 : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها..........................................................................84

12-5 : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی ...........................................................................85

12-6 : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر................................................................................85

12-7 : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT ......................................................89

12-8 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی..................................................................... 94

 12-9 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی .......................................................................... 96

12-10 : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ....................................................... 99

12-11: سنسورهای حرکت ازنوع نوری .............................................................................100

12-12 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند ..................................................................101

12-13 : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده

 (کمک های پارکینگ ) .......................................................................................................104

12-14 : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال ...........................................................105

12-15 : سنسوردوبل پارک ................................................................................................106

12-16 : آی سی 555 درمواد ترانسمیتر..............................................................................107